FD650R17IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. PrimePACK 2 mit NTC PrimePACK 2 with NTC
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- Chantal Böhm
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1 PrimePCK 2 mit NTC PrimePCK 2 with NTC IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-erlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage FD65R7IE4 / Š» 7 T = C, TÝÎ = 75 C T = 25 C, TÝÎ = 75 C I ÒÓÑ I t«= ms I ç 3 T = 25 C, TÝÎ = 75 C PÚÓÚ 4,5 kw Š» +/-2 Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) nstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) bschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse bschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I = 65, Š = 5 I = 65, Š = 5 I = 65, Š = 5 Š ÙÈÚ 2, 2,35 2,45 2,45 2,8 I = 24, m, Š = Š, ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 Š = Q 7, µc R ÍÒÚ 2,3  f = MHz,, Š = 25, Š = CÍþÙ 54, nf f = MHz,, Š = 25, Š = CØþÙ,7 nf Š = 7, Š =, I Š» 5, m Š =, Š = 2, I Š» 4 n I = 65, Š = 9 Š = ±5 R ÓÒ =,8  I = 65, Š = 9 Š = ±5 R ÓÒ =,8  I = 65, Š = 9 Š = ±5 R ÓËË = 2,7  I = 65, Š = 9 Š = ±5 R ÓËË = 2,7  I = 65, Š = 9, L» = 45 nh Š = ±5, di/dt = 5 / (TÝÎ=5 C) R ÓÒ =,8  I = 65, Š = 9, L» = 45 nh Š = ±5, du/dt = 3 / (TÝÎ=5 C) R ÓËË = 2,7  Š ù 5, = ŠÑÈà = Š» -LÙ Š di/dt t«ù, tá ÓÒ tø tá ÓËË të EÓÒ EÓËË I»,55,6,6,9,,2,,25,3,29,49, pro IGBT / per IGBT RÚÌœ 36, K/kW pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ 4, K/kW date of publication: revision: 2.
2 Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value FD65R7IE4 çç 7 IŒ 65 t«= ms IŒç 3 ç =, t«= ms, I²t 7,5 k²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge bschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ = 65, Š = IŒ = 65, Š = IŒ = 65, Š = IŒ = 65, - diœ/dt = 5 / (TÝÎ=5 C) ç = 9 Š = -5 IŒ = 65, - diœ/dt = 5 / (TÝÎ=5 C) ç = 9 Š = -5 IŒ = 65, - diœ/dt = 5 / (TÝÎ=5 C) ç = 9 Š = -5 Œ Iç QØ EØþÊ,85,95, , ,25 2,35 pro Diode / per diode RÚÌœ 7,5 K/kW pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) µc µc µc RÚÌ 27, K/kW NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance bweichung von Ræåå deviation of Ræåå erlustleistung power dissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngaben gemäß gültiger pplication Note. Specification according to the valid application note. T = 25 C Rèë 5, kâ T = C, Ræåå = 493  ÆR/R -5 5 % T = 25 C Pèë 2, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõëå 3375 K Rè = Rèë exp [Bèëõîå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõîå 34 K Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõæåå 3433 K date of publication: revision: 2. 2
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance ergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, nschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature nzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque nzugsdrehmoment f. elektr. nschlüsse terminal connection torque Gewicht weight FD65R7IE4 RMS, f = 5 Hz, t = min. š» 4, k Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Cu lèoé 33, 33, 9, 9, CTI > 4 min. typ. max. mm mm LÙ Š 8 nh T = 25 C, pro Schalter / per switch R óôššó,3 mâ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 75 C Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ -4 5 C Schraube M5 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M5 - mounting according to valid application note Schraube M4 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M4 - mounting according to valid application note Schraube M8 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M8 - mounting according to valid application note TÙÚÃ -4 5 C M 3, - 5, Nm M,8 8, - - 2, Nm Nm G 825 g date of publication: revision: 2. 3
4 FD65R7IE4 usgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 5 usgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 2 Š = 5 Š = 2 Š = Š = 9 Š = I [] 7 6 I [] ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, Š [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, Š [] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 2 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) Š = ±5, R ÓÒ =.8 Â, R ÓËË = 2.7 Â, Š = EÓÒ, EÓÒ, EÓËË, EÓËË, I [] 7 6 E [] Š [] I [] date of publication: revision: 2. 4
5 FD65R7IE4 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) Š = ±5, I = 65, Š = 9 Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 9 8 EÓÒ, EÓÒ, EÓËË, EÓËË, ZÚÌœ : IGBT 7 E [] ZÚÌœ [K/kW] R [Â] Sicherer Rückwärts-rbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSO) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSO) I = f ( Š) Š = ±5, R ÓËË = 2.7 Â, i: rí[k/kw]: τí[s]:,2,8 2 5,5,3 3 25,5,5 4 3,8,6,,,, t [s] Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (Œ) 4 I, Modul I, Chip 3 9 I [] 8 6 IŒ [] Š [],,5,,5 2, 2,5 3, Œ [] date of publication: revision: 2. 5
6 FD65R7IE4 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =.8 Â, Š = 9 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = 65, Š = 9 22 EØþÊ, EØþÊ, 22 EØþÊ, EØþÊ, E [] 2 E [] IŒ [] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/kW] R[Â] i: rí[k/kw]: τí[s]: 4,5,8 2 7,3 3 45,5 4 5,6,,, t [s] T [ C] date of publication: revision: 2. 6
7 Schaltplan / circuit diagram FD65R7IE4 Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: revision: 2. 7
8 Nutzungsbedingungen FD65R7IE4 Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre nwendung sowie die Beurteilung der ollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische erwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung (siehe ertrieb&kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in nwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality ssessments; - the conclusion of Quality greements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. date of publication: revision: 2. 8
FS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / V Š» = V I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
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FFR7KE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
MehrMarketing Information FD 600 R 16 KF4
European Power- Semiconductor and Electronics Company Marketing Information FD R 16 KF4 11,85 55,2 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 C2 E2 E2 G1 C2 G2 M4 28 screwing depth max. 8 2,5 deep 7 16 18 4
MehrBSM 15 GD 120 DN2 E3224
BSM 15 GD 1 DN E3 IGBT Power Module Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 15 GD 1 DN 1V 5 ECONOPCK C7757
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6mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT und Emcon Diode 6mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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FSRVL B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrMarketing Information FZ 800 R 12 KF 4
uropean Power- Semiconductor and lectronics ompany GmbH + o. KG Marketing Information FZ 8 R 12 KF 4 18 61,5 M8 screwing depth max. 8 31,5 13 114 G M4 28 7 16,5 2,5 18,5 external connection to be done
Mehr1700 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C
BSM 5 GB 17 DN2 IGBT Power Module Halfbridge Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate R G on,min = 27 Ohm Type Package Ordering Code BSM 5 GB 17 DN2 17V 72 HLFBRIDGE 1
MehrDD 200 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
MehrDD 400 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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FF45R12KT4 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT-Wechselrichter /
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FF45R12KE4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter EmCon Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon Diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
MehrFZ 1800 R 17 KF6C B2
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C
BSM 5 GD 12 DN2G IGBT Power Module Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 5 GD 12 DN2G 12V 78 ECONOPCK 3 C677252167
MehrFF6R12ME4 EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6 / I
MehrDD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω
1700V Dual Dioden Modul mit softer EmCon Diode 1700V Dual Diode Module with soft EmCon Diode Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage
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FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrFP10R12W1T4_B11 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V
FPR1W1T_B11 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C
BSM 1 GD 12 DN2 IGBT Power Module Solderable Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 1 GD 12 DN2 12V 15 ECONOPCK
MehrFP25R12W2T4 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V
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Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms
BSM 3 G 12 DN2 IGBT Power Module Single switch Including fast freewheeling diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 3 G 12 DN2 12V 43 SINGLE SWITCH 1 C6776277 BSM 3
Mehr1200 Gate-emitter voltage V GE ± 20 DC collector current A T C = 25 C T C = 80 C I C Pulsed collector current, t p = 1 ms
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