BSM 15 GD 120 DN2 E3224

Transkript

1 BSM 15 GD 1 DN E3 IGBT Power Module Power module 3phase fullbridge Including fast freewheel diodes Package with insulated metal base plate Type Package Ordering Code BSM 15 GD 1 DN 1V 5 ECONOPCK C7757 BSM 15 GD1DNE3 1V 5 ECONOPCK K C7757 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collectoremitter voltage 1 V Collectorgate voltage V CGR R GE = kω 1 Gateemitter voltage V GE ± DC collector current T C = 5 C T C = C 5 15 Pulsed collector current, t p = 1 ms puls T C = 5 C 5 T C = C 3 Power dissipation per IGBT P tot W T C = 5 C 15 Chip temperature T j + 15 C Storage temperature T stg Thermal resistance, chip case R thjc. K/W Diode thermal resistance, chip case R thjcd 1.5 Insulation test voltage, t = 1min. V is 5 Vac Creepage distance 1 mm Clearance 11 DIN humidity category, DIN F sec IEC climatic category, DIN IEC 1 / 15 /

2 BSM 15 GD 1 DN E3 Electrical Characteristics, at T j = 5 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics Gate threshold voltage V GE =, =. m Collectoremitter saturation voltage V GE = 15 V, = 15, T j = 5 C V GE = 15 V, = 15, T j = 15 C Zero gate voltage collector current = 1 V, V GE = V, T j = 5 C = 1 V, V GE = V, T j = 15 C Gateemitter leakage current V GE = V, = V C Characteristics Transconductance = V, = 15 Input capacitance = 5 V, V GE = V, f = 1 MHz Output capacitance = 5 V, V GE = V, f = 1 MHz Reverse transfer capacitance = 5 V, V GE = V, f = 1 MHz V GE(th) (sat) ES g fs 5.5 C iss 1 C oss 15 C rss 7 V m n S pf 131

3 BSM 15 GD 1 DN E3 Electrical Characteristics, at T j = 5 C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Switching Characteristics, Inductive Load at T j = 15 C Turnon delay time V CC = V, V GE = 15 V, = 15 R Gon = Ω Rise time V CC = V, V GE = 15 V, = 15 R Gon = Ω Turnoff delay time V CC = V, V GE = 15 V, = 15 R Goff = Ω Fall time V CC = V, V GE = 15 V, = 15 R Goff = Ω t d(on) t r t d(off) t f ns FreeWheel Diode Diode forward voltage V F V I F = 15, V GE = V, T j = 5 C..9 I F = 15, V GE = V, T j = 15 C 1.9 Reverse recovery time t rr µs I F = 15, V R = V, V GE = V di F /dt = /µs, T j = 15 C.1 Reverse recovery charge Q rr µc I F = 15, V R = V, V GE = V di F /dt = /µs T j = 5 C 1 T j = 15 C

4 BSM 15 GD 1 DN E3 Power dissipation P tot = ƒ(t C ) parameter: T j 15 C Safe operating area = ƒ( ) parameter: D =, T C = 5 C, T j 15 C 15 1 W t p = 11.µs 13 P tot µs ms 3 1 ms C 1 T C 1 1 DC V Collector current = ƒ(t C ) parameter: V GE 15 V, T j 15 C Transient thermal impedance Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T IGBT 1 K/W Z thjc D = single pulse C 1 T C s 1 t p 131

5 BSM 15 GD 1 DN E3 Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = µs, T j = 5 C Typ. output characteristics = f ( ) parameter: t p = µs, T j = 15 C V 15V 13V 11V 9V 7V 17V 15V 13V 11V 9V 7V V V 5 Typ. transfer characteristics = f (V GE ) parameter: t p = µs, = V V 1 V GE 5 131

6 BSM 15 GD 1 DN 3 Typ. gate charge V GE = ƒ(q Gate ) parameter: puls = 15 Typ. capacitances C = f ( ) parameter: V GE = V, f = 1 MHz 1 1 V nf V GE 1 C 1 V V 1 Ciss Coss Crss nc 1 Q Gate V Reverse biased safe operating area puls = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = 15 V Short circuit safe operating area sc = f( ), T j = 15 C parameter: V GE = ± 15 V, t SC 1 µs, L < 5 nh.5 1 puls / sc / V V 1 131

7 BSM 15 GD 1 DN E3 Typ. switching time I = f ( ), inductive load, T j = 15 C par.: = V, V GE = ± 15 V, R G = Ω Typ. switching time t = f (R G ), inductive load, T j = 15 C par.: = V, V GE = ± 15 V, = tdoff t ns tdoff t ns tdon 1 tr 1 tr tdon tf tf Ω 3 R G Typ. switching losses E = f ( ), inductive load, T j = 15 C par.: = V, V GE = ± 15 V, R G = Ω Typ. switching losses E = f (R G ), inductive load, T j = 15 C par.: = V, V GE = ± 15 V, = mws mws E E 7 Eon Eon 3 Eoff 3 Eoff Ω 3 R G 7 131

8 BSM 15 GD 1 DN E3 Forward characteristics of fast recovery reverse diode I F = f(v F ) parameter: T j Transient thermal impedance Z th JC = ƒ(t p ) parameter: D = t p / T Diode K/W I F Z thjc T j =15 C T j =5 C single pulse D = V 3. V F s 1 t p 131

9 BSM 15 GD 1 DN E3 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 131

10 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte nwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in nwendungen der Luftfahrt, in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality ssessments; the conclusion of Quality greements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.