BSM100GAL120DLCK. Technische Information / technical information. IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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1 IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V Š» V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T = 8 C, TÝÎ = 5 C T = 5 C, TÝÎ = 5 C I ÒÓÑ I 5 A A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage t«= ms I ç A T = 5 C, TÝÎ = 5 C PÚÓÚ 835 W V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage I = A, V Š = 5 V I = A, V Š = 5 V V Š ÙÈÚ,,,6,9 V V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current I =, ma, V Š = V Š, V ŠÚÌ,5 5,5 6,5 V V Š = -5 V V Q, µc R ÍÒÚ 5,  f = MHz,, V Š = 5 V, V Š = V CÍþÙ 6,5 nf f = MHz,, V Š = 5 V, V Š = V CØþÙ,5 nf V Š = V, V Š = V, I Š» 5, ma V Š = V, V Š = V, I Š» na Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 5,6  tá ÓÒ,6,6 Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓÒ = 5,6  tø,5,5 Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓËË = 5,6  tá ÓËË,35, Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) I = A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓËË = 5,6  të,6,8 Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse I = A, V Š = 6 V, L» = 6 nh V Š = ±5 V R ÓÒ = 5,6  EÓÒ, Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse I = A, V Š = 6 V, L» = 6 nh V Š = ±5 V R ÓËË = 5,6  EÓËË, Kurzschlussverhalten SC data V Š ù 5 V, V = 9 V V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt t«ù, I» 65 A Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro IGBT / per IGBT RÚÌœ,5 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ, K/W date of publication: 8-8-7
2 Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Vçç V Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I²t - value IŒ 5 A tô = ms IŒç 3 A Vç = V, t«= ms, I²t 8 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage IŒ = 5 A, V Š = V IŒ = 5 A, V Š = V VŒ,8,7,3 V V Rückstromspitze peak reverse recovery current IŒ = 5 A, - diœ/dt = 3 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V Iç 8 A A Sperrverzögerungsladung recovered charge IŒ = 5 A, - diœ/dt = 3 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V QØ 7, 3, µc µc Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IŒ = 5 A, - diœ/dt = 3 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V EØþÊ,, Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Diode / per diode RÚÌœ,5 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) /ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ,8 K/W Reverse-Diode / reverse-diode Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Vçç V Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I²t - value IŒ A tô = ms IŒç A Vç = V, t«= ms, I²t 7 A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung IŒ = A, V Š = V,8,3 VŒ forward voltage IŒ = A, V Š = V,7 V Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) /ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌœ,3 K/W RÚÌ, K/W date of publication: 8-8-7
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight RMS, f = 5 Hz, t = min. Vš»,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Cu AlèOé,, CTI > min. typ. max. mm mm RÚÌ,5 K/W LÙ Š 3 nh T = 5 C, pro Schalter / per switch R óôššó,85 mâ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 5 C Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ - 5 C Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M6 - mounting according to valid application note Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M5 - mounting according to valid application note TÙÚÃ - 5 C M 3, - 6, Nm M,5-5, Nm G 6 g date of publication:
4 Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Chopper output characteristic IGBT-brake-chopper I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Brems-Chopper output characteristic IGBT-brake-chopper I = f (V Š) V Š = 7V V Š = 5V V Š = 3V V Š = V V Š = 9V V Š = 7V I [A] I [A] ,,5,,5,,5 3, 3,5 V Š [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Brems-Chopper transfer characteristic IGBT-brake-chopper I = f (V Š) V Š = V Schaltverluste IGBT-Brems-Chopper switching losses IGBT-brake-chopper EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ = 5.6 Â, R ÓËË = 5.6 Â, V Š = 6 V 8 8 EÓÒ, EÓËË, 6 I [A] 8 E [] V Š [V] I [A] date of publication: 8-8-7
5 Schaltverluste IGBT-Brems-Chopper switching losses IGBT-brake-chopper EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = A, V Š = 6 V Transienter Wärmewiderstand IGBT-Brems-Chopper transient thermal impedance IGBT-brake-chopper ZÚÌœ = f (t) 35 EÓÒ, EÓËË, ZÚÌœ : IGBT 3 5, E [] 5 ZÚÌœ [K/W], 5 i: rí[k/w]: τí[s]:,9,3,78,77 3,6569,93,3, R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Brems-Chopper reverse bias safe operating area IGBT-brake-chopper I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË = 5.6 Â,,,,, t [s] Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) forward characteristic of diode-brake-chopper (typical) IŒ = f (VŒ) 5 I, Modul I, Chip I [A] IŒ [A] V Š [V],,,,6,8,,,,6,8,,, VŒ [V] date of publication:
6 Schaltverluste Diode-Brems-Chopper (typisch) switching losses diode-brake-chopper (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ = 5.6 Â, V Š = 6 V Schaltverluste Diode-Brems-Chopper (typisch) switching losses diode-brake-chopper (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = 5 A, V Š = 6 V EØþÊ, EØþÊ, E [] 8 6 E [] IŒ [A] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Brems-Chopper transient thermal impedance diode-brake-chopper ZÚÌœ = f (t) Durchlasskennlinie der Reverse-Diode (typisch) forward characteristic of reverse-diode (typical) IŒ = f (VŒ) ZÚÌœ : Diode 8 6 ZÚÌœ [K/W], IŒ [A] 8 6 i: rí[k/w]: τí[s]:,7,9,5,36 3,59,6,5,699,,,, t [s],,,,6,8,,,,6,8,,, VŒ [V] date of publication:
7 Transienter Wärmewiderstand Reverse-Diode transient thermal impedance reverse-diode ZÚÌœ = f (t) ZÚÌœ : Diode ZÚÌœ [K/W], i: rí[k/w]: τí[s]:,58,3,3,77 3,33,93,6,385,,,, t [s] date of publication:
8 Schaltplan / circuit diagram Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication:
9 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. date of publication:
10 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon:
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FZ4R17KE3 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und EmCon³ Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and EmCon³ diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum
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62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung
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FF2R2KE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V Š» 2 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
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FT5RKE3_B5 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
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FD4R12KE3_B5 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und EmCon High Efficiency Reihendiode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency series diode IGBT-Wechselrichter
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FZ3R12KE3G 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
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FF5R2KE3G 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
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FSRVL B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
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FD8R7KE3_B2 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 4A / I ç = 8A Typische
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6mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT und Emcon Diode 6mm C-Serien module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
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FZ6R12KE3_B1 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6A / I ç =
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FZ6R12KE3 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6A / I ç = 12A
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FF45R12KT4 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT-Wechselrichter /
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 6A / I ç = 32A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power
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FSRKTG EconoPACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und EmCon Diode EconoPACK 3 module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated
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FF45R12KE4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter EmCon Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon Diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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FF5R2KS4 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V Š» = 2V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen Typical
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FF2R2KS4 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V Š» = 2V I ÒÓÑ = 2A / I ç = 4A Typische Anwendungen Typical
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62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V Š» = 1V I ÒÓÑ = A / I ç = 4A Typische Anwendungen Typical Applications
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IHM-A Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-A module with soft-switching Trench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 8A / I ç = 6A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power
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EconoDUAL 2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC EconoDUAL 2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC V Š» = 2V I ÒÓÑ = A / I ç = A Typische Anwendungen
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EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC EconoPACK 4 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC / V Š» =
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FFR7KE 6mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode 6mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode / V Š» = 6V I ÒÓÑ = / I ç = 6 Typische nwendungen
MehrFP75R12KT3. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
EconoPIM 3 Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode EconoPIM 3 module with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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