FF900R12IP4D. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
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- Julian Voss
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1 FF9R2IP4D PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, größerer Emitter Controlled 4 Diode und NTC PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode and NTC / V Š» = 2V I ÒÓÑ = 9A / I ç = 8A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power Converters Motorantriebe Motor Drives Traktionsumrichter Traction Drives USV-Systeme UPS Systems Windgeneratoren Wind Turbines Elektrische Eigenschaften Electrical Features Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ Große DC-Festigkeit High DC Stability Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom Circuit Current Sehr große Robustheit Unbeatable Robustness Verstärkte Diode für Rückspeisebetrieb Enlarged Diode for regenerative operation V ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten V ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient niedriges V ŠÙÈÚ Low V ŠÙÈÚ Mechanische Eigenschaften Mechanical Features 4kV AC min Isolationsfestigkeit 4kV AC min Insulation Gehäuse mit CTI > 4 Package with CTI > 4 Große Luft- und Kriechstrecken High Creepage and Clearance Distances Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit High Power and Thermal Cycling Capability Hohe Leistungsdichte High Power Density Substrat für kleinen thermischen Widerstand Substrate for Low Thermal Resistance Module Label Code Barcode Code 28 DMX - Code Content of the Code Digit Module Serial Number - 5 Module Material Number 6 - Production Order Number 2-9 Datecode (Production Year) 2-2 Datecode (Production Week) material no: 32927
2 FF9R2IP4D IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V Š» 2 V T = C, TÝÎ = 75 C I ÒÓÑ 9 A t«= ms I ç 8 A T = 25 C, TÝÎ = 75 C PÚÓÚ 5, kw V Š» +/-2 V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink I = 9 A, V Š = 5 V I = 9 A, V Š = 5 V I = 9 A, V Š = 5 V V Š ÙÈÚ,7 2, 2, 2,5 V V V I = 33, ma, V Š = V Š, V ŠÚÌ 5, 5,8 6,5 V V Š = -5 V V Q 6,4 µc R ÍÒÚ,2  f = MHz,, V Š = 25 V, V Š = V CÍþÙ 54, nf f = MHz,, V Š = 25 V, V Š = V CØþÙ 2,8 nf V Š = 2 V, V Š = V, I Š» 5, ma V Š = V, V Š = 2 V, I Š» 4 na I = 9 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓÒ =,6  I = 9 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓÒ =,6  I = 9 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓËË =,6  I = 9 A, V Š = 6 V V Š = ±5 V R ÓËË =,6  I = 9 A, V Š = 6 V, L» = 45 nh V Š = ±5 V, di/dt = 48 A/ (TÝÎ=5 C) R ÓÒ =,6  I = 9 A, V Š = 6 V, L» = 45 nh V Š = ±5 V, du/dt = 28 V/ (TÝÎ=5 C) R ÓËË =,6  V Š ù 5 V, V = 8 V V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt t«ù, tá ÓÒ tø tá ÓËË të EÓÒ EÓËË I»,2,22,22,4,5,5,7,8,85,2,4,45 7, A pro IGBT / per IGBT RÚÌœ 29,5 K/kW pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ 6, K/kW 2
3 FF9R2IP4D Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value Vçç 2 V IŒ 9 A t«= ms IŒç 8 A Vç = V, t«= ms, Vç = V, t«= ms, Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink IŒ = 9 A, V Š = V IŒ = 9 A, V Š = V IŒ = 9 A, V Š = V IŒ = 9 A, - diœ/dt = 48 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V IŒ = 9 A, - diœ/dt = 48 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V IŒ = 9 A, - diœ/dt = 48 A/ (TÝÎ=5 C) Vç = 6 V V Š = -5 V I²t VŒ Iç QØ EØþÊ 5 45,65,55, , 9, ka²s ka²s 2,2 V V V pro Diode / per diode RÚÌœ 37, K/kW pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) A A A µc µc µc RÚÌ 2,5 K/kW NTC-Widerstand / NTC-thermistor Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Abweichung von Ræåå deviation of Ræåå Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value Angaben gemäß gültiger Application Note. Specification according to the valid application note. T = 25 C Rèë 5, kâ T = C, Ræåå = 493  ÆR/R -5 5 % T = 25 C Pèë 2, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõëå 3375 K Rè = Rèë exp [Bèëõîå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõîå 34 K Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(/Tè - /(298,5 K))] Bèëõæåå 3433 K 3
4 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Gewicht weight FF9R2IP4D RMS, f = 5 Hz, t = min. Vš» 4, kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Cu AlèOé 33, 33, 9, 9, CTI > 4 min. typ. max. mm mm RÚÌ 4,5 K/kW LÙ Š 8 nh T = 25 C, pro Schalter / per switch R óôššó,3 mâ Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà 75 C Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ -4 5 C Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M5 - mounting according to valid application note Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M4 - mounting according to valid application note Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note screw M8 - mounting according to valid application note TÙÚÃ -4 5 C M 3, - 6, Nm M,8 8, - - 2, Nm Nm G 825 g 4
5 FF9R2IP4D Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 9V V Š = 7V V Š = 5V V Š = 3V V Š = V V Š = 9V ,,5,,5 2, 2,5 3, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 2 V,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V Š [V] Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ =.6 Â, R ÓËË =.6 Â, V Š = 6 V EÓÒ, EÓÒ, EÓËË, EÓËË, E [] V Š [V]
6 FF9R2IP4D Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = 9 A, V Š = 6 V Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) E [] EÓÒ, EÓÒ, EÓËË, EÓËË,, 2, 4, 6, 8,, 2, 4, 6, R [Â] ZÚÌœ [K/kW] ZÚÌœ : IGBT i: rí[k/kw]: τí[s]:,2,8 2 6,3 3 2,5 4 2,3,6,,,, t [s] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË =.6 Â, Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 2 8 I, Modul I, Chip IŒ [A] V Š [V],,5,,5 2, 2,5 3, VŒ [V] 6
7 FF9R2IP4D Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =.6 Â, V Š = 6 V Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = 9 A, V Š = 6 V 6 4 EØþÊ, EØþÊ, 4 2 EØþÊ, EØþÊ, 2 E [] 8 6 E [] IŒ [A], 2, 4, 6, 8,, 2, 4, 6, R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) ZÚÌœ : Diode RÚáÔ ZÚÌœ [K/kW] R[Â] i: rí[k/kw]: τí[s]: 3,,8 2 8,8,3 3 24,5,5 4,6,6,,,, t [s] T [ C] 7
8 Schaltplan / circuit diagram FF9R2IP4D Gehäuseabmessungen / package outlines 8
9 Nutzungsbedingungen FF9R2IP4D Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. 9
FS75R12KE3_B3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FSRKE_B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFZ400R17KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FZ4R17KE3 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und EmCon³ Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and EmCon³ diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum
MehrFP15R12YT3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
MehrFS150R12KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
FS5RKE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFZ400R12KE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode / V Š» = 12V I ÒÓÑ = 4A / I ç = 8A Typische
MehrFD800R17KE3_B2. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FD8R7KE3_B2 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
MehrFZ600R12KE3_B1. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FZ6R12KE3_B1 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V Š» = 12V I ÒÓÑ = 6A / I ç =
MehrFT150R12KE3_B5. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FT5RKE3_B5 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFF150R12KE3G. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
FF5R2KE3G 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstop IGBT3 und Emcon High Efficiency Diode 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
MehrF4-75R12MS4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUAL 2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC EconoDUAL 2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC V Š» = 2V I ÒÓÑ = A / I ç = A Typische Anwendungen
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
IHM-B Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 6A / I ç = 32A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power
MehrFS35R12YT3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
MehrFF800R17KP4_B2. Technische Information / technical information. Module Label Code. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-A Modul mit soft schaltendem Trench-IGBT4 IHM-A module with soft-switching Trench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 8A / I ç = 6A Typische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power
MehrDF900R12IP4D. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, größerer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, increased Emitter Controlled 4 diode / Š» = 2 I ÒÓÑ = 9A / I ç = 8A Typische
MehrFS75R12KE3_B3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FSRKE_B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFS75R12KE3_B3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FSRKE_B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
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FF5R2KS4 62mm C-Serien Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching V Š» = 2V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen Typical
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IFSBN3E_B3 MIPAQ base Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled HE Diode und Strommesswiderstand MIPAQ base module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled HE diode and current sense
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FZ6R65KF2 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage TÝÎ = -5 C Š» 65 63 57 Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector
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FF45R12KT4 62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode IGBT-Wechselrichter /
MehrFS50R06W1E3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
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EconoDUL 3 Modul mit Trench/Feldstop IGBT4 und Emitter Controlled³ Diode EconoDUL 3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled³ diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T = C,
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FF45R12KE4 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter EmCon Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon Diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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FS45R12KE4 EconoPCK + B-Serie Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und optimierter EmCon Diode EconoPCK + B-series module with trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
MehrFP40R12KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
EconoPIM 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode EconoPIM 2 module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
MehrBSM150GB120DLC. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
6mm C-Serien Modul mit low loss IGBT und EmCon Diode 6mm C-series module with low loss IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung
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FFR7KE3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage / V Š» 7 V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-D
FFR7KE 6mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode 6mm C-Series module with trench/fieldstop IGBT and Emitter Controlled Diode / V Š» = 6V I ÒÓÑ = / I ç = 6 Typische nwendungen
MehrFB10R06KL4G. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V Š» V Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current T = C,
MehrFP75R12KT4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und EmCon Diode EconoPIM 3 module with trench/fieldstop IGBT and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values
MehrFP100R12KT4_B11. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
FPR2KT4_B EconoPIM 3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPIM 3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
MehrDDB2U30N08VR. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage / Vçç V Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EasyPCK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPCK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC ϑ V Š» = 6V I ÒÓÑ
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
MehrFP15R06YE3_B4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor
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FS8R7E3 HybridPCK Modul mit Trench/Feldstop IGBT³ und Emitter Controlled Diode HybridPCK module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige
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FF45R2IE4 PrimePACK 2 mit schnell schaltendem Medium Power IGBT4 und NTC für niederinduktiven Umrichteraufbau PrimePACK 2 with fast switching Medium Power IGBT4 and NTC for low inductive set-up IGBT-Wechselrichter
MehrIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D
EconoPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC V Š» = V I ÒÓÑ = 5A / I ç = A Typische Anwendungen
MehrFPR1W1T_B3 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage
FPR1W1T_B3 EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / ϑ V Š» = 1V I ÒÓÑ = / I ç = Typische
MehrFP50R06W2E3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTC / Š» = 6 I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrFP10R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand
FPR1W1T EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and NTC / Š» = 1 I ÒÓÑ = / I ç = Typische nwendungen
MehrFZ1200R33KF2C. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
FZ2R33KF2C IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer
MehrFP25R12U1T4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode und PressFIT / NTC SmartPIM module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC / Š» = 12 I ÒÓÑ
MehrFS 225 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
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Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj =25 C V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrTechnische Information / Technical Information BSM150GB120DLC. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 2,5 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrFS150R12PT4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT und Emitter Controlled Diode und PressFIT / NTC EconoPCK module with fast Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / V Š»
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Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage / Vçç 1600 V Durchlassstrom Grenzeffektivwert
MehrBSM 200 GB 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrBSM 400 GA 170 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
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s FF R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 1.7 V Kollektor-Dauergleichstrom
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Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
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FF R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrBSM150GAL120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C
MehrBSM50GB120DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 12 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrFS 300 R17 KE3. Technische Information / Technical Information. vorläufige Daten preliminary data. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom
MehrDD 400 S 17 K6C B2. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv. pro Diode / per Diode L sac 20 nh. pro Zweig / per arm R CC +EE 0,16 mω
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Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
MehrDD 400 S 65 K1. RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 10,2 kv. RMS, f = 50 Hz, Q PD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) V ISOL 5,1 kv
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T vj =125 C T vj =25 C T vj =-40 C V CES 6500 6300 5800 V Dauergleichstrom DC forward current
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