FS75R12KE3_B3. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data
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1 FSRKE_B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = 5 C V Š» V T = 8 C T = 5 C I ÒÓÑ I t«= ms, T = 8 C I ç 5 A T = 5 C PÚÓÚ 55 W A A V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C V Š ÙÈÚ,7,,5 V V I =, ma, V Š = V Š, TÝÎ = 5 C V ŠÚÌ 5, 5,8,5 V V Š = -5 V V Q,7 µc TÝÎ = 5 C R ÍÒÚ Â f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CÍþÙ 5, nf f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CØþÙ, nf V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» 5, ma V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» na I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V, L» = 5 nh V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V, L» = 5 nh V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C t«ù, V Š ù 5 V TÝÎù5 C, V = 9 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT tá ÓÒ,,9 tø,,5 tá ÓËË,,5 të,7,9 EÓÒ,7, EÓËË,, I» A RÚÌœ,5 K/W date of publication: -7- revision:.
2 FSRKE_B Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value TÝÎ = 5 C Vçç V IŒ A t«= ms IŒç 5 A Vç = V, t«= ms, TÝÎ = 5 C I²t A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, - diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, -diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, -diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C pro Diode per diode VŒ,5,5 Iç 9, QØ 7,, EØþÊ,,,5 V V A A µc µc RÚÌœ,58 K/W Strommesswiderstand / shunt min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Temperaturkoeffizient temperature coefficient (tcr) Belastbarkeit pro Shunt-Widerstand load capacity per shunt-resistor Betriebstemperatur Shunt-Widerstand operation temperatur shunt-resistor Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance; junktion to case TÊ = C Rèå, mâ C- C < ÔÔÑõŸ TÊ = 8 C P W TÚÝÎÓÔ C RÚÌœ,9 K/W date of publication: -7- revision:.
3 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FSRKE_B RMS, f = 5 Hz, t = min. Vš»,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Cu Alèé, 7,5 CTI > 5 min. typ. max. mm mm RÚÌ,9 K/W LÙ Š 5 nh T = 5 C, pro Schalter / per switch R óôššó,8 mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ - 5 C TÙÚÃ - 5 C Schraube / screw M5 M, -, Nm G g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. date of publication: -7- revision:.
4 FSRKE_B Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 5 5 V Š = 9V V Š = 7V V Š = 5V V Š = V V Š = V V Š = 9V ,,5,,5,,5,,5 V Š [V],,5,,5,,5,,5,,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = V 5 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, R ÓËË =,7 Â, V Š = V, TÝÎ = 5 C 5 TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 8 EÓÒ EÓËË 5 9 E [] V Š [V] date of publication: -7- revision:.
5 FSRKE_B Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 8 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT E [] 8 ZÚÌœ [K/W], R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C i: rí[k/w]: τí[s]:,,9,,,79,,98,99,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 9 IŒ [A] I, Modul I, Chip 5 8 V Š [V],,,,,8,,,,,8,,, VŒ [V] date of publication: -7- revision:. 5
6 FSRKE_B Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =,7 Â, V Š = V, TÝÎ = 5 C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C 8 9 EØþÊ 7 EØþÊ E [] 5 E [] IŒ [A] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) ZÚÌœ : Diode ZÚÌœ [K/W], i: rí[k/w]: τí[s]:,97,9,9,,9,,5,99,,,, t [s] date of publication: -7- revision:.
7 Schaltplan / circuit diagram FSRKE_B Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: -7- revision:. 7
8 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.
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