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1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing Area not flat ø5. ø4.8 Chip position ø5. ø4.8 Chip position Cathode Cathode GEX GEX635 fex635 fex627 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger 484: Gehäusegleich mit LD 274 : Gehäusegleich mit 3, 23 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process High reliability Spectral match with silicon photodetectors 484: Same package as LD 274 : Same package as 3, 23 Applications IR remote control of hi-fi and V-sets, video tape recorders, dimmers Remote control for steady and varying intensity Semiconductor Group

2 484 yp ype Grenzwerte ( A = 25 C) Maximum Ratings Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 484 Q6273-Q92 5-mm-LED-Gehäuse ( 3 / 4 ), klares violettes Epoxy Q6273-Q755 Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( / ), Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß Q6273-Q756 5 mm LED package ( 3 / 4 ), violet-colored epoxy resin, Q6273-Q93 solder tabs lead spacing 2.54 mm ( / ), anode -2 Q6273-Q547 marking: short lead Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm hermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm op ; stg C j C V R 5 V I F I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Semiconductor Group

3 484 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength aeak emission I F = Spektrale Bandbreite bei 5 % von I rel Spectral bandwidth at 5 % of I rel I F = m A Abstrahlwinkel Half angle 484 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top 484 Schaltzeiten, I e von % auf 9 % und von 9 % auf %, bei I F =, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9 % and from 9 % to %, I F =, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F =, = 2 ms I F = A, = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß otal radiant flux I F =, = 2 ms λ peak 88 nm λ 8 nm ± 8 ± 2 Grad deg. A.6 mm 2 L B L W H H.4.4 mm mm mm t r, t f.6/.5 µs C o 25 pf.5 (.8) 3. ( 3.8) V V I R. ( ) µa Φ e 25 mw Semiconductor Group

4 484 Kennwerte ( A = 25 C) Characteristics (cont d) emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = emperature coefficient of I e or Φ e, I F = emperaturkoeffizient von, I F = emperature coefficient of, I F = emperaturkoeffizient von λ, I F = emperature coefficient of λ, I F = C I.5 %/K C V 2 mv/k C λ.25 nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr bei 484 bzw. Ω =. sr bei Grouping of radiant intensity I e in axial direction at a solid angle of Ω =. sr at 484 or Ω =. sr at Strahlstärke Radiant intensity I F =, = 2 ms 484 I e min 5 I e max > > 25 mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = A, = µs I e typ mw/sr Radiation characteristics, 484 I rel = f () OHR Semiconductor Group

5 484 Relative spectral emission I rel = f (λ) I Radiant intensity e I e = f (I F ) Single pulse, = 2 µs Max. permissible forward current I F = f ( A ) OHR877 2 OHR OHR88 Ι rel % 8 Ι e Ι e () Ι F nm λ C Forward current I F = f ( ), single pulse, = 2 µs Permissible pulse handling capability I F = f (τ), A = 25 C, duty cycle D = parameter Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board I F = f (I), A = 25 C A OHR D = OHR OHR V 8 Radiation characteristics, I rel = f () DC D = s 2 OHR mm Semiconductor Group

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