GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485
|
|
- Volker Ackermann
- vor 5 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (8 nm) GaAlAs Infrared Emitters (8 nm) Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) Gruppiert lieferbar : Gehäusegleich mit LD 274 : Gehäusegleich mit 3, 23 Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Rauchmelder (UL-Freigabe) Sensorik Diskrete Lichtschranken Features Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability Spectral match with silicon photodetectors Available on tape and reel (in Ammopack) Available in bins : Same package as LD 274 : Same package as 3, 23 Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control for steady and varying intensity Smoke detectors (UL-approval) Sensor technology Discrete interrupters Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Q6273-Q192 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3 / 4 ), klares violettes -2 Q6273-Q1756 Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( 1 /1 ), Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß Q6273-Q193 5 mm LED package (T 1 3 / 4 ), violet-colored epoxy resin, -2 Q6273-Q1547 solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 /1 ), anode marking: short lead
2 , Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. 1 mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. 1 mm T op ; T stg + C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W
3 , Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission Spektrale Bandbreite bei % von I rel Spectral bandwidth at % of I rel Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei, R L = Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to 1%,, R L = Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom, Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux, t p = 2 ms λ peak 8 nm λ nm ± 8 ± 2 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W H H.3.3 mm mm mm t r, t f /.5 µs C o 15 pf V F 1. ( 1.8) V F 3. ( 3.8) V V I R.1 ( 1) µa Φ e 25 mw
4 , Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, Temperature coefficient of I e or Φ e, Temperaturkoeffizient von V F, Temperature coefficient of V F, Temperaturkoeffizient von λ, Temperature coefficient of λ, TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ.25 nm/k Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr bei bzw. Ω =.1 sr bei Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr at or Ω =.1 sr at Strahlstärke Radiant intensity, t p =2ms 484 I e min I e max > > 25 mw/sr mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = µs I e typ mw/sr
5 , Radiation Characteristics, Ι rel = f () OHR Radiation Characteristics Ι rel = f () OHR
6 , Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel % OHR877 I Radiant Intensity e I e ma = f (I F) Single pulse, t p = 2 µs 2 1 Ι e Ι e (ma) 1 1 OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) Ι F 125 ma OHR nm λ Forward Current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs 1 1 A OHR V 8 V F ma 1 4 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 4 1 ma DC D = t p D = T t p OHR886 T s 1 2 t p 2 C T Forward Current vs. Lead Length between the Package Bottom and the PC-Board I F = f (l), T A = 25 C 12 ma 2 OHR mm
7 , Maßzeichnung Package Outlines 9. (.354) (.24) (.16) 2.54 (.) spacing 8.2 (.323) Area not flat (.31).5 (.2) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) Cathode 5.9 (.232) 5.5 (.217) 1.8 (.71) 1.2 (.47) 29 (1.142) 27 (63) 5.7 (.224) 5.1 (.21) Chip position (.24) (.16) GEXY (.354) (.24) (.16) 2.54 (.) spacing 8.2 (.323) Area not flat (.31).5 (.2) 7.8 (.37) 7.5 (.295) ø5.1 (.21) ø4.8 (.189) Cathode 5.9 (.232) 5.5 (.217) 1.5 (.59) 29 (1.142) 27 (63) 4.8 (.189) 4.2 (.165) Chip position (.24) (.16) GEXY635 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrCathode GEX Cathode GEX06305
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrGEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 spacing 2.54 mm 2.54 mm spacing.6 1.8 1.2.6 29 27 Area not flat Chip position.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) Cathode.8 Area
Mehr(3.2) (R 2.8) (3.2) GEO06960 (3.2) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) SFH 458 2.7 2.3 Chip position 7.5 3.9 5.5 2.5 R 1.95 2.7 2.4 (R 2.8) 4.8 4.4 3.7 3.3 Cathode 14.7 13.1 -.1...1 6. 5.4 GEO696 2.54 mm
MehrGEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) 2.54 mm spacing Area not flat.7.8.2 29 27 Cathode (SFH 9) Anode () Approx. weight.3 g 5.2 4.5 6.3 5.9 4. 3.9 ø3. ø2.9 (3.5) Chip position
Mehrø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
MehrGEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
MehrCathode GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 485 P 2.54 mm spacing.6.4.8.2 29 27 Area not flat.8.4 5. 4.2 3.85 3.35 ø5. ø4.8..5 Chip position Cathode Maße in mm, wenn nicht anders
Mehrmm spacing GEO Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
Gas-IR-Lumineszenzdiode Gas Infrared Emitter 2.4 2. Chip position 2.7 2.5 3.6 3.2.5.7.9.7... 5 Radiant sensitive area ( x ).4 Collector (BPX 8) Cathode () 2..5 2.54 mm spacing ) Detaching area for tools,
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH
MehrGEX GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6 Anode.6.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Area not flat Area not flat.8 9. 8.2 7.8 7.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5.1
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
Mehrø GEX GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6 Anode.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Area not flat Approx. weight.5 g Area not flat.6.8 9. 8.2 7.8 7.5 5.7
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (8 nm) GaAlAs Infrared Emitters (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 484 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute
MehrOpto Semiconductors. Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial- High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package Area not flat 9. 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 fexf6626 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29.5 27.5 Anode ø5.1
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
MehrEN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at ore.hu.
EN: This Datasheet is presented by the m anufacturer. Please v isit our website for pricing and availability at www.hest ore.hu. GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD
MehrDistributed by: www.jameco.com 1-8-831-4242 The content and copyrights of the attached material are the property of its owner. GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrSFH 480, SFH 481, SFH 482. GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480 SFH 481 SFH
480, 481, 482 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 480 481 482 fet06092 fet06091 fet06090 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung
Mehrø5.5 ø5.2 GET Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 ø.45 2.7 Chip position..9 2.54 mm spacing 4.5 2.5 3.6 3. Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight.5 g ø4.3 ø4...9 ø5.5
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute
MehrSchnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 5 mm Radial Package SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
Mehrø5.5 ø5.2 GET Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 ø.45 2.7 Chip position..9 2.54 mm spacing 4.5 2.5 3.6 3. Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight.5 g ø4.3 ø4...9 ø5.5 ø5.2
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
Mehr3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360
3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4512
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95nm Gute spektrale
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW)
MehrIR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute
MehrGPL Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
SM Multi OPLED SFH 722 orläufige Daten / Preliminary Data 3. 2.6 2.3 2..8.6 2 3 2..7.9.7 C C. typ 3.4 3. E (2.4) 3.7 3.3 Package marking 4..5.8.2.6.4 GPL6965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions
MehrMaße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time FA feof6447 feo06447 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden (950 nm) in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
GaAs-IR-Lumineszenzdioden (95 nm) in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (95 nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 45 SFH 4515 SFH 45 SFH 4515 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 405
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 35 Miniatur-Gehäuse
MehrSFH 309 P SFH 309 PFA. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 P SFH 309 PFA
FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor FA feo06445 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified feof6445 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrSchnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 3 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package
Schnelle IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im 3 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (95 nm) in 3 mm Radial Package SFH 431 Wesentliche Merkmale Hohe Pulsleistung und hoher Gesamtstrahlungsfluß Φ e
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103-4
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm Hohe Linearität TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
MehrTEL: FAX: , 481, 482 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 48 Q6273-Q87 18 A3 DIN
TEL:755-83376549 FAX:755-83376182E-MAIL: szss2@163.com GaAlAs-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 48, 481, 482 48 481 482 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 LD 269
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 26 LD 262 LD 269 Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485
28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 486
2-4-28 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 486 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität
MehrIR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883
IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch
MehrDatasheetArchive.com. Request For Quotation
DatasheetArchive.com Request For Quotation Order the parts you need from our real-time inventory database. Simply complete a request for quotation form with your part information and a sales representative
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
Mehr5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I F ]) bei hohen Strömen
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrSFH 309 SFH 309 FA. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
FA NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor FA feof6653 feo06653 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrBPX43. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 fmof6019 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrOpto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data
CHIPLED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale SMT-Gehäusetyp: 63 Farben: grün (572 nm), gelb (59 nm) Abstrahlcharakteristik: extrem breit (16 ) Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrBPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feo06367 fez06365 Wesentliche Merkmale
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features
MehrGabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9310 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Anwendungen Geschwindigkeitsüberwachung Motorsteuerung
MehrGabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300
Gabellichtschranke Slotted Interrupter SFH 9300 Wesentliche Merkmale Kompaktes Gehäuse GaAs-IR-Sendediode (950 nm) Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Einfache Unterscheidbarkeit von Sender (transparentes
MehrDatasheetArchive.com. Request For Quotation
DatasheetArchive.com Request For Quotation Order the parts you need from our real-time inventory database. Simply complete a request for quotation form with your part information and a sales representative
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4203
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 423 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ι e = f [I F ]) bei hohen Strömen Gleichstrom-
MehrSFH 300 SFH 300 FA. ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA
ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. feof6652 feo06652 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
MehrBP 103 B BP 103 BF BP 103 B BP 103 BF
ṄPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B Maβe in mm, wenn nicht
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484
2-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
MehrSchnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209
Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm plastic package 5mm Kunststoffgehäuse
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrInfrarot-LED Infrared-LED SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A
MehrGaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 480, SFH 481, SFH 482
GaAlAs-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 48, 481, 482 48 481: Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs 482 Wesentliche Merkmale Typische
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (88 nm) and Si-Phototransistor Wesentliche Merkmale SMT-Gehäuse mit IR-Sender (88 nm) und Si-Fototransistor Geeignet für
MehrSFH 313 SFH 313 FA. Ṅeu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA
F Ṅeu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor F 2.54 mm spacing.8.2 29 27 Cathode (Diode) Collector (ransistor) pprox. weight.5 g rea not flat 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. Chip position
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 242
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P
27-4-2 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800
GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E78 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
Mehr