GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
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1 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Hermetisch dichtes Metallgehäuse Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb IR-Gerätefernsteuerungen Sensorik Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package Applications Photointerrupters IR remote control of various equipmet Sensor technology Light-grille barrier Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 486 Q6272P A3 DIN (TO-18), Bodenplatte, Plankappe, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( 1 / 1 ) Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 87 (TO-18), flat glass cap, lead spacing 2.54 mm ( 1 / 1 ) anode making: projection at package bottom
2 SFH 486 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlassstrom Forward current Stoßstrom, t p = 1 µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T j 125 C V R 3 V I F 5 I FSM 1 A P tot 14 mw R thja 45 R thjc 16 K/W K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 5 Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = 5 Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei I F = 5, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to1%, I F = 5, R L = 5 Ω Wert Value λ peak 66 nm λ 25 nm ϕ ± 5 Grad deg. A.16 mm 2 L B L W mm² t r, t f 1 ns
3 SFH 486 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Kapazität, V R = V, f = 1 MHz Capacitance Durchlassspannung, I F = 5, t p = 2 ms Forward voltage Sperrstrom, V R = 3V Reverse current Gesamtstrahlungsfluss, I F = 5, t p = 2 ms Total radiant flux Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = 5 Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = 5 Temperaturkoeffizient von V F, I F = 5 Temperature coefficient of V F, I F = 5 Temperaturkoeffizient von λ, I F = 5 Temperature coefficient of λ, I F = 5 Wert Value C o 25 pf V F 2( 2.8) V I R.1 ( 1) µa Φ e 3 mw TC I.4 %/K TC V 3 mv/k TC λ +.16 nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 5, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 1 µs Werte Values I e min.63 I e typ 1.3 mw/sr mw/sr I e typ 15 mw/sr
4 SFH 486 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) Ι rel 1 % OHR1869 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 µs Ι e Ι e Ι e I e 5 = f (I F ) OHR187 Max. Permissible Forward Current I F = f (T C ), R thjc = 16 K/W OHR nm 75 λ C 13 TA Forward Current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs OHR1871 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter DC D = t P T D = t P T OHR1872 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ), R thja = 45 K/W OHR V 7 VF s 1 1 t P C 13 TA
5 SFH 486 Maßzeichnung Package Outlines Chip position ø (2.7) mm spacing ø4.8 ø Cathode Flat glass cap ø GMO6983 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Radiation Characteristics Ι rel = f (ϕ) ϕ 1 1. OHR
6 SFH 486 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave 1 s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s 1 1 C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
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