Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

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1 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen Belichtungsmesser Farbanalyse Features Especially suitable for applications from 35 nm to 11 nm Low reverse current (typ. 2 pa) DIL plastic package with high packing density Applications Exposure meters Color analysis Typ Type BPW 33 Bestellnummer Ordering Code Q6272-P

2 Grenzwerte Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation T op ; T stg C V R 7 V P tot 15 mw Kennwerte (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K) Fotoempfindlichkeit, V R = 5 V Spectral sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 1% von S max Spectral range of sensitivity S = 1% of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, V R = 1 V Dark current Nullpunktsteilheit, E = Zero crossover Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 85 nm Spectral sensitivity S 75 ( 35) na/ix λ S max 8 nm λ nm A 7.34 mm 2 L B mm mm L W H.5 mm ϕ ± 6 Grad deg. I R 2 ( 1) pa S 2.5 pa/mv S λ.59 A/W

3 Kennwerte (T A = 25 C, Normlicht A, T = 2856 K) Characteristics (T A = 25 C, standard light A, T = 2856 K) (cont d) Quantenausbeute, λ = 85 nm Quantum yield Leerlaufspannung, E v = 1 Ix Open-circuit voltage Kurzschlußstrom, E v = 1 Ix Short-circuit current Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent R L = 1 kω; V R = 5 V; λ = 85 nm; I p = 7 µa η.86 Electrons Photon V O 44 ( 375) mv I SC 72 µa t r, t f 1.5 µs Durchlaßspannung, I F = 1 ma, E = V F 1.3 V Forward voltage Kapazität, V R = V, f = 1 MHz, E = C 63 pf Capacitance Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of V O TC V 2.6 mv/k Temperaturkoeffizient von I SC TC I.2 %/K Temperature coefficient of I SC Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP W Noise equivalent power Hz V R = 1 V, λ = 85 nm Nachweisgrenze, V R = 1 V, λ = 85 nm Detection limit D* cm Hz W

4 Relative Spectral Sensitivity S rel = f (λ) S rel 1 % OHF62 Photocurrent I P = f (E v ), V R = 5 V Open-Circuit Voltage V O = f (E v ) 3 OHF µa mv Ι P V O Total Power Dissipation P tot = f (T A ) 16 mw P tot 14 OHF V O Ι P nm 12 λ Dark Current I R = f (V R ), E = Ι R 8 pa OHF lx 1 4 Ee Capacitance C = f (V R ), f = 1 MHz, E = C 1 pf OHF165 Dark Current I R = f (T A ), V R = 1 V, E = Ι R 1 4 pa C 1 TA OHF V 1 V R Directional Characteristics S rel = f (ϕ) ϕ V 1 2 V R OHF C 1 TA

5 Maßzeichnung Package Outlines 5.4 (.213) Cathode marking 4.9 (.193) 4. (.157) 4.5 (.177) 3.7 (.146) 4.3 (.169).6 (.24).4 (.16) 1.2 (.47).7 (.28).8 (.31).6 (.24) Chip position.6 (.24).4 (.16) 2.2 (.87) 1.9 (.75).6 (.24).4 (.16).5 (.2).3 (.12) 1.8 (.71) 1.4 (.55).8 (.31).6 (.24).6 (.24).4 (.16).35 (.14).2 (.8) (.2) spacing Photosensitive area 2.65 (.14) x 2.65 (.14) 3.5 (.138) 3. (.118) GEOY6643 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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