NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103-4
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- Theresa Kohler
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1 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm Hohe Linearität TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Anwendungen Computer-Blitzlichtgeräte Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Features Especially suitable for applications from 420 nm to 1130 nm High linearity TO-18, base plate, transparent epoxy resin lens, with base connection Applications Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BP 103 BP BP 103-3/4 BP Bestellnummer Ordering Code Q62702-P75 Q62702-P79-S2 Q62702-P3577 Q62702-P79-S OPTO SEMICONDUCTORS
2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 5 s Dip soldering temperature, 2 mm distance from case bottom t 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t 3 s Iron soldering temperature, 2 mm distance from case bottom t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, T A = 25 C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Wert Value T op ; T stg C T S 260 C T S 300 C V CE 50 V I C 100 ma I CS 200 ma V EB 7 V Einheit Unit P tot 150 mw R thja 500 K/W OPTO SEMICONDUCTORS
3 Kennwerte (T A = 25 C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von S max Spectral range of sensitivity S = 10% of S max Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessungen der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode E e = 0.5 mw/cm 2, V CB = 5 V E v = 1000 Ix, Normlicht/standard light a V CB = 5 V Kapazität Capacitance V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 V EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current V CE = 35 V, E = 0 Wert Value λ S max 850 nm λ nm Einheit Unit A 0.12 mm 2 L B mm mm L W H mm ϕ ± 55 Grad deg. I PCB 0.9 I PCB 2.7 µa µa C CE C CB C EB pf pf pf I CEO 5 ( 100) na OPTO SEMICONDUCTORS
4 Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Parameter Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E v = 1000 lx Normlicht/standard light A V CE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Kollektor-Emitter- Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage I C = I PCEmin 1) 0.3 E e = 0.5 mw/cm 2 Stromverstärkung Current gain E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE I PCE Wert Value t r, t f µs Einheit Unit µa ma V CEsat mv I PCE I PCB 1) I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 1) I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group OPTO SEMICONDUCTORS
5 Relative Spectral Sensitivity S rel = f (λ) Photocurrent I PCE = f (E e ), V CE = 5 V Total Power Dissipation P tot = f (T A ) Output Characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Output Characteristics I C = f (V CE ), I B = Parameter Dark Current I CEO = f (V CE ), E = 0 Photocurrent I PCE /I PCE25 = f (T A ), V CE = 5 V Dark Current I CEO /I CEO25 = f (T A ), V CE = 25 V, E = 0 Collector-Emitter Capacitance C CE = f (V CE ), f = 1 MHz, E = OPTO SEMICONDUCTORS
6 Collector-Emitter Capacitance C CB = f (V CB ), f = 1 MHz, E = 0 Emitter-Base Capacitance C EB = f (V EB ), f = 1 MHz, E = 0 Directional Characteristics S rel = f (ϕ) OPTO SEMICONDUCTORS
7 Maßzeichnung Package Outlines ø0.45 Chip position (2.7) Radiant sensitive area ø4.3 ø ø5.5 ø5.2 E C B 2.54mm spacing GET06017 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified OPTO SEMICONDUCTORS
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
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