SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches

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1 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den Nahbereich (bis 5 mm Abstand) IR-GaAs-Lumineszenzdiode Si-NPN-Fototransistor Flaches Kunststoffgehäuse Tageslichtsperrfilter Hoher Kollektor-Emitter-Strom Geringe Sättigungsspannung Kein Übersprechen Anwendungen Positionsmelder Endabschalter Drehzahlüberwachung Bewegungssensor Features Designed for short distances up to 5 mm GaAs infrared emitter Silicon NPN phototransistor detector Flat plastic package Daylight filter against undesired light effects High collector-emitter current o Low saturation voltage No cross talk Applications Position reporting Devices and end position switches Speed monitoring arious types of motion transmitters SFH 900 feo06270 Semiconductor Group

2 Typ Type SFH 900 SFH ) SFH SFH SFH ) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. Grenzwerte (T A = 40 o C) Maximum Ratings Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1187 Q62702-P935 Q62703-P141 Q62703-P1088 Q62703-P1087 Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Sperrspannung Reverse voltage orwärtsgleichstrom Forward current orwärtsstoβstrom, t p 10 µs Surge current erlustleistung Power dissipation Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Kollektor-Sperrspannung Emitter-collector voltage Kollektorstrom Collector current erlustleistung Total power dissipation R 6 I F 50 I FSM 1.5 A P tot 80 mw CEO 30 ECO 7 I C 10 P tot 100 mw Semiconductor Group 626

3 Reflexlichtschranke Light reflection switch Lagertemperatur Storage temperature range Umgebungstemperatur Ambient temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Löttemperatur (Lötstelle 3 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature (Dip soldering time t 3 s at 3 mm from package) mit Wärmeabführung vom Gehäuse with heat sink between case and soldering erlustleistung Total power dissipation Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Durchlaβspannung Forward voltage I F = 50 Durchbruchspannung Breakdown voltage I R = 10 µa Sperrstrom Reverse current R = 6 Kapazität Capacitance R = 0, f = 1 MHz Wärmewiderstand Thermal resistance T stg o C T A o C T j 100 o C T S T S o C o C P tot 150 mw F 1.25 ( 1.65) BR 6 I R 0.01 ( 10) µa C O 40 pf R thja 750 K/W Semiconductor Group 627

4 Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kapazität Capacitance CE = 5, f = 1 MHz Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emitter leakage current CE = 10 Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit) Photocurrent (outside light density) CE = 5, E = 1000 Lx Wärmewiderstand Thermal resistance Reflexlichtschranke Light Reflection Switch Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; CE = 5 ; d = 1 mm SFH 900 SFH ) SFH SFH SFH ) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; d = 1 mm; SFH 900, I C = 85 µa SFH ), I C = 85 µa SFH 900-2, I C = 135 µa SFH 900-3, I C = 215 µa SFH ), I C = 335 µa 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. C CE 11 pf O 20 ( 200) na I P 3.5 R thja 600 mw CE sat CE sat CE sat CE sat CE sat > Semiconductor Group 628

5 Schaltzeiten (T A = 25 o C, CC = 5, I C = 1 1), R L = 1 kω) Switching Times Einschaltzeit Turn-on time Anstiegzeit Rise time Ausschaltzeit Turn-off time Abfallzeit Fall time 1) 1) t ein 65 µs t r 50 µs t aus 55 µs t f 50 µs I C eingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom Bauteil (d) I C as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between reflector and component (d) Output characteristics (typ.) I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Transistor capacitance (typ.) C CE = f ( CE ), T A = 25 o C, f = 1 MHz Semiconductor Group 629

6 IC Collector current = f ( d ) Forward voltage (typ.) of the diode I Cmax F = f (I F ) Permissible power dissipation for diode and transistor P tot = f (T A ) Relative spectral emission of emitter (GaAs) and detector (Si) Emitter: I rel = f (λ), Detector: S rel = f (λ) Permissible pulse handling capability I F = f (t p ), D = parameter, T A = 25 o C Collector current, spacing d to reflector = 1 mm, 90% reflection Max. permissible forward current I F = f (T A ) Switching characteristics t = f (R L ), T A = 25 o C, I F = 10 Output characteristics, I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Semiconductor Group 630

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