Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505
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- Björn Maurer
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1 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 950nm Engwinkliger SMT-Sidelooker IR Reflow Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 3 nach JEDEC Standard J-STD-020A Features High Power GaAs-LED (40mW) High Efficiency at low currents Typical peak wavelength 950nm Narrow angle SMT-Sidelooker Suitable for IR reflow soldering Moisture Sensitivity Level 3 according to JEDEC Standard J-STD-020A Anwendungen Bauteil mit hoher Strahlstärke zur Oberflächenmontage (SMT) Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung IR-Scheinwerfer für Kameras Applications Device with high radiant intensity suitable for surface mounting (SMT) High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission Alarm and safety equipment IR free air transmission IR spotlight for cameras Typ Type Bestellnummer Ordering Code Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100mA, t p = 20 ms) Radiant intensity grouping 1) I e (mw/sr) SFH 4500 Q62702-P (>25) SFH 4505 Q62702-P (>25) 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t p = 10 µs, D = 0 Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm T op ; T stg C V R 3 V I F (DC) 100 ma I FSM 2.2 A P tot 180 mw R thja 375 K/W
3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission Spektrale Bandbreite bei 50% von I max Spectral bandwidth at 50% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von 10% auf 90% und von 90% auf 10% Switching times, I e from 10% to 90% and from 90% to 10% I F = 100 ma, t P = 20 ms, R L = 50 Ω Kapazität Capacitance V R = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage I F = 1 A, t p = 100 µs Sperrstrom Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e Temperature coefficient of I e or Φ e I F = 100 ma λ peak 950 nm λ 40 nm ϕ ± 10 Grad deg. A 0.09 mm 2 L B L W mm t r, t f 10 ns C o 35 pf V F V F 1.5 ( 1.8) 3.2 ( 4.3) V V I R 0.01 ( 10) µa Φ e 40 mw TC I 0.44 %/K
4 Kennwerte (T A = 25 C) (cont d) Characteristics Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of V F I F = 100 ma Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ I F = 100 ma TC V 1.5 mv/k TC λ nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Strahlstärke Radiant intensity Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 100 µs I e min 25 I e typ 85 mw/sr mw/sr I e typ 550 mw/sr Lötbedingungen Soldering Conditions Lötzonentemperatur Temperature of Soldering Zone Reflowlötung Reflow Soldering Maximale Durchlaufzeit Max. Transit Time Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron Soldering (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Temperature of the Soldering Iron Maximale zulässige Lötzeit Max. Permissible Soldering Time Abstand Lötstelle Gehäuse Distance between Solder Joint and Case 245 C 10 s 300 C 3 s 1.5 mm
5 Relative Spectral Emission I erel = f (λ) Ι erel OHF00777 Radiant Intensity Ι e /Ι e (100 ma) = f (I F ) Single pulse, t p = 20 µs 10 2 Ι e Ι e (100 ma) OHF00809 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) 125 I ma F 100 OHF nm 1100 λ Forward Current I F = f (V F ) single pulse, t p = 20 µs Radiation Characteristic I erel = f (ϕ) ma 10 4 Ι F C 100 T 10 4 ma Ι F OHF OHF01019 ϕ V 4.5 V F Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 1 10 A I F 5 t D = T P t P T OHF00041 I F D = s 10 2 t p
6 Maßzeichnungen Package Outlines SFH (0.295) 5.5 (0.217) 2.8 (0.110) 2.4 (0.094) Chip position 2.05 (0.081) R 1.95 (0.077) 2.7 (0.106) 2.4 (0.094) ((3.2) (0.126)) ((R2.8 (0.110)) 3.7 (0.146) 3.3 (0.130) 2.54 (0.100) spacing 14.7 (0.579) 13.1 (0.516) Cathode ( ) 7.7 (0.303) 7.1 (0.280) 4.8 (0.189) 4.4 (0.173) ((3.2) (0.126)) 6.0 (0.236) 5.4 (0.213) GEOY6960 SFH 4505 Chip position 8.0 (0.315) ((3.2) (0.126)) 2.05 (0.081) 7.4 (0.291) R 1.95 (0.077) ((R2.8 (0.110)) 2.7 (0.106) 2.4 (0.094) 2.54 (0.100) spacing 15.5 (0.610) 14.7 (0.579) Cathode 7.7 (0.303) 7.1 (0.280) 4.8 (0.189) 4.4 (0.173) ( ) ((3.2) (0.126)) 6.0 (0.236) 5.4 (0.213) GEOY6961 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)
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GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) 2.54 mm spacing Area not flat.7.8.2 29 27 Cathode (SFH 9) Anode () Approx. weight.3 g 5.2 4.5 6.3 5.9 4. 3.9 ø3. ø2.9 (3.5) Chip position
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit Hermetisch dichte Metallbauform
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei
MehrGaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse,
MehrSilizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4203
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute
MehrNPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrIR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH
IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit
MehrBPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -
Mehrmm spacing GEO Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
Gas-IR-Lumineszenzdiode Gas Infrared Emitter 2.4 2. Chip position 2.7 2.5 3.6 3.2.5.7.9.7... 5 Radiant sensitive area ( x ).4 Collector (BPX 8) Cathode () 2..5 2.54 mm spacing ) Detaching area for tools,
MehrSilizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F
Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm () und bei 920 nm () Hohe Fotoempfindlichkeit DIL-Plastikbauform
MehrSFH 203 P, SFH 203 PFA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute
MehrGaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 487 P Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrFeatures Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1.1 mm High optical total power
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 48 Wesentliche Merkmale Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x.6mm x.
MehrGPL Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
SM Multi OPLED SFH 722 orläufige Daten / Preliminary Data 3. 2.6 2.3 2..8.6 2 3 2..7.9.7 C C. typ 3.4 3. E (2.4) 3.7 3.3 Package marking 4..5.8.2.6.4 GPL6965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions
MehrSchmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441
Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang
MehrNPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package SFH 325 SFH 325 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package FA FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 38 nm bis 115 nm () und
MehrSchmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrCHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4053
CHIPLED (80 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (80 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 403 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Sehr
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