GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

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1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 39, SFH 49 Anwendungen IIR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunkund Videogeräten, Lichtdimmern Lichtschranken bis 5 khz Münzzähler Sensorik Diskrete Optokoppler Features Very highly efficient GaAlAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 39, SFH 49 Applications IR remote control for hifi and TV sets, video tape recorder, dimmers Light-reflection switches (max. 5 khz) coin counters Sensor technology Discrete optocouplers Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 487 Q6273-Q95 3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes Epoxy- SFH Q6273-Q2174 Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( 1 / ), Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ SFH Q6273-Q mm LED package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / ), anode marking: short lead

2 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, τ µs Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm T op ; T stg 4 + C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma Spektrale Bandbreite bei 5% von I max, I F = ma Spectral bandwidth at 5% of I max Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top λ peak 88 nm λ 8 nm ϕ ± 2 Grad deg. A.9 mm 2 L B.3.3 mm L W H 2.6 mm

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ peak, I F = ma Temperature coefficient of λ peak, I F = ma t r, t f.6/.5 µs C o 15 pf V F 1.5 (< 1.8) V 3. (< 3.8) I R.1 ( 1) µa Φ e 25 mw TC I.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ.25 nm/k

4 Gruppierung der Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Grouping of Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr SFH 487 SFH SFH Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I e > 12.5 > mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = µs I e typ mw/sr

5 Relative Spectral Emission Ι rel = f (λ) OHR877 % Ι rel 8 Radiant Intensity Ι e ma = f (I F) Single pulse, t p = 2 µs 2 Ι e Ι e (ma) 1 Ι e OHR878 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ) Ι F 125 ma OHR nm λ ma C T Forward Current, I F = f (V F ) Single pulse, t p = 2 µs 1 A -1 OHR881 Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 4 ma D = OHR886 Forward Current vs. Lead Length between the Package Bottom and the PC-Board I F = f (I), T A = 25 C 12 ma 8 6 OHR V 8 V F Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) ϕ DC t p D = T t p T s 2 t p OHR mm

6 Maßzeichnung Package Outlines.6 (.24).4 (.16) 2.54 (.) spacing 1.8 (.71) 1.2 (.47).7 (.28) 5.2 (.25) 4.5 (.177) Area not flat.4 (.16).8 (.31).4 (.16) 4.1 (.161) 3.9 (.154) ø3.1 (.122) ø2.9 (.114) (3.5 (.138)) 29 (1.142) 6.3 (.248) 27 (1.63) 5.9 (.232) Chip position Cathode (SFH 49, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 431) 4. (.157) 3.6 (.142).4 (.16) GEXY625 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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