OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.1 SFH 4750
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- Guido Richter
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1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive Chipfläche 2.1 x 3.2 mm 2 max. DC-current 1 A Low thermal resistance (3 K/W) ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS max. Gleichstrom 1 A niedriger Wärmewiderstand (3 K/W) ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS Applications Infrared Illumination for cameras Surveillance systems IR data transmission Intelligent transportation systems Machine vision systems Not released for automotive applications Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras Überwachungssysteme IR Datenübertragung Verkehrsüberwachungssysteme Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Nicht für Anwendungen im Automobilbereich Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden
2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F =1 A, t p =2 ms I e [mw/sr] SFH 47 ( 63) Q61A828 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T B = 2 C (Base plate temperature)) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature Sperrschichttemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Vorwärtsgleichstrom Surge current Stoßstrom (t p µs, D = ) Power consumption Leistungsaufnahme Thermal power-dissipation Thermische Verlustleistung Thermal resistance junction - base plate Wärmewiderstand Sperrschicht - Bodenplatte ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) T op ; T stg C T j 14 C V R. V I F ma I FSM A P tot 12 W P th 9.8 W R thjb 3 K / W V ESD 2 kv
3 Characteristics (T B = 2 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) Centroid wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) Spectral bandwidth at % of I max Spektrale Bandbreite bei % von I max (I F = 1 A, t p = ms) Half angle Halbwinkel 1) page 9 λ peak 86 nm λ centroid 8 nm λ 3 nm ϕ ± 7 Dimensions of active chip area L x W 2.1 x 3.2 mm x Abmessungen der aktiven Chipfläche 1) Seite 9 mm Rise and fall time of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 1 A, R L = Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = µs) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F =1 A, t p =2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) t r, t f ns V F 9. ( 12) V Φ e 3. mw TC I -.3 % / K TC V -6. mv / K TC λ.3 nm / K
4 Grouping (T B = 2 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke I F =1 A, t p =2 ms I e, min [mw / sr] SFH 47 -EA 63 SFH 47 -EB 8 12 I F =1 A, t p =2 ms I e, max [mw / sr] Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 1.6:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1). Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T B = 2 C I rel % 8 6 OHF4132 Relative Total Radiant Flux Relativer Gesamtstrahlungsfluss Φ e /Φ e (1A) = f (I F ), T B = 2 C, single pulse, t p = µs Φ (1 A) Φ e e 1 OHF nm λ A I F
5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f (T B ), R thjb = 3 K/W I F 1.2 A 1. OHF4168 Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T B = 2 C I F 1 A OHF C 12 T B V 1 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T B = 8 C, duty cycle D = parameter I F. A 4. t P t P D = T T OHF4167 I F D = t p 1 2 s
6 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 2 C OHF418 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
7 Contacting Anschlusskontaktierung Wire Type Diameter Solder Tip Temperature Solder Time Drahttyp Durchmesser Lötspitze Temperatur Lötzeit AWG 18 AWG 18 AWG 2 AWG 2 AWG 22 AWG 22 ~.8mm (Litze; ~.8mm (Litze; ~.mm (Litze; ~.mm (Litze; ~.3mm (Litze; ~.3mm (Litze; 2 C 16 s 3 C 6 s 2 C 14 s 3 C s 2 C 9 s 3 C 3 s Package Gehäuse OSRAM OSTAR Lighting OSRAM OSTAR Lighting
8 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
9 Glossary 1) Dimensions of active chip area: The active chip area consists of single chips with 1 x 1 mm 2 each. Glossar 1) Abmessungen der aktiven Chipfläche: Die aktive Chipfläche besteht aus einzelnen Chips mit je 1 x 1 mm
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