ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)
|
|
- Harald Albrecht
- vor 8 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal resistance (Max. 9 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 9 K/W) Centroid wavelength 85 nm Schwerpunktwellenlänge 85 nm ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC JS ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt Maßzeichnung) The product qualification test plan is based on the guidelines of AEC-Q1-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. Die Produktqualifikation wurde basierend auf der Richtlinie AEC-Q1-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors, durchgeführt. Package: SMT package Gehäuse: SMT-Bauform Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras Surveillance systems Überwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden
2 Ordering Information Bestellinformation Type: Total Radiant Flux Ordering Code Typ: Gesamtstrahlungsfluss Bestellnummer I F = 1A, t p = ms Φ e [mw] SFH 4235 >63 (typ. 95) Q651A89 Note: Anm.: Measured with integrating sphere. Gemessen mit Ulbrichtkugel. Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T j 145 C Sperrschichttemperatur Reverse voltage V R 1 V Sperrspannung Forward current I F ma Durchlassstrom Surge current I FSM 5 A Stoßstrom (t p 2 μs, D = ) Power consumption Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) P tot 34 mw R thjs 9 K / W V ESD 2 kv
3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) λ peak 86 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 1 A, t p = ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 A, t p = ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall times of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 5 A, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = µs) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 5 A, t p = μs) Radiant intensity Strahlstärke (I F = 1 A, t p = µs) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = ms) λ centroid 85 nm Δλ 3 nm ϕ ± 6 L x W 1 x 1 mm x mm t r / t f 7 / 14 ns V F 3 ( 3.4) V V F 3.5 ( 4.5) V I e, typ 32 mw/sr TC I -.3 % / K TC V -2 mv / K TC λ, centroid.3 nm / K
4 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Total Radiant Flux Max Total Radiant Flux Gruppe Min Gesamtstrahlungsfluss Max Gesamtstrahlungsfluss I F = 1A, t p = ms I F = 1A, t p = ms Φ e min [mw] Φ e max [mw] SFH EA 63 SFH EB Note: Anm: Measured with integrating sphere. Only one group in one package unit ( variation lower 1.6:1) Gemessen mit einer Ulbrichtkugel. Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1). 1) page 12 Relative Spectral Emission 1) Seite 12 Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel % 8 6 OHF4132 1) page 12 Relative Total Radiant Flux 1) Seite 12 Relativer Gesamtstrahlungsfluss Φ e / Φ e (ma) = f(i F ), T A = 25 C, Single pulse, t p = μs Φ Φ 1 e e (1 A) 5 OHF nm λ A 1 I F
5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f(t S ), R thjs = 9 K/W 1.1 A I F OHF419 1) page 12 Forward Current 1) Seite 12 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C 1 A I F OHF C V 4 T S V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T S = 85 C, duty cycle D = parameter 5.5 A I F t P D t P = T T OHF4189 D = I F s t p
6 1) page 12 Radiation Characteristics 1) Seite 12 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHL166 ϕ
7 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Cathode mark on the bottom side / Kathodenmarkierung auf der Bauteilunterseite Note: Corrosion robustness better than EN (method 4): with enhanced corrosion test: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Anm.: Korrosionsfestigkeit besser als EN (Methode 4): mit erweitertem Korrosionstest: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Type: SFH 4235 Typ: SFH 4235 Package Gehäuse Platinum Dragon, approx. weight:.2 g Platinum Dragon, Gewicht:.2 g
8 Method of Taping Gurtung Cathode/Collector Side 4 (.157) 1.55 (.61) 2 (.79) 1.75 (.69) 11.5 (.453) 12.4 (.488) 24 (.945).3 (.12).3 (.12) 7.35 (.289) 6.35 (.25) 8 (.315) 1.9 (.75) OHAY58 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Note: Anm.: Packing unit 8/reel, ø18 mm Verpackungseinheit 8/Rolle, ø18 mm
9 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign.3 (.12) 12. (.472) 11.6 (.457) 2.3 (.91) (.394) 11.6 (.457) 1.6 (.63) 2.3 (.91) ø2.5 (.98) ø4. (.157) 1.6 (.63) Kupfer Copper ø4. (.157) Heatsink attach 3 Lötstellen 3 solder points Thermisch optimiertes PCB Thermal enhanced PCB Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Attention Achtung Lötstopplack Solder resist Lötpasten Schablone Solder paste stencil Bare Copper Freies Kupfer OHAY681 Anode and Heatsink are electrically connected Anode und Heatsink sind elektrisch verbunden
10 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S 5 25 C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s
11 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
12 Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert
13 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
MehrOSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750
21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrSilicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711
214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A
2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency
MehrHoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit
27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow
MehrESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Narrow half angle (+/- 12 ) Enger Abstrahlwinkel (+/- 12 )
2014-03-10 Narrow beam LED in Dragon Dome package (850nm) Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4783 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Chipgröße
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4235
215-4-21 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.3 SFH 4235 Features: IR lightsource with high efficiency Double Stack emitter Low thermal resistance
MehrGaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269
215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting
MehrMulti-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm
! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.
MehrHigh optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.
212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4231
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4231 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Chipgröße
MehrOSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S
OSLON Black Series (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change without notice. Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
212-12-3 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043
212-12-18 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (94 nm) CHIPLED (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 443 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10
214-11-1 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
21-12-1 OSRAM OSTAR Observation (8nm) Version 1. SFH 474 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I F =1A 4.3
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487
29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
214-1-9 OSLON Black Series (85 nm) Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit
213-9-2 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4253 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341
214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4341 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254
2013-04-29 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
Mehr650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data
65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056
212-1-11 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 456 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 560 nm, E e. = 10 μw/cm 2, V CE
27-11-14 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ -Charakteristik Version 1. SFH 371 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 35... 95
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052
213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package
MehrSFH Sensor technology Sensorik Discrete interrupters Diskrete Lichtschranken Discrete optocouplers Diskrete Optokoppler
2x-5-21 High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1. / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4543 Features: Besondere Merkmale:
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053
212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.1 SFH 4853
215-5-8 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1.1 SFH 4853 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4851 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
212-11-26 OSLON Black Series (94 nm) Draft Version α. Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356
215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match
MehrInfrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883
214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically
MehrCHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053
215-9-4 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4056
214--28 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 456 Features: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 mm High optical total power
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4240
213-12-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 424 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher
MehrHigh Precision Ambient Light Photodiode Hochgenaue Umgebungslicht-Fotodiode Version 1.1 SFH 2270R
213-7-3 High Precision Ambient Light Photodiode Hochgenaue Umgebungslicht-Fotodiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Nearly perfect match with Human Eye Sensitivity Nahezu perfekt an die die Augenempfindlichkeit
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550
214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrOSLON Compact (850nm) OSLON Compact (850nm) Version 1.2 SFH 4710
214-1-24 OSLON Compact (85nm) OSLON Compact (85nm) Version 1.2 SFH 471 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Centroid wavelength 85 nm Schwerpunktwellenlänge
MehrOSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.0 SFH 4713A
215-1-2 OSLON Black Series (85 nm) - 9 Version 1. Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Low thermal resistance (Max. 18 K/W) Niedriger
MehrHigh Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.
213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
213-11-2 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 77... 19 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4247 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (940nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (94nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrHigh Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701
28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis
MehrOSLON Compact (850nm) OSLON Compact (850nm) Version 1.2 SFH 4710
214-1-24 OSLON Compact (85nm) OSLON Compact (85nm) Version 1.2 SFH 471 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Centroid wavelength 85 nm Schwerpunktwellenlänge
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit
214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4244 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845
215-1-8 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356
215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P
214-12-4 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. Features: Wavelength 85nm Short switching times Available on tape and reel (in Ammopack) Good spectral match to silicon photodetectors
MehrOSLON Black Series (850 nm) Draft Version α.6 SFH 4715A. DRAFT For Reference only. Subject to change without notice.
2014-08-06 OSLON Black Series (850 nm) Draft Version α.6 Features: IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 850 nm ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC
MehrCHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4053
CHIPLED (80 nm) mit hoher Ausgangsleistung CHIPLED with High Power Infrared Emitter (80 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 403 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Sehr
MehrInfrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) im SMR Gehäuse Version 1.0 SFH 4558
214-12-6 Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) im SMR Gehäuse Version 1. SFH 4558 Features: Wavelength 85nm SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH
MehrTypical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten
2014-05-20 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle
Mehr