High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

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1 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung Typical Peakwavelength 860 nm Typische Peakwellenlänge 860 nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Moisture Sensitivity Level 2 according to JEDEDC Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEDC Standard J-STD-020D.01 Standard J-STD-020D.01 Applications Anwendungen Data transmission Datenübertragung Gesture recognition systems Beleuchtung für Gestenerkennungssysteme Sensor technology Sensorik Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC ATTENTION -Observe Precautions For Handling -Electrostatic Sensitive Device Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden. ATTENTION -Observe Precautions For Handling -Electrostatic Sensitive Device

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 70 ma, t p = 20 ms I e [mw/sr] SFH ( 6.3) Q65110A6462 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Forward current I F 70 ma Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 10 μs, D = 0) I FSM 1 A Total power dissipation Verlustleistung 1) page 12 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 P tot 125 mw R thja 530 K / W Thermal resistance junction - soldering point 2) page 12 2) Seite 12 Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle R thjs 300 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 70 ma, t p = 20 ms) λ peak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of I max Spektrale Bandbreite bei 50% von I max (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Half angle Halbwinkel Active chip area Aktive Chipfläche Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 10% and 90% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 10% und 90% von I e max ) (I F = 70 ma, R L = 50 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 100 μs) Reverse current Sperrstrom Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 70 ma, t p = 20 ms) λ centroid 850 nm Δλ 30 nm ϕ ± 60 A 0.09 mm 2 L x W 0.3 x 0.3 mm x mm t r, t f 12 ns V F 1.45 ( 1.75) V V F 2.4 ( 3) V I R not designed for reverse operation µa Φ e 40 mw

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 70 ma, t p = 20 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung TC I -0.5 % / K TC V -0.7 mv / K TC λ 0.3 nm / K Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 70 ma, t p = 20 ms I F = 70 ma, t p = 20 ms I F = 1 A, t p = 25 µs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] SFH 4254-Q SFH 4254-R Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)

5 Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 100 % 80 OHF04135 Radiant Intensity Strahlstärke I e / I e (70 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C 1 10 Ι e Ι (70 ma) e 10 0 OHF Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ), R thja = 530 K / W 80 ma I F nm 950 λ OHF ma I F Forward Current Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 100 µs, T A = 25 C I F 10 0 A OHL C 100 TA V3 V F

6 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter 1.0 I A F 0.8 t D = T P OHF03536 t P I F T D = s10 2 t p Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHL01660 ϕ

7 Package Outline Maßzeichnung 0.25 (0.010) ( ) 3.1 (0.122) 2.9 (0.114) Anode 1.2 (0.047) 1.0 (0.039) 0.5 (0.020) 0.3 (0.012) 0.7 (0.028) 0.5 (0.020) typ. 0.3 (0.012) Chipcenter 0.20 (0.008) (0.4 (0.016)) 2.3 (0.091) 2.1 (0.083) (15 ) (0.6 (0.024)) 1.3 (0.051) 1.1 (0.043) C A GPLY7025 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse Micro SIDELED Micro SIDELED

8 Method of Taping Gurtung Note: Anm.: Packing unit 3000/reel, ø180 mm Verpackungseinheit 3000/Rolle, ø180 mm

9 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign

10 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D C T C 217 C t P t L OHA04525 T p 245 C 150 t S C s 300 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 150 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 100 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 60 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA04612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s

11 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

12 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 5 mm 2 each 2) Thermal resistance: junction -soldering point, mounted on metal block Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 5 mm 2 2) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Lötstelle, bei Montage auf Metall-Block

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