Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10"

Transkript

1 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4554 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 86nm Wellenlänge 86nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching times Kurze Schaltzeiten Applications Infrared Illumination for cameras Sensor technology Data transmission Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras Sensorik Datenübertragung Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 1 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] SFH ( 25) Q65111A4885 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 2 µs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) 1) page 11 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 11 T op ; T stg C V R 5 V I F 1 ma I FSM 1 A P tot 2 mw V ESD 2 kv R thja 43 K / W Thermal resistance junction - soldering point Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle R thjs 24 K / W

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 1 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1A, t p = 1 µs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 1 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm (typ) λ centroid 85 nm (typ) λ 3 nm (typ) ϕ ± 1 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.7 ( 2) V (typ (max)) V F 3.6 ( 4.6) V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 75 mw

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung (typ) TC I -.3 % / K (typ) TC V -.6 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = 1 µs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] SFH 4554-CW SFH 4554-DW SFH 4554-EW Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)

5 2) page 11 Relative Spectral Emission 2) Seite 11 Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 OHF4132 2) page 11 Radiant Intensity 2) Seite 11 Strahlstärke I e / I e (1 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C 1 1 Ι e Ι (1 ma) e OHF nm λ ma 3 1 I F

6 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ), R thja = 43 K / W Ι F 125 ma OHR88 2) page 11 Forward Current 2) Seite 11 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C 3 1 ma I F OHF C 1 T Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = s 1 t p V 4 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 85 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = s 1 t p

7 2) page 11 Radiation Characteristics 2) Seite 11 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C OHF5644 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

8 Package Gehäuse 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy, black 5mm Radial (T 1 ¾), Harz, schwarz Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (.189) 4 (.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

9 TTW Soldering Wellenlöten (TTW) (acc. to IEC ) IEC TTW / IEC TTW 3 C T C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave T < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s s 24 t

10 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

11 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert

12 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

13 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Osram Opto Semiconductor: SFH 4554

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750 2-12-1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 214-11-1 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 212-12-3 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 446 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341 214-1-15 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4341 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550 214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 31 SFH 31 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 45 nm... 11 nm (SFH 31), 74 nm... 11 nm (SFH 31

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 400, SFH 401 27-12-7 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4, SFH 41 SFH 4 SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Cathode is electrically connected to the case Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten 2014-05-20 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 73... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250 213-12-16 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 425 Features: Besondere Merkmale: High forward current allowed at high temperature Hohe

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4851 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.1 SFH 4853

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.1 SFH 4853 215-5-8 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1.1 SFH 4853 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 214-9-25 Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883 SFH 4813 Features: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81 215-1-16 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszensdiode (94 nm) Version 1. SFH 4941 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Same package dimensions

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.2 SFH 4544

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.2 SFH 4544 25-8-26 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version.2 SFH 4544 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow half angle ± Enger Halbwinkel ± Short switching times

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N 213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P 214-12-4 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. Features: Wavelength 85nm Short switching times Available on tape and reel (in Ammopack) Good spectral match to silicon photodetectors

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 215-9-1 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 4512 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm plastic package 5mm Kunststoffgehäuse

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845 215-1-8 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4845 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4841

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4841 215-8-26 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1.1 SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times DIN humidity caregory in acc.

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Version 1.0 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940

Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Version 1.0 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940 215-1-16 Infrared Emitter Arrays (94 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (94 nm) Version 1. SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 494 Features: Wavelength 95nm Leadframe arrays, available from

Mehr

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1. 212-3-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. / acc. to: OS-PCN-29-21-A2 SFH 458 Features: Besondere Merkmale: High optical power Sehr hohe

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4056

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4056 214--28 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 456 Features: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 mm High optical total power

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change without notice.

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH DRAFT For Reference only. Subject to change without notice. 2014-06-24 Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Draft Version α.0 SFH 4346 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Short switching times

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 21-12-1 OSRAM OSTAR Observation (8nm) Version 1. SFH 474 Features: Besondere Merkmale: White frame to achieve high optical power Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 4.3 W optical power at I F =1A 4.3

Mehr

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power

Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 473, 473 473 Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung 3 W optische Leistung Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 3.6 W optische Leistung Wesentliche

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A 214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN-211-3-A2 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.2 SFH 4650 214-1-31 Narrow beam LED in MIDLED package (85 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (85 nm) Version 1.2 SFH 465 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED (6 mw) Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 405

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 405 27-3-3 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. SFH 45 Features: Besondere Merkmale: Same package as SFH 35 Gehäusegleich mit SFH 35 Miniature package Miniatur-Gehäuse High reliability

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052 213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813

Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813 28-1-31 Infrared Emitter (95 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (95 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1. SFH 4811, SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (940 nm) CHIPLED (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4043 212-12-18 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (94 nm) CHIPLED (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 443 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 IRL 80 A

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 IRL 80 A 2013-08-01 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting diode GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich Clear plastic package with lateral

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH 27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 485 P 29-8-21 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit 213-9-2 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4253 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053 215-9-4 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm

Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 61 Features: Besondere Merkmale: Suitable up to 125 C Geeignet bis 125 C Especially suitable for applications from 4 nm to 1 nm Speziell

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053 212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH

Mehr

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 4860 214-1-16 GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (66 nm) Version 1.1 SFH 486 Features: Besondere Merkmale: Fabricated in a liquid phase epitaxy process Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability 215-8-25 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen

Mehr

SFH 203 P, SFH 203 PFA

SFH 203 P, SFH 203 PFA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 3 P SFH 3 PFA SFH 3 P SFH 3 PFA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0. 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 2013-04-29 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254 Features: Besondere Merkmale: Homogenous Radiation Pattern Homogene Abstrahlung

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400 215-8-31 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 4 Features: Cathode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package

Mehr