5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351

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Samuel Albert
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1 5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher Betriebszustände durch Farbwechsel grün über gelb und orange bis rot möglich beide Farben getrennt ansteuerbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN VEX06720 Features colorless, partly diffused package 2.54 mm lead spacing high signal efficiency possible by color change of the LED indication of different operation modes is possible by color change from green to yellow, orange and super-red both colors can be controlled separately solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN Typ Type Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitI V max /I V min 2.0. Streuung der Lichtstärke in einer LEDI V max /I V min 4.0 (LU 5351-GL), 2.0 (LU 5351-JM). Bei MULTILED bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe der LED. Luminous intensity ratio in one packaging uniti V max /I V min 2.0. Luminous intensity ratio in one LEDI V max /I V min 4.0 (LU 5351-GL), 2.0 (LU 5351-JM). In case of MULTILED, the brightness of the darker chip in one package unit determines the brightness group of the LED. Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) Bestellnummer Ordering Code LU 5351-GL super-red / green colorless clear, Q62703-Q2046 LU 5351-JM super-red / green diffused Q62703-Q2047 Semiconductor Group

2 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t 10 µs, D = Verlustleistung Power dissipation T A 25 C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Werte Values T op C T stg C T j C I F 40 ma I FM 0.5 A Einheit Unit P tot 140 mw R th JA 400 K/W Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung nicht die angegebenen Grenzen überschreiten. With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation may not exceed the specified limits. Semiconductor Group 2

3 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission Dominantwellenlänge Dominant wavelength Spektrale Bandbreite bei 50 %I rel max Spectral bandwidth at 50 %I rel max super-red Werte Values green λ peak nm λ dom nm λ nm Einheit Unit Abstrahlwinkel bei 50 %I V (Vollwinkel) 2ϕ Grad Viewing angle at 50 %I V deg. Durchlaßspannung Forward voltage Kapazität Capacitance V R = 0 V,f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: I V from 10 % to 90 % I V from 90 % to 10 % I F = 100 ma,t P = 10 µs,r L = 50 Ω (max.) V F 2.0 V F V V C pf t r 300 t f ns ns Semiconductor Group 3

4 Relative spektrale EmissionI rel =f(λ),t A = 25 C, Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve AbstrahlcharakteristikI rel =f(ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4

5 DurchlaßstromI F =f(v F ) Forward current T A = 25 C Relative LichtstärkeI V /I V(10 ma) =f(i F ) Relative luminous intensity T A = 25 C Zulässige ImpulsbelastbarkeitI F =f(t P ) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter,t A = 25 C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current I F =f(t A ) Semiconductor Group 5

6 Wellenlänge der Strahlung λ peak =f(t A ) Wavelength at peak emission Dominantwellenlänge λ dom =f(t A ) Dominant wavelength DurchlaßspannungV F =f(t A ) Forward voltage Relative LichtstärkeI V /I V(25 C) =f(t A ) Relative luminous intensity Semiconductor Group 6

7 Maßzeichnung Package Outlines (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GEX06717 Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: Mittlerer Lötspieß Middle solder lead Semiconductor Group 7

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