Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle"

Transkript

1 Infrared Emitter (85 nm) and green GaP-LED (57 nm) Infrarot Sender (85 nm) und grüne GaP-LED (57 nm) Version 1. SFH 7251 Features: Besondere Merkmale: SMT package with IR emitter (85 nm) and green SMT-Gehäuse mit IR-Sender (85 nm) und emitter (57 nm) grünem Sender (57 nm) Suitable for SMT assembly Geeignet für SMT-Bestückung Available on tape and reel Gegurtet lieferbar Emitter and detector can be controlled separately Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar Applications Anwendungen Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden. Ordering Information Bestellinformation Type: Package: Ordering Code Typ: Gehäuse: Bestellnummer SFH 7251 SMT Multi TOPLED Q65111A

2 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung Thermal resistance junction - ambient, mounted on 1) page 14 PC-board (FR4) Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei 1) Seite 14 Montage auf FR4 Platine R thja 7 K / W IRED Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p μs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient, mounted on 2) page 14 PC-board (FR4) Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei 2) Seite 14 Montage auf FR4 Platine Electrostatic discharge (HBM) Elektrostatische Entladung (HBM) I F (DC) 7 ma I FSM.7 A P tot 14 mw R thja 5 K / W ESD 2 kv LED Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p μs, D = ) I F (DC) 5 ma I FSM.1 A

3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient, mounted on 2) page 14 PC-board (FR4) Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei 2) Seite 14 Montage auf FR4 Platine Electrostatic discharge (HBM) Elektrostatische Entladung (HBM) P tot 135 mw R thja 5 K / W ESD 2 kv Note: The stated maximum ratings refer to one chip, unless otherwise specified. Anm: Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip, wenn nicht anders angegeben. Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit IRED Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 7 ma) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 7 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 7 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm (typ) Δλ 3 nm (typ) ϕ ± 6 (typ) L x W.2 x.2 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.6 ( 2) V

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Forward voltage Durchlassspannung (I F = 5 ma, t p = μs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Radiant intensity in axial direction Strahlstärke in Achsrichtung (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 7 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 7 ma, t p = 2 ms) (typ (max)) V F 2.4 ( 3) V I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 4 mw (min) I e, min 6.3 mw / sr (typ) TC I -.5 % / K (typ) TC V -.7 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K LED Peak emission wavelength Max. der spektralen Emission (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Dominant wavelength Dominantwellenlänge (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche (typ) λ peak 572 nm (typ) λ dom 57 nm (typ) Δλ 18 nm (typ) ϕ ± 6 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm

5 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Rise and fall times of I e ( % and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( % und 9% von I e max ) (I F = 7 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Reverse current Sperrstrom (V R = 12 V) Luminous intensity Lichtstärke (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of λ peak Temperaturkoeffizient von λ peak (I F = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of λ dom Temperaturkoeffizient von λ dom (I F = 2 ma, t p = 2 ms) (typ) t r / t f 4 ns (typ (max)) V F 2.1 ( 2.5) V (typ (max)) I R.2 ( ) µa (min) I V > 63 mcd (typ) TC I -1.2 % / K (typ) TC V -1.3 mv / K (typ) TC λ peak.3 nm / K (typ) TC λ dom.11 nm / K

6 Diagrams Diagramme 3) page 14 Relative Spectral Emission 3) Seite 14 Relative spektrale Emission (typ) I rel = f(λ), T A = 25 C I rel % OHF4132 IRED IRED 3) page 14 Forward Current 3) Seite 14 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C I F A OHF nm λ V3 V F

7 3) page 14 Radiant Intensity 3) Seite 14 Strahlstärke I e / I e (7 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 25 µs, T A = 25 C 1 e e (7 ma) I I OHF446 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter.7 A I F t D = T P t P T D = OHF3733 I F ma 3-5 I F Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) 8 ma I F 7 OHF s t p C 12 TA

8 Diagrams Diagramme 3) page 14 Forward Current 3) Seite 14 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = µs, T A = 25 C LED LED 3) page 14 Relative Luminous Intensity 3) Seite 14 Relative Lichtstärke I v / I v (2 ma) = f(i F ), T A = 25 C

9 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ) 6 ma I F OHF s t p C T A 3) page 14 Relative Spectral Emission - V(λ) = Standard eye response curve Relative spektrale Emission - V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit I rel = f (λ); T A = 25 C; I F = 2 ma 3) Seite 14 OHL98 I rel % 8 V λ 6 4 green nm λ

10 3) page 14 IRED Radiation Characteristics / LED Directional Characteristics 3) Seite 14 IRED Abstrahlcharakteristik / LED Winkeldiagramm I rel = f(ϕ) / S rel = f(ϕ) OHL166 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

11 Pinning Anschlussbelegung Pin Description Anschluss Beschreibung 1 Cathode / Kathode (85 nm) 2 Anode / Anode (85 nm) 3 Cathode / Kathode (57 nm) 4 Anode / Anode (57 nm) Package Gehäuse SMT Multi TOPLED, white, clear resin SMT Multi TOPLED, weiß, klarer Verguss Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign

12 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S 5 25 C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s

13 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

14 Glossary Glossar 1) both chips on 1) beide Chips betrieben 2) only one chip on 2) nur ein Chip betrieben 3) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert

15 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved

Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251

Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251 215-9-11 Infrared Emitter (85 nm) and green GaP-LED (57 nm) Infrarot Sender (85 nm) und grüne GaP-LED (57 nm) Version 1.1 SFH 7251 Features: SMT package with IR emitter (85 nm) and green emitter (57 nm)

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4545 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056 212-1-11 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 456 Features: Besondere Merkmale: Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1 Sehr

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052 213-11-29 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 452 Features: Besondere Merkmale: High optical power Hohe Gesamtleistung Small package

Mehr

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053 212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr

Mehr

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1. 213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550 214-2-5 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 455 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten 214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH 27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356 215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match

Mehr

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274 211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln.

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln. 2013-07-03 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2400 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 380 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Mehr

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209 Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED Version 1.1 SFH 331-JK. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED Version 1.1 SFH 331-JK. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 214-1-17 SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED Version 1.1 SFH 331 Features: SMT package with red emitter (635 nm) and Si-phototransistor Suitable for SMT assembly Available on tape and reel Emitter and detector

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701 28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR 214-2-25 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 24 FA SFH 24 FAR Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 75 nm to Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2701

High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 2701 215-1-5 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 271 Features: Especially suitable for applications from 4 nm to 15 nm Fast switching time within the specified wavelength Fast switching

Mehr

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: // WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v 27-4-2 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ -Charakteristik Version 1. SFH 341 Features: Besondere Merkmale: Package: Smart DIL Gehäuse: Smart DIL Especially

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. 15-9-1 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1. SFH 54 Features: Especially suitable for applications from 74 nm to

Mehr

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250

Infrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250 215-1-28 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 725 Features: Available on tape and reel SMT package with IR emitter (85 nm) and Si-phototransistor

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.

Mehr

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung 214-1-14 Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.1 SFH 254 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden 215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon

Mehr

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen 213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 421 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4253 Ersatz: SFH 4253 Very

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141 215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow

Mehr

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271 212-8-17 Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1. (not for new design) SFH 4271 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH4257 Ersatz: SFH4257 Black coloured TOPLED-package Schwarz eingefärbtes

Mehr

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)

Mehr

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443

Mehr

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit 27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow

Mehr

BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 SFH7060

BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 SFH7060 ! 2007-05-23 BioMon Sensor Datasheet Version 1.0 Features: Multi chip package featuring three green, one red, one infrared emitter and one detector Besondere Merkmale: Multi-Chip-Gehäuse mit drei grünen,

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V 214-1-9 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable for applications from 4 nm to

Mehr

Opto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Opto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data CHIPLED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale SMT-Gehäusetyp: 63 Farben: grün (572 nm), gelb (59 nm) Abstrahlcharakteristik: extrem breit (16 ) Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times IR-Lumineszenzdiode (8nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (8nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit

Mehr

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750 21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204 215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm

Multi-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm ! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204 214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485 28-5-28 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (88 nm) Version 1. SFH 485 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge

Mehr

Cathode GEX Cathode GEX06305

Cathode GEX Cathode GEX06305 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711

Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...

Mehr

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)

Mehr

(SFH 2505) und 750 nm bis 1100 nm (SFH 2500FA/ SFH 2505FA)

(SFH 2505) und 750 nm bis 1100 nm (SFH 2500FA/ SFH 2505FA) 211--2 Silicon PIN Photodiode in SMR Package Silizium-PIN-Fotodiode in SMR Gehäuse Version 1. SFH 25 FA SFH 255 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S % ) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features

Mehr

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258 214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4258 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V 212-1-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. BP 14 S, BP 14 SR BP 14 S BP 14 SR Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable

Mehr

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 214-1-9 OSLON Black Series (85 nm) Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P 27-4-2 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A 2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer 27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform

Mehr

Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655

Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655 Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. 212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute

Mehr

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N 215-3-2 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 Features: High Power Infrared LED Short switching time small package: (WxDxH) 3 mm x 2.65

Mehr

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314 215-8-27 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314 SFH 314 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 46... 8 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Mehr

5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351

5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications

Mehr

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087) Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E987) BPW 34 FA BPW

Mehr

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484 2-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1.

Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1. 214-7-17 Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Version 1.2 BPW 34 B BPW 34 BS Features: Especially suitable for applications

Mehr

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse 214-1- Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 23 SFH 23 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S%) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich (S%) 4 nm bis 1 nm (SFH 23) and 75

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250S

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4250S IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 425S Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Photointerrupters Lichtschranken

Photointerrupters Lichtschranken 214-1-9 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for the wavelength range of

Mehr

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA 214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75

Mehr

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr