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Cornelia Baumgartner
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GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) SFH 458 2.

3 Cathode 14.7 13.1 -.1...1 6. 5.4 GEO696 2.54 mm spacing 3.9 7.7 7.

54 mm spacing Cathode 15.5 14.7 3.9 7.7 7.1 -.15...15 6. 5.

1 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) SFH Chip position R (R 2.8) Cathode GEO mm spacing Chip position R (R 2.8) mm spacing Cathode GEO6961 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group

2 SFH 458 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Für Oberflächenmontage geeignet Gegurtet lieferbar Gehäusegleich mit Fotodiode SFH 25/ SFH 255 Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Anwendungen IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern Gerätefernsteuerungen für Gleich- und Wechsellichtbetrieb Features Fabricated in a liquid phase epitaxy process Suitable for surface mounting (SMT) Available on tape and reel Same package as photodiode SFH 25/ SFH 255 High reliability Spectral match with silicon photodetectors Applications IR remote control of hi-fi and TV-sets, video tape recorders, dimmers Remote control for steady and varying intensity Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 458 on request 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3 / 4 ), klares violettes Epoxy- on request Gießharz, Anschlüsse (SFH 458 gebogen, gerade) im 2.54-mm-Raster ( 1 / ),Kathodenkennzeichnung: siehe Maßzeichnung. 5 mm LED package (T 1 3 / 4 ), violet-colored epoxy resin, solder tabs (SFH 458 bent, straight) lead spacing 2.54 mm ( 1 / ), cathode marking: see package outline. Semiconductor Group

3 SFH 458 Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge max. mm Thermal resistance, lead length between package bottom and PC-board max. mm Wert Value T op ; T stg C T j C V R 5 V I F ma I FSM 2.5 A Einheit Unit P tot 2 mw R thja 375 K/W Semiconductor Group

4 SFH 458 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma Spektrale Bandbreite bei 5 % von I rel Spectral bandwidth at 5 % of I rel I F = m A Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top Schaltzeiten, I e von % auf 9 % und von 9 % auf %, bei I F = ma, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9 % and from 9 % to %, I F = ma, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux I F = ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Wert Value λ peak 88 nm λ 8 nm Einheit Unit ϕ ±15 Grad deg. A.16 mm 2 L B.4.4 mm L W H mm t r, t f.6/.5 µs C o 25 pf V F V F 1.5 ( 1.8) 3. ( 3.8) V V I R.1 ( 1) µa Φ e 25 mw TC I.5 %/K TC V 2 mv/k Semiconductor Group

5 SFH 458 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wert Value Einheit Unit Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma TC λ.25 nm/k Temperature coefficient of λ, I F = ma Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms I e min 25 mw/sr Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = µs I e typ 225 mw/sr Radiation characteristics I rel = f (ϕ) ϕ 1. OHF Semiconductor Group

6 SFH 458 Relative spectral emission I rel = f (λ) I Radiant intensity e I e ma = f (I F ) Single pulse, t p = 2 µs Max. permissible forward current I F = f (T A ) OHR877 2 OHR OHR88 Ι rel % 8 Ι e Ι e (ma) 1 Ι F ma nm λ ma C T Forward current I F = f (V F ), single pulse, t p = 2 µs Permissible pulse handling capability I F = f (τ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter Forward current versus lead length between the package bottom and the PC-board I F = f (I), T A = 25 C 1 A OHR881 4 ma D = OHR ma 8 OHR V 8 V F 2 DC t p D = T t p T s 2 t p mm 3 Semiconductor Group

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