FP100R12KT4_B11. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules

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1 FPR2KT4_B EconoPIM 3 Modul PressFIT mit Trench/Feldstopp IGBT4 und EmCon4 Diode EconoPIM 3 module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-erlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage / Š» 2 T = 9 C, TÝÎ = 7 C I ÒÓÑ t«= ms I ç 2 T = 2 C, TÝÎ = 7 C PÚÓÚ W Š» +/-2 Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) nstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) bschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse bschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case I =, Š = I =, Š = I =, Š = Š ÙÈÚ,7 2, 2, 2,2 I = 3,8 m, Š = Š, ŠÚÌ,2,8 6,4 Š = Q,8 R ÍÒÚ 7, Â f = MHz,, Š = 2, Š = CÍþÙ 6,3 nf f = MHz,, Š = 2, Š = CØþÙ,27 nf Š = 2, Š =, I Š», m Š =, Š = 2, I Š» n I =, Š = 6 R ÓÒ =,6 Â I =, Š = 6 R ÓÒ =,6 Â I =, Š = 6 R ÓËË =,6 Â I =, Š = 6 R ÓËË =,6 Â I =, Š = 6, L» = 4 nh, di/dt = 3 / (TÝÎ= C) R ÓÒ =,6 Â I =, Š = 6, L» = 4 nh, du/dt = 36 / (TÝÎ= C) R ÓËË =,6 Â Š ù, = 9 ŠÑÈà = Š» -LÙ Š di/dt t«ù, tá ÓÒ tø tá ÓËË të EÓÒ EÓËË I»,6,7,7,3,4,4,33,43,4,8,,7, 8, 9,, 8, 9, 4 pro IGBT / per IGBT RÚÌœ,29 K/W pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ,3 K/W date of publication:

2 FPR2KT4_B Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value çç 2 IŒ t«= ms IŒç 2 ç =, t«= ms, ç =, t«= ms, Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge bschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ =, Š = IŒ =, Š = IŒ =, Š = IŒ =, - diœ/dt = 3 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - IŒ =, - diœ/dt = 3 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - IŒ =, - diœ/dt = 3 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - I²t Œ Iç QØ EØþÊ,7,6, , 7, 2, 3, 6, 7, ²s ²s 2, pro Diode / per diode RÚÌœ, K/W pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) RÚÌ,22 K/W Diode-Gleichrichter / diode-rectifier Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio. forward current RMS maximum per diode Gleichrichter usgang Grenzeffektivstrom maximum RMS current at Rectifier output Stoßstrom Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t - value çç 6 T = 8 C IŒç» T = 8 C Iç» tô = ms, tô = ms, tô = ms, tô = ms, Durchlassspannung forward voltage Sperrstrom reverse current Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ» I²t , IŒ = Œ,, ç = 6 Iç, m pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) ²s ²s RÚÌœ,4 K/W RÚÌ,8 K/W date of publication:

3 FPR2KT4_B IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-erlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Š» 2 T = 9 C, TÝÎ = 7 C I ÒÓÑ t«= ms I ç T = 2 C, TÝÎ = 7 C PÚÓÚ 28 W Š» +/-2 Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) nstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) bschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse bschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case I =, Š = I =, Š = I =, Š = Š ÙÈÚ,8 2, 2,2 2,2 I =,6 m, Š = Š, ŠÚÌ,2,8 6,4 Š = Q,38 R ÍÒÚ 4, Â f = MHz,, Š = 2, Š = CÍþÙ 2,8 nf f = MHz,, Š = 2, Š = CØþÙ, nf Š = 2, Š =, I Š», m Š =, Š = 2, I Š» n I =, Š = 6 R ÓÒ = Â I =, Š = 6 R ÓÒ = Â I =, Š = 6 R ÓËË = Â I =, Š = 6 R ÓËË = Â I =, Š = 6 R ÓÒ = Â I =, Š = 6 R ÓËË = Â Š ù, = 9 ŠÑÈà = Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT pro IGBT / per IGBT ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) t«ù, tá ÓÒ tø tá ÓËË të EÓÒ EÓËË I»,6,7,7,3,4,4,33,43,4,8,,7,7 7,7 8,4 2,8 4,3 4,8 8 RÚÌœ,4 K/W RÚÌ,24 K/W date of publication:

4 FPR2KT4_B Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral I²t - value çç 2 IŒ 2 tô = ms IŒç ç =, t«= ms, ç =, t«= ms, Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge bschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ = 2, Š = IŒ = 2, Š = IŒ = 2, Š = IŒ = 2, - diœ/dt = 2 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - IŒ = 2, - diœ/dt = 2 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - IŒ = 2, - diœ/dt = 2 / (TÝÎ= C) ç = 6 Š = - pro Diode per diode pro Diode / per diode ð«èùúþ = W/(m K) /ðãøþèùþ = W/(m K) I²t Œ Iç QØ EØþÊ 9, 8,,7,7,7 39, 4, 4, 2,4 4, 4,4,9,,7 ²s ²s 2,2 RÚÌœ,3 K/W RÚÌ,6 K/W NTC-Widerstand / NTC-thermistor Nennwiderstand rated resistance bweichung von Ræåå deviation of Ræåå erlustleistung power dissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngaben gemäß gültiger pplication Note. Specification according to the valid application note. T = 2 C Rèë, kâ T = C, Ræåå = 493 Â ÆR/R - % T = 2 C Pèë 2, mw Rè = Rèë exp [Bèëõëå(/Tè - /(298, K))] Bèëõëå 337 K Rè = Rèë exp [Bèëõîå(/Tè - /(298, K))] Bèëõîå 34 K Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(/Tè - /(298, K))] Bèëõæåå 3433 K date of publication:

5 Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance ergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Modulinduktivität stray inductance module Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature nzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FPR2KT4_B RMS, f = Hz, t = min. š» 2, k Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Gleichrichter / rectifier Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Gleichrichter / rectifier Schraube M - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M - mounting according to valid application note Cu lèoé, 7, CTI > 2 min. typ. max. mm mm RÚÌ,9 K/W LÙ Š 4 nh TÝÎ ÑÈà TÝÎ ÓÔ C C C C TÙÚÃ -4 2 C M 3, - 6, Nm G 3 g date of publication:

6 FPR2KT4_B usgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = usgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 9 Š = 7 Š = Š = 3 Š = Š = I [] I [] ,,,, 2, 2, 3, 3, Š [],,,, 2, 2, 3, 3, 4, 4,, Š [] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f ( Š) Š = 2 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ), R ÓÒ =.6 Â, R ÓËË =.6 Â, Š = EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, I [] E [] Š [] I [] date of publication:

7 FPR2KT4_B Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ), I =, Š = 6 Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 2 2 EÓÒ, EÓËË, EÓÒ, EÓËË, ZÚÌœ : IGBT, E [] ZÚÌœ [K/W], R [Â] Sicherer Rückwärts-rbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSO) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSO) I = f ( Š), R ÓËË =.6 Â, i: rí[k/w]: τí[s]:,74, 2,97,2 3,928, 4,84,,,,, t [s] Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (Œ) I, Modul I, Chip I [] IŒ [] Š [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 Œ [] date of publication:

8 FPR2KT4_B Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =.6 Â, Š = 6 Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ =, Š = 6 9 EØþÊ, EØþÊ, 9 EØþÊ, EØþÊ, E [] E [] IŒ [] R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch) forward characteristic of diode-rectifier (typical) IŒ = f (Œ) ZÚÌœ : Diode 2 8 6, 4 ZÚÌœ [K/W] IŒ [] 2 8, 6 i: rí[k/w]: τí[s]:,3, 2,6,2 3,6, 4,4,,,,, t [s] 4 2,,2,4,6,8,,2,4 Œ [] date of publication:

9 FPR2KT4_B usgangskennlinie IGBT-Brems-Copper (typisch) output characteristic IGBT-brake-chopper (typical) I = f ( Š) Š = Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch) forward characteristic of Diode-brake-chopper (typical) IŒ = f (Œ) I [] 6 4 IŒ [] ,,,, 2, 2, 3, 3, 4, Š [],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 Œ [] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) NTC-temperature characteristic (typical) R = f (T) RÚáÔ R[Â] T [ C] date of publication:

10 Schaltplan / circuit diagram FPR2KT4_B ϑ Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication:

11 Nutzungsbedingungen FPR2KT4_B Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre nwendung sowie die Beurteilung der ollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese nwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen bteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher rt werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische erwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung (siehe ertrieb&kontakt). Für Interessenten halten wir pplication Notes bereit. ufgrund der technischen nforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen ertriebsbüro in erbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in nwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden nwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den bschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. ny such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality ssessments; - the conclusion of Quality greements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. date of publication: