Technische Information / technical information FS10R06XL4

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1 IGBTModule IGBTModules Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage T vj = 2 C V CES 6 V Kollektor Dauergleichstrom DC collector current T C = 8 C I C,nom. 1 A T C = 2 C I C 17 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current t p = 1ms, T C = 8 C I CRM A Gesamt Verlustleistung total power dissipation T c = 2 C, Transistor P tot 76 W Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage V GES + V Dauergleichstrom DC forward current I F 1 A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current t p = 1ms I FRM A Grenzlastintegral I²t value V R = V, t p = 1ms, T vj = 12 C I²t 12 A²s Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= Hz, t= 1min V ISOL 2, kv Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung V GE = 1V, T vj = 2 C, I C = I C,nom collector emitter saturation voltage V GE = 1V, T vj = 12 C, I C = I C,nom V CEsat min. typ. max. 1,9 2, V 2, V Gate Schwellenspannung gate threshold voltage V CE = V GE, T vj = 2 C, I C =,4 V GE(th) ma 4,, 6, V Gateladung gate charge V GE = 1V...+1V Q G, µc Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, T vj = 2 C, V CE = 2V, V GE = V C ies,4 nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, T vj = 2 C, V CE = 2V, V GE = V C res,4 nf Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current V CE = 6 V, V GE = V, T vj = 2 C I CES ma Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current V CE = V, V GE = V, T vj = 2 C I GES 4 na prepared by: P. Kanschat date of publication: 3124 approved: M. Hierholzer revision: 2. 1 (8)

2 IGBTModule IGBTModules Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max. I C = 1 A, V CC = 3 V Einschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 2 C t d,on ns V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 12 C 21 ns I C = 1 A, V CC = 3 V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 2 C t r 7 ns V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 12 C 8 ns I C = 1 A, V CC = 3 V Abschaltverzögerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 2 C t d,off 8 ns V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 12 C 11 ns I C = 1 A, V CC = 3 V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 2 C t f 18 ns V GE = ±1V, R G = 27 Ω, T vj = 12 C 2 ns Einschaltverlustenergie pro Puls I C = 1 A, V CC = 3 V turn on energy loss per pulse R G = 27 Ω, T vj = 12 C, L σ = 2 nh Ausschaltverlustenergie pro Puls I C = 1 A, V CC = 3 V turn off energy loss per pulse R G = 27 Ω, T vj = 12 C, L σ = 2 nh E on E off,2,3 mj mj Kurzschlussverhalten SC data t P 1µsec, V GE 1V, T vj = 12 C, V CC = 36 V, V CEmax =V CES L σce di/dt I SC 4 A Modulinduktivität stray inductance module L σce 2 nh Leitungswiderstand, AnschlussChip lead resistance, terminalchip T c = 2 C R CC /EE 8 mω Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy I F = 1 A, V GE = V, T vj = 2 C 1,8 2,2 V V F I F = 1 A, V GE = V, T vj = 12 C 1,9 V I F = 1 A, di F /dt = 1 A/µs V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 2 C I RM 26 A V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 12 C 27 A I F = 1 A, di F /dt = 1 A/µs V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 2 C Q r, µc V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 12 C,9 µc I F = 1 A, di F /dt = 1 A/µs V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 2 C E rec,1 mj V R = 3 V, V GE = 1V, T vj = 12 C,2 mj 2 (8)

3 IGBTModule IGBTModules Charakteristische Werte / characteristic values NTCWiderstand / NTCthermistor min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance T c = 2 C R 2 kω Abweichung von R 1 deviation of R 1 T c = 1 C, R 1 = 493Ω R/R % Verlustleistung power dissipation T c = 2 C P 2 mw BWert Bvalue R 2 = R 1 exp[b(1/t 2 1/T 1 )] B 2/ 337 K Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance, junction to case; DC Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter Wärmewiderstand; DC Transistor Wechselr. / transistor inverter thermal resistance, junction to heat sink; DC Diode Wechselrichter / diode inverter R thjc R thjh 1,6 K/W 3,8 K/W 2, K/W 4, K/W λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K ÜbergangsWärmewiderstand; DC thermal resistance, case to heat sink; DC Transistor Wechselr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter R thch,7 K/W 1, K/W λ Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K Höchstzulässige Sperrschichttemp. maximum junction temperature T vjmax 1 C Betriebstemperatur operation temperature T op 4 12 C Lagertemperatur storage temperature T stg 4 12 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 CTI comperative tracking index 22 Anpresskraft pro Feder mounting force per clamp F.. N Gewicht weight G 2 g Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Anschluss Kühlkörper terminal to heat sink Anschluss Anschluss terminal to terminal Anschluss Kühlkörper terminal to heat sink Anschluss Anschluss terminal to terminal 1, mm mm 9 mm mm 3 (8)

4 IGBTModule IGBTModules Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) I C = f(v CE ) V GE = 1V Tvj = 2 C Tvj = 12 C 1 1,, 1, 1, 2, 2, 3, 3, V CE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f(v CE ) output characteristic (typical) T vj = 12 C 1 VGE = V VGE = 1V VGE = 12V VGE = 1V VGE = 9V VGE = 8V 1,, 1, 1, 2, 2, 3, 3, 4, 4,, V CE [V] 4 (8)

5 IGBTModule IGBTModules Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) I C = f(v GE ) V CE = V Tvj = 2 C Tvj = 12 C V GE [V] Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f(v F ) forward characteristic of inverse diode (typical) Tvj = 2 C Tvj = 12 C 1 I F [A] 1,,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 2,6 2,8 V F [V] (8)

6 IGBTModule IGBTModules Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) E on = f(i C ), E off = f(i C ), E rec = f(i C ) V GE = ±1V, R Gon =R Goff = 27Ω, V CE = 3V, T vj = 12 C 1 Eon Eoff Erec,7 E [mj],,2 1 1 Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) V GE = ±1V, I C = 1A, V CE = 3V, T vj = 12 C 1 Eon Eoff Erec,8 E [mj],6,4, R G [Ω] 6 (8)

7 IGBTModule IGBTModules Transienter Wärmewiderstand transient thermal impedance Z thjh = f (t) 1, Z thjh (K/W) 1,,1 Zth:IGBT Zth:Diode,1,1,1 1 1 t (s) i r i [K/kW]: IGBT τ i [s]: IGBT r i [K/kW]: Diode τ i [s]: Diode , 9, 2,,232,21, , 64, 1792, 4 81,, ,,37,484,1644,143 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE =1V, T j =12 C, R G = 27 Ω 3 IC, Chip IC, Modul V CE [V] 7 (8)

8 IGBTModule IGBTModules Schaltbild circuit diagram ϑ Gehäusemaße package outline Bohrplan drilling layout Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 8 (8)

9 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle die gemeinsame Durchführung eines Risiko und Qualitätsassessments; den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend to perform joint Risk and Quality Assessments; the conclusion of Quality Agreements; to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.