DD1200S33KL2C_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
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- Edith Stein
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1 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -25 C VRRM IF 2 A tp = ms IFRM 24 A VR = V, tp = ms, I²t 44 ka²s PRQM 8 kw ton min, µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 2 A, VGE = V IF = 2 A, VGE = V IF = 2 A, - dif/dt = 54 A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V IF = 2 A, - dif/dt = 54 A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V IF = 2 A, - dif/dt = 54 A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V VF IRM Qr Erec 2,6 2,55 t.b.d prodiode/perdiode RthJC 7, K/kW prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) V V V A A µc µc mj mj RthCH 6, K/kW Tvj op C
2 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,2 kv RMS, f = 5 Hz, QPD typ pc (acc. to IEC 287) VISOL 5, kv, fit VCE D 25 V AlSiC Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal AlN 64, 56, 4, 26, CTI > 6 promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) min. typ. max. mm mm RthCH 8, K/kW LsCE 25 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',37 mω Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25-5,75 Nm G g M,8 8, - - 2, Nm Nm 2
3 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=8V Erec, IF [A] 2 E [mj] 8 4 5,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VF [V] IF [A] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=2A,VCE=8V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 25 Erec, ZthJC : Diode 2 E [mj] 5 ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 7,65,3 2 4,25, 3,2,3 4 4,8,,,, t [s] 3
4 SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(VR) Tvj=25 C 3 IR, Modul 24 8 IR [A] VR [V] 4
5 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines 5
6 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
DD400S33KL2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrDD200S33K2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Modul IGBT-Module. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrDZ800S17K3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules
62mmC-SerienModulmitEmitterControlled³Diode 62mmC-seriesmodulewithEmitterControlled³diode Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrDD1200S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
/ VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AktiverEingang(Rückspeisung) ActiveFrontend(energyrecovery) Hochleistungsumrichter
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrDD1200S12H4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. IHM-BModul IHM-Bmodule
e IHM-BModul IHM-Bmodule / VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Motorantriebe Motordrives Multi-LevelUmrichter Multilevelinverter
MehrDD750S65K3. VCES = 6500V IC nom = 750A / ICRM = 1500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 65V IC nom = 75A / ICRM = 15A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrF12-35R12KT4G. EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R33KF2C. IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nf
e FFR33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFF200R12KT4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KT 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBTandoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFS100R12KT4G_B11. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nf
FSRKTG_B EconoPACK 3ModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulePressFITwithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF401R17KF6C_B2. IC = 400 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 27,0 nf
FF4R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrIFS75B12N3E4_B31. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nf
MIPAQ basemodulmittrench/feldstoppigbt,emittercontrolleddiodeundstrommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt,emittercontrolleddiodeandcurrentsenseshunt IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrVCES = 6500V IC nom = 500A / ICRM = 1000A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 65V IC nom = 5A / ICRM = 1A PotentielleAnwendungen PotentialApplications Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters Traktionsumrichter Tractiondrives
MehrFZ2400R17KE3_B9. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 215 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 7,00 nf
FZ2R7KE3_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF1200R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FFR7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ3600R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nf
FZ36R7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ800R12KS4_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 52,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,40 nf
FZ8R2KS4_B2 HochleistungsmodulmitlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF300R06KE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 19,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nf
FFR6KE_B 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT,EmitterControlledDiodeundMLastanschlüssen 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT,EmitterControlleddiodeandMpowerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R06KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FFR6KE 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFZ400R12KE3_B1. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nf
FZ4R12KE3_B1 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ600R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 39,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nf
FZ6R12KS4 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD1200R17KE3-K_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FDR7KE3-K_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrFF300R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ2400R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 170 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 8,00 nf
FZ24R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF2R2KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFD300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FD3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS75R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,22 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrVCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 45V IC nom = A / ICRM = A PotentielleAnwendungen PotentialApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters
MehrFS35R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS50R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS100R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,30 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF400R33KF2C. IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 50,0 nf
FF4R33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R33KF2C. IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nf
FFR33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R12KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
FF45R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF4-150R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,63 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ1200R33KF2C. IC = 1200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 150 nf
FZ2R33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrF4-100R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,42 nf
F-RKS IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS15R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nf
FS5RVT IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS10R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
FSRVT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS25R12KT3. EconoPACK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode
EconoPCK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R17ME3. EconoDUAL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUAL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD600R06ME3_S2. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUAL ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoDUAL modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / VCES = 6V IC nom = 6A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFS15R06VE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,83 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ1200R17KF6C_B2. IC = 1200 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 79,0 nf
FZ2R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFZ800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FZ8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FF8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFS200R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoPCK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD400R33KF2C-K. IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 50,0 nf
FD4R33KF2C-K IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrFS450R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS150R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
FSR6KE EconoPCK mitschnellemtrench/feldstopigbt³undemittercontrolleddiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt³andemittercontrolleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R12ME3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FF45R12ME3 EconoDUL ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUL modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R12KE4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,55 nf
FS45R12KE4 EconoPCK +B-SerieModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode EconoPCK +B-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF150R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ3600R17HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters
MehrFZ1600R17HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 6A / ICRM = 32A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters
MehrFZ1600R17KF6C_B2. IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nf
FZ6R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF12R12KE3 / VCES = 12V IC nom = 12A / ICRM = 24A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen HighFrequencySwitchingApplication
MehrFD300R06KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FDR6KE 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ400R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 400A / ICRM = 800A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
FZ4R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 65V IC nom = 4A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrVCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModul IHM-Bmodule CES = 33 IC nom = A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters Motorantriebe Motordrives Traktionsumrichter Tractiondrives
MehrFF100R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
mmmodulmitschnellemtrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiode mmmodulewithfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiode / VCES = V IC nom = A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter
MehrFZ3600R17HP4_B2. VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 17V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrFS100R17PE4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK 4ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPACK 4modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / VCES = 7V IC nom = A / ICRM = 2A
MehrFZ1200R17HE4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. IHM-BModul IHM-Bmodule
e IHM-BModul IHM-Bmodule / VCES = 7V IC nom = 2A / ICRM = 2A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Motorantriebe Motordrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
MehrFZ600R65KF2. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
FZ6R65KF2 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule CES = 65 IC nom = 6A / ICRM = 2A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFZ2400R17HP4_B28. VCES = 1700V IC nom = 2400A / ICRM = 4800A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 24A / ICRM = 48A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
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