FS35R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf

Transkript

1 EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = 8 C, Tvj max = C TC = C, Tvj max = C IC nom tp = ms ICRM TC = C, Tvj max = Ptot W VGES +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, VGE = V IC =, VGE = V IC VCE sat,,9, V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth,,8 6, V VGE = - V... + V QG, µc RGint 6, Ω f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cies, nf f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cres,9 nf VCE = V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V RGon = 7 Ω IC =, VCE = V RGon = 7 Ω IC =, VCE = V RGoff = 7 Ω IC =, VCE = V RGoff = 7 Ω IC =, VCE = V, LS = nh RGon = 7 Ω IC =, VCE = V, LS = nh RGoff = 7 Ω VGE V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf,9,9,,,,,7,9 Eon, Eoff, proigbt/perigbt RthJC, K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) ISC RthCH,9 K/W Tvj op - C

2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, I²t ²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V VF IRM,6,6 9,,, V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V Qr, 6,8 µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF =, - dif/dt = / (Tvj= C) VR = V VGE = - V Erec,, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC,9 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH, K/W Tvj op - C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = C R, kω TC = C, R = 9 Ω R/R - % TC = C P, mw R = R exp [B/(/T - /(98, K))] B/ 7 K R = R exp [B/8(/T - /(98, K))] B/8 t.b.d. K R = R exp [B/(/T - /(98, K))] B/ t.b.d. K

3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = Hz, t = min VISOL, kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal I CTI > promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K), 7, min. typ. max. mm mm RthCH, K/W LsCE 9 nh TC= C,proSchalter/perswitch RCC'+EE', mω Tstg - C SchraubeM-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M, - 6, Nm G 8 g

4 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj= C 6 6 VGE = 9V VGE = 7V VGE = V VGE = V VGE = V VGE = 9V IC [] IC [],,,,,,,, VCE [V],,,,,,,,,,, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±V,RGon=7Ω,RGoff=7Ω,VCE=V Eon, Eoff, 6 IC [] E [] VGE [V] IC []

5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±V,IC=,VCE=V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 8 7 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 6 E [] ZthJC [K/W], 8 9 RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,6769,,9,8,,8,,8,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±V,RGoff=7Ω,Tvj= C 8 IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) 6 IC [] IF [] 8 VCE [V],,,,6,8,,,,6,8,,, VF [V]

6 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=7Ω,VCE=V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V,, Erec,,, Erec,,,,,, E [], E [],,,,,,,,, IF [], 8 9 RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) ZthJC : Diode ZthJC [K/W], i: ri[k/w]: τi[s]:,967,,69,9,8,9,,766,,,, t [s] 6

7 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n 7

8 8 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.