F12-35R12KT4G. EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode

Transkript

1 EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = C, Tvj max = 7 C IC nom 3 A tp = ms ICRM 7 A TC = C, Tvj max = 7 C Ptot W VGES +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 3 A, VGE = V IC = 3 A, VGE = V IC = 3 A, VGE = V VCE sat,8,,, V V V IC =, ma, VCE = VGE, VGEth,,8 6, V VGE = - V... + V QG,7 µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cies, nf f = MHz,, VCE = V, VGE = V Cres,7 nf VCE = V, VGE = V, ICES, ma VCE = V, VGE = V, IGES na IC = 3 A, VCE = 6 V VGE = ± V RGon = Ω IC = 3 A, VCE = 6 V VGE = ± V RGon = Ω IC = 3 A, VCE = 6 V VGE = ± V RGoff = Ω IC = 3 A, VCE = 6 V VGE = ± V RGoff = Ω IC = 3 A, VCE = 6 V, LS = nh VGE = ± V, di/dt = A/ () RGon = Ω IC = 3 A, VCE = 6 V, LS = nh VGE = ± V, du/dt = 36 V/ () RGoff = Ω VGE V, VCC = 8 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf Eon Eoff,6,7,7,3,,,33,3,,8,,7 3,9,,6, 3, 3, proigbt/perigbt RthJC,7 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) ISC 3 RthCH,8 K/W Tvj op - C A

2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM V IF 3 A tp = ms IFRM 7 A VR = V, tp = ms, I²t A²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 3 A, VGE = V IF = 3 A, VGE = V IF = 3 A, VGE = V IF = 3 A, - dif/dt = A/ (Tvj= C) VR = 6 V VGE = - V IF = 3 A, - dif/dt = A/ (Tvj= C) VR = 6 V VGE = - V IF = 3 A, - dif/dt = A/ (Tvj= C) VR = 6 V VGE = - V VF IRM Qr Erec,7,6,6 3, 39,, 3, 6,3 7,,,,, V V V prodiode/perdiode RthJC, K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) A A A µc µc µc RthCH,6 K/W Tvj op - C

3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = Hz, t = min. VISOL, kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal AlO3 CTI > promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K), 7, min. typ. max. mm mm RthCH,9 K/W LsCE nh TC= C,proSchalter/perswitch RCC'+EE', mω Tstg - C SchraubeM-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm G 3 g 3

4 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj= C VGE = 9V VGE = 7V VGE = V VGE = 3V VGE = V VGE = 9V ,,,,,, 3, 3,,,, VCE [V],,,,,, 3, 3,,,, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±V,RGon=Ω,RGoff=Ω,VCE=6V Eon, Eoff, Eon, Eoff, 3 3 E [] VGE [V] 3 6 7

5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±V,IC=3A,VCE=6V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 8 E [] 6 ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,3,,376, 3,3,,88,,,,, t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(VCE) VGE=±V,RGoff=Ω,Tvj= C 8 IC, Modul IC, Chip 7 6 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IF [A] VCE [V],,,,6,8,,,,6,8,,, VF [V]

6 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=6V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=3A,VCE=6V 3, 3, Erec, Erec, 3, 3, Erec, Erec,,,,, E [], E [],,,,,, IF [A], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) ZthJC : Diode ZthJC [K/W], i: ri[k/w]: τi[s]:,6,,33, 3,3,,9,,,,, t [s] 6

7 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines 7

8 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.