FS10R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf

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1 FSRVT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES V TC = C, Tvj = 5 C TC = 5 C, Tvj = 5 C IC nom tp = ms ICRM TC = 5 C, Tvj = 5 C Ptot, W VGES +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V IC VCE sat,9,5,5 V V IC =,3 m, VCE = VGE, VGEth 5, 5,,5 V VGE = -5 V V QG, µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies,7 nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres, nf VCE = V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V RGon = Ω IC =, VCE = V RGon = Ω IC =, VCE = V RGoff = Ω IC =, VCE = V RGoff = Ω IC =, VCE = V, LS = nh RGon = Ω IC =, VCE = V, LS = nh RGoff = Ω VGE 5 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf Eon Eoff,37,37,,5,9,39,9,5,95,5,7, proigbt/perigbt RthJC,75,95 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) ISC 35 RthCH,5 K/W dateofpublication:3-3- revision:.

2 FSRVT3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM V IF tp = ms IFRM VR = V, tp = ms, I²t 33, ²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V VF IRM,5,5,,5, V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V Qr,, µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF =, - dif/dt = 5 / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V Erec,3, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC,5,5 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,7 K/W dateofpublication:3-3- revision:.

3 FSRVT3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstreck Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min VISOL,5 kv Basisisolierung(Schutzklasse,EN) basicinsulation(class,iec) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo3 5,, CTI > 5 3, 7, min. typ. max. mm mm LsCE nh TC=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' R'+CC' 9, 9, Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max 5 C Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op - 5 C Tstg - 5 C F 3-5 N G g mω Withadditionalinsulationofthemountingclamphighervaluesofcreepageandclearancedistancesto theheatsinkcanbeachieved.formoreinformationcallyourresponsiblesalesrepresentative. dateofpublication:3-3- revision:. 3

4 FSRVT3 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C VGE = 9V VGE = 7V VGE = 5V VGE = 3V VGE = V VGE = 9V,,,,,,,, 3, 3,, VCE [V],,5,,5,,5 3, 3,5,,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=Ω,RGoff=Ω,VCE=V 3,5 3, Eon, Eoff,,5, E [],5,, VGE [V], dateofpublication:3-3- revision:.

5 FSRVT3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 3,5 Eon, Eoff, ZthJH : IGBT,, E [], ZthJH [K/W],7, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,7,5,333,5 3,95,5,5,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=Ω,Tvj=5 C IC, Modul IC, Chip DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IF [] VCE [V],,5,,5,,5 VF [V] dateofpublication:3-3- revision:. 5

6 FSRVT3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V, Erec,, Erec,,,,, E [] E [],,,,, IF [], RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJH=f(t) ZthJH : Diode ZthJH [K/W] i: ri[k/w]: τi[s]:,,5,,5 3,5,5,9,,,,, t [s] dateofpublication:3-3- revision:.

7 FSRVT3 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines dateofpublication:3-3- revision:. 7

8 TechnischeInformation/TechnicalInformation FSRVT3 dateofpublication:3-3- revision:. Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.