DD200S33K2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Modul IGBT-Module. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
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- Ella Schubert
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1 e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -25 C VRRM IF 2 A tp = ms IFRM 4 A VR = V, tp = ms, I²t 4, ka²s PRQM 4 kw ton min, µs V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 2 A, VGE = V IF = 2 A, VGE = V IF = 2 A, - dif/dt = A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V VF IRM 2,8 2, ,5 3,5 V V A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 2 A, - dif/dt = A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V Qr 2 22 µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 2 A, - dif/dt = A/µs (Tvj=25 C) VR = 8 V VGE = -5 V Erec mj mj Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC 8 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 33, K/kW Tvj op C
2 e Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL 6, kv RMS, f = 5 Hz, QPD pc (acc. to IEC 287) VISOL 2,6 kv, fit VCE D 8 V Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) AlSiC AlN 32,2 32,2 9, 9, CTI > 4 min. typ. max. mm mm RthCH 6, K/kW LsCE 58 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',78 mω SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg C M 4,25 5,75 Nm M 3,6-4,2 Nm G 5 g Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FF2R33KF2C Modul. Dynamic data valid in conjunction with FF2R33KF2C module. 2
3 e DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=Ω,VCE=8V 4 4 Erec, IF [A] 2 E [mj] ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VF [V] IF [A] SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=2A,VCE=8V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 4 Erec, ZthJC : Diode 3 25 E [mj] 2 5 ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 48,6,3 2 27, 3 6,48,3 4 25,92,,, t [s] 3
4 e SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(VR) Tvj=25 C 5 45 IR, Modul 4 3 IR [A] VR [V] 4
5 e Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines 5
6 6 TechnischeInformation/TechnicalInformation e Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
DD1200S33KL2C_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrDD1200S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
/ VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AktiverEingang(Rückspeisung) ActiveFrontend(energyrecovery) Hochleistungsumrichter
MehrDD750S65K3. VCES = 6500V IC nom = 750A / ICRM = 1500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 65V IC nom = 75A / ICRM = 15A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFF200R12KT4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KT 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBTandoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFZ2400R12HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFF450R12KT4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiode 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode VCES = 12V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrFZ600R17KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
FZ6R17KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 6 / ICRM = 1 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R17ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3DiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diodeandNTC / VCES = 17V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
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TechnischeInformation/TechnicalInformation FF6R2IS4F PrimePACK 2ModulmitschnellemIGBT2undSiCDiodefürhochfrequentesSchaltenundNTC PrimePACK 2modulewithfastIGBT2andSiCDiodeforhighfrequencyswitchingandNTC
MehrFS75R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,20 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
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EconoPCK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPCK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode VCES = 16V IC nom = 18 / ICRM = 36 Typischenwendungen Typicalpplications
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PrimePCK 3ModulundNTC PrimePCK 3moduleandNTC CES = 17 IC nom = 1 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Hilfsumrichter uxiliaryinverters Hochleistungsumrichter
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FF45R12ME4 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 12V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
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FF3R17KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 3 / ICRM = 6 Typischenwendungen Typicalpplications
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Mehrг.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv
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