FF1200R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf

Transkript

1 FFR7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 7 V TC = 8 C, Tvj max = 5 C TC = 25 C, Tvj max = 5 C IC nom IC 6 tp = ms ICRM 2 TC = 25 C, Tvj max = 5 Ptot 5,95 kw VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V VCE sat 2, 2,4 2,45 V V IC = 48, m, VCE = VGE, VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -5 V V QG 4, µc RGint,6 Ω f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies nf f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres 3,5 nf VCE = 7 V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = 2 V, IGES n IC =, VCE = 9 V RGon =,2 Ω td on,74,8 nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload IC =, VCE = 9 V RGon =,2 Ω tr,2,25 bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload IC =, VCE = 9 V RGoff =,5 Ω td off,45,8 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC =, VCE = 9 V RGoff =,5 Ω tf,8,3 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC =, VCE = 9 V, LS = 5 nh RGon =,2 Ω Eon bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse IC =, VCE = 9 V, LS = 5 nh RGoff =,5 Ω Eoff Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VGE 5 V, VCC = V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, ISC 48 proigbt/perigbt RthJC 2, K/kW proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 7, K/kW Tvj op C dateofpublication:23--2

2 FFR7KE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 7 V IF tp = ms IFRM 2 VR = V, tp = ms, I²t 24 k²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = 7 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = 7 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = 7 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V VF IRM Qr Erec,8, ,2 V V prodiode/perdiode RthJC 48, K/kW prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc RthCH 39, K/kW Tvj op C dateofpublication:

3 FFR7KE3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL 3,4 kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 5, 5,,, CTI > 25 promodul/permodule λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) min. typ. max. mm mm RthCH 6, K/kW LsCE 2 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',37 mω Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM4-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25-5,75 Nm G 5 g M,8 8, - - 2, Nm Nm dateofpublication:

4 FFR7KE3 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=25 C VGE = 2V VGE = 5V VGE = 2V VGE = V VGE = 9V VGE = 8V 6 6 IC [] IC [] ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VCE [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=.2Ω,RGoff=.5Ω,VCE=9V Eon, Eoff, IC [] 8 6 E [] VGE [V] IC [] dateofpublication:

5 FFR7KE3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=9V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 8 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 6 E [] 8 6 ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 7,35,2 2 7,35,6 3 4,2, 4 2,,3,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=.5Ω,Tvj=25 C 26 IC, Modul 2 IC, Chip IC [] VCE [V] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IF [] ,,5,,5 2, 2,5 3, VF [V] dateofpublication:

6 FFR7KE3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.2Ω,VCE=9V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=9V 5 45 Erec, 375 Erec, E [] 25 E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] i: ri[k/kw]: τi[s]: 6,8,2 2 6,8,6 3 9,6, 4 4,8,3,,, t [s] dateofpublication:

7 FFR7KE3 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines dateofpublication:

8 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation FFR7KE3 dateofpublication:23--2 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.