FF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
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- Henriette Lenz
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1 62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 12 V TC = 8 C, Tvj max = 15 C TC = 25 C, Tvj max = 15 C IC nom IC 3 48 tp = 1 ms ICRM 6 TC = 25 C, Tvj max = 15 Ptot 145 W VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 3, VGE = 15 V IC = 3, VGE = 15 V VCE sat 1,7 1,9 2,15 V V IC = 12, m, VCE = VGE, VGEth 5, 5,8 6,5 V VGE = -15 V V QG 2,8 µc RGint 2,5 Ω f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies 21, nf f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres,85 nf VCE = 12 V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = 2 V, IGES 4 n IC = 3, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω td on,16,17 nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload IC = 3, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω tr,4,45 bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 3, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω td off,45,52 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 3, VCE = 6 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω tf,1,16 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 3, VCE = 6 V, LS = 3 nh VGE = ±15 V, di/dt = 6 / RGon = 2,4 Ω Eon 16,5 25, bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse IC = 3, VCE = 6 V, LS = 3 nh VGE = ±15 V, du/dt = 45 V/ RGoff = 2,4 Ω Eoff 24,5 37, Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions VGE 15 V, VCC = 9 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 1, ISC 12 proigbt/perigbt RthJC,85 K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,3 K/W Tvj op C dateofpublication: revision:2. 1
2 FF3R12KT3_E Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 12 V IF 3 tp = 1 ms IFRM 6 VR = V, tp = 1 ms, I²t 19 ²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 3, VGE = V IF = 3, VGE = V IF = 3, - dif/dt = 6 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V VF IRM 1,65 1, ,15 V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 3, - dif/dt = 6 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Qr 3, 56, µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF = 3, - dif/dt = 6 / (Tvj=125 C) VR = 6 V VGE = -15 V Erec 14, 26, Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC,15 K/W Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH,6 K/W Tvj op C dateofpublication: revision:2. 2
3 FF3R12KT3_E Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kv Cu Basisisolierung(Schutzklasse1,EN6114) basicinsulation(class1,iec6114) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 29, 23, 23, 11, CTI > 4 promodul/permodule λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) min. typ. max. mm mm RthCH,1 K/W LsCE 2 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',7 mω Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm M 2,5-5, Nm G 34 g dateofpublication: revision:2. 3
4 FF3R12KT3_E usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125 C VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 4 4 IC [] 3 IC [] ,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, VCE [V],,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=6V Eon, Eoff, IC [] 3 E [] VGE [V] IC [] dateofpublication: revision:2. 4
5 FF3R12KT3_E SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=3,VCE=6V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) Eon, Eoff,,1 ZthJC : IGBT E [] 75 6 ZthJC [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1,161,119 2,484,2364 3,4282,261 4,3573,6499,1,1,1,1 1 1 t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125 C 7 IC, Modul IC, Chip 6 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC [] 3 IF [] VCE [V],,2,4,6,8 1, 1,2 1,4 1,6 1,8 2, 2,2 2,4 VF [V] dateofpublication: revision:2. 5
6 FF3R12KT3_E SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=6V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=3,VCE=6V 35 Erec, 32 Erec, E [] 15 E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 1 ZthJC : Diode ZthJC [K/W],1 i: ri[k/w]: τi[s]: 1,284,119 2,852,2364 3,7566,261 4,6298,6499,1,1,1,1 1 1 t [s] dateofpublication: revision:2. 6
7 FF3R12KT3_E Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines j n j n i i dateofpublication: revision:2. 7
8 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF3R12KT3_E dateofpublication: revision:2. Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
FF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KT4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KT 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBTandoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFF200R33KF2C. IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nf
FFR33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF2R2KE3 / VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = 24 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen HighFrequencySwitchingpplication Hochleistungsumrichter
MehrFZ2400R12HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFZ400R12KS4. VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = 12V IC nom = 4 / ICRM = 8 Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrDD200S33K2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Modul IGBT-Module. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrFP50R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
FP5RKE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF450R12KT4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiode 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode VCES = 12V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrIFS150B12N3E4P_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e IFS5BN3EP_B MIPQ basemodulmittrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiodeundpressfit/bereits aufgetragenemthermalinterfacematerial MIPQ basemodulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/preapplied
MehrFS200R07N3E4R. VCES = 650V IC nom = 200A / ICRM = 400A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FSR7NER EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / VCES = 5V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrDD1200S33KL2C_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 600V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-75R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF600R12ME4A_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF6R12ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VCES = 12V IC nom = 6 /
MehrFF100R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
mmmodulmitschnellemtrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiode mmmodulewithfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiode / VCES = V IC nom = A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter
MehrFP75R12KT4. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFZ600R17KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
FZ6R17KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 6 / ICRM = 1 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R17ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3DiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diodeandNTC / VCES = 17V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrF3L80R12W1H3_B11. EasyPACKModulmitaktiverNeutralPointClamp2TopologieundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithactiveNeutralPointClamp2topologyandPressFIT/NTC
EasyPCKModulmitaktiverNeutralPointClamp2TopologieundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithactiveNeutralPointClamp2topologyandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = 8 / ICRM = 6 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS75R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,20 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
TechnischeInformation/TechnicalInformation FF5R7IE PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc CES = 7 IC nom = 5 / ICRM = 9 Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Hilfsumrichter Hochleistungsumrichter
MehrFZ250R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 250A / ICRM = 500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e FZ25R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule CES = 65 IC nom = 25A / ICRM = 5A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFZ1500R33HE3. IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ5R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = 5A / ICRM = 3A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrDD1200S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
/ VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AktiverEingang(Rückspeisung) ActiveFrontend(energyrecovery) Hochleistungsumrichter
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrDDB6U180N16RR. EconoPACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPCK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPCK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode VCES = 16V IC nom = 18 / ICRM = 36 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF300R12KT3P_E. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF3R2KT3P_E 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereits aufgetragenemthermalinterfacematerial 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiodeandpre-applied
MehrFF1000R17IE4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
PrimePCK 3ModulundNTC PrimePCK 3moduleandNTC CES = 17 IC nom = 1 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications Hilfsumrichter uxiliaryinverters Hochleistungsumrichter
MehrFF450R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
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