FZ400R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 400A / ICRM = 800A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
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- Anneliese Langenberg
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1 FZ4R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 65V IC nom = 4A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigesVCEsat LowVCEsat MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit Capability Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg = Extended Storage Temperature down to Tstg = -55 C -55 C GehäusemitCTI>6 PackagewithCTI>6 Gehäuse mit erweiterten Package with enhanced Insulation of.2kv AC Isolationseigenschaftenvon,2kVACmin min GroßeLuft-undKriechstrecken HighCreepageandClearanceDistances ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit dateofpublication: ULapproved(E83335)
2 FZ4R65KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = -5 C VCES TC = 8 C, Tvj = 5 C IC nom 4 A tp = ms ICRM 8 A TC = 25 C, Tvj = 5 C Ptot 8,35 kw VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 4 A, VGE = 5 V IC = 4 A, VGE = 5 V VCE sat 3, 3,7 V 3,4 V V IC = 7, ma, VCE = VGE, VGEth 5,4 6, 6,6 V VGE = -5 V V, VCE = 36V QG 7, µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies nf f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres,7 nf VCE = 65 V, VGE = V, ICES 5, ma VCE = V, VGE = 2 V, IGES 4 na IC = 4 A, VCE = 36 V VGE = ±5 V RGon =,9 Ω td on,7,8 Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 4 A, VCE = 36 V VGE = ±5 V RGon =,9 Ω tr,33,4 Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 4 A, VCE = 36 V VGE = ±5 V RGoff = 3 Ω td off 7,3 7,6 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 4 A, VCE = 36 V VGE = ±5 V RGoff = 3 Ω tf,4,5 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 4 A, VCE = 36 V, LS = 28 nh VGE = ±5 V, di/dt = 6 A/ (Tvj=25 C) RGon =,9 Ω Eon AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 4 A, VCE = 36 V, LS = 28 nh VGE = ±5 V RGoff = 3 Ω Eoff Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink VGE 5 V, VCC = 45 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, ISC 24 proigbt/perigbt RthJC 5, K/kW proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 4, K/kW A dateofpublication:
3 FZ4R65KE3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -5 C VRRM IF 4 A tp = ms IFRM 8 A VR = V, tp = ms, I²t 3 ka²s PRQM 6 kw ton min, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 4 A, VGE = V IF = 4 A, VGE = V IF = 4 A, - dif/dt = 6 A/ (Tvj=25 C) VR = 36 V VGE = -5 V VF IRM 3, 2, V 3,5 V V A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 4 A, - dif/dt = 6 A/ (Tvj=25 C) VR = 36 V VGE = -5 V Qr µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 4 A, - dif/dt = 6 A/ (Tvj=25 C) VR = 36 V VGE = -5 V Erec 74 6 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC 33, K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 2,5 K/kW dateofpublication:
4 FZ4R65KE3 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstreck Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,2 kv RMS, f = 5 Hz, QPD typ pc (acc. to IEC 287) VISOL 5, kv, fit VCE D 38 V AlSiC Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal AlN 56, 56, 26, 26, CTI > 6 min. typ. max. mm mm LsCE 2 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' RAA'+CC',8,8 Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max 5 C Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op C Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote mω M 4,25-5,75 Nm G g M,8 8, - - 2, Nm Nm dateofpublication:
5 FZ4R65KE3 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=25 C VGE = 2 V VGE = 5 V VGE = 2 V VGE = V ,, 2, 3, 4, 5, 6, VCE [V],, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=.9Ω,RGoff=2.8Ω,VCE=36V Eon, Eoff, E [] VGE [V] dateofpublication:
6 FZ4R65KE3 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=4A,VCE=36V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 8 7 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 6 5 E [] 4 ZthJC [K/W] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]:,77,4 2 9,7,44 3 2,88,45 4,65 3,93,,,, t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=2.8Ω,Tvj=25 C 8 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IF [A] VCE [V],, 2, 3, 4, 5, VF [V] dateofpublication:
7 FZ4R65KE3 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.9Ω,VCE=36V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=4A,VCE=36V 3 Erec, 2 Erec, E [] 5 E [] IF [A],, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(VR) Tvj=25 C ZthJC : Diode IR, Modul 8 ZthJC [K/W] IR [A] 6 4 i: ri[k/kw]: τi[s]: 4,8,5 2 2,3,48 3 5,33 4 2,9 3,348,,,, t [s] VR [V] dateofpublication:
8 FZ4R65KE3 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines dateofpublication:
9 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ4R65KE3 dateofpublication: Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
DD400S33KL2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrDD200S33K2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Modul IGBT-Module. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrDZ800S17K3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules
62mmC-SerienModulmitEmitterControlled³Diode 62mmC-seriesmodulewithEmitterControlled³diode Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
MehrDD1200S33KL2C_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrFS100R12KT4G_B11. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nf
FSRKTG_B EconoPACK 3ModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulePressFITwithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrIFS75B12N3E4_B31. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nf
MIPAQ basemodulmittrench/feldstoppigbt,emittercontrolleddiodeundstrommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt,emittercontrolleddiodeandcurrentsenseshunt IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFZ3600R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nf
FZ36R7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrDD1200S12H4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. IHM-BModul IHM-Bmodule
e IHM-BModul IHM-Bmodule / VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Motorantriebe Motordrives Multi-LevelUmrichter Multilevelinverter
MehrFZ2400R17KE3_B9. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 215 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 7,00 nf
FZ2R7KE3_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R06KE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 19,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nf
FFR6KE_B 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT,EmitterControlledDiodeundMLastanschlüssen 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT,EmitterControlleddiodeandMpowerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFS10R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
FSRVT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFF200R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF2R2KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFZ800R12KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ8R12KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 12V IC nom = 8A / ICRM = 16A TypischeAnwendungen
MehrFF100R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
mmmodulmitschnellemtrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiode mmmodulewithfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiode / VCES = V IC nom = A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter
MehrFZ250R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 250A / ICRM = 500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e FZ25R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule CES = 65 IC nom = 25A / ICRM = 5A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFF450R12KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
FF45R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ2400R17HP4_B28. VCES = 1700V IC nom = 2400A / ICRM = 4800A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 24A / ICRM = 48A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrFD300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FD3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ3600R17HP4_B2. VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrFZ3600R17HP4_B2. VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 17V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrIFS150B12N3E4_B31. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IFS5BN3E_B3 / J VCES = V IC nom = 5A / ICRM = 3A TypischeAnwendungen TypicalApplications Motorantriebe MotorDrives Servoumrichter ServoDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste
MehrFZ1200R17KF6C_B2. IC = 1200 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 79,0 nf
FZ2R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFZ800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FZ8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FF8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrIFS100B12N3E4_B31. Strommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolledhediodeandcurrentsense shunt
IFSBN3E_B3 MIPAQ basemodulmittrench/feldstoppigbtundemittercontrolledhediodeund Strommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhediodeandcurrentsense shunt / J VCES = V
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrDD1200S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
/ VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AktiverEingang(Rückspeisung) ActiveFrontend(energyrecovery) Hochleistungsumrichter
MehrFS50R12KT4_B15. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPACK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoPACK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc VCES = V IC nom = 5A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS15R06VE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,83 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ1600R17KF6C_B2. IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nf
FZ6R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF200R33KF2C. IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nf
FFR33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF2R2KE3 / VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = 24 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen HighFrequencySwitchingpplication Hochleistungsumrichter
MehrFF450R12ME3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FF45R12ME3 EconoDUL ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUL modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ1500R33HE3. IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ5R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = 5A / ICRM = 3A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFZ800R45KL3_B5. VCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FZ8R45KL3_B5 hochisolierendesmodulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diode highinsulatedmodulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diode CES = 45 IC nom = 8A / ICRM = 6A TypischeAnwendungen
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ1200R45HL3. IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ2R45HL3 IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 45 IC nom = 2A / ICRM = 24A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFZ2400R12HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ600R12KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ6R12KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 12V IC nom = 6 / ICRM = 12 Typischenwendungen
MehrFD400R33KF2C-K. IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 50,0 nf
FD4R33KF2C-K IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrFZ400R12KS4. VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = 12V IC nom = 4 / ICRM = 8 Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrDD750S65K3. VCES = 6500V IC nom = 750A / ICRM = 1500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 65V IC nom = 75A / ICRM = 15A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFF300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFF200R12KT4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KT 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBTandoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF150R17KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 15 / ICRM = 3 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrDF1400R12IP4D. VCES = 1200V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
DF4R2IP4D PrimePACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4Diode PrimePACK 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diode / CES = 2 IC nom = 4A / ICRM = 28A TypischeAnwendungen
MehrF4-50R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandntc VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFD-DF80R12W1H3_B52. VCES = 1200V IC nom = 40A / ICRM = 80A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undRapidDiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andRapiddiodeandPressFIT/NTC / CES = 2 IC nom = 4A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFF1400R12IP4. VCES = 1200V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
PrimePACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / VCES = 2V IC nom = 4A / ICRM = 28A TypischeAnwendungen
MehrFF450R12KT4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiode 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode VCES = 12V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrFF1200R17KP4_B2. IHM-AModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode
FFR7KP4_B2 IHM-ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode IHM-modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode VCES = 7V IC nom = / ICRM = 2 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrVCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule VCES = 45V IC nom = A / ICRM = A PotentielleAnwendungen PotentialApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Mittelspannungsantriebe Mediumvoltageconverters
MehrFS25R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
MehrIFS150B12N3E4P_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e IFS5BN3EP_B MIPQ basemodulmittrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiodeundpressfit/bereits aufgetragenemthermalinterfacematerial MIPQ basemodulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/preapplied
MehrFS25R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFF600R17ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF6R17ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC / VCES = 17V IC nom = 6 /
MehrFF600R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF6R12ME4 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC / VCES = 12V IC nom = 6 / ICRM = 12 Typischenwendungen
MehrFP40R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS200R07N3E4R. VCES = 650V IC nom = 200A / ICRM = 400A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FSR7NER EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / VCES = 5V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R06ME3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF5R6ME3 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = 6V IC nom = 5 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrIFS200B12N3E4_B31. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. Strommesswiderstand
IFS2B2N3E4_B3 MIPQ basemodulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolledhediodeundntc/ Strommesswiderstand MIPQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolledhediodeandntc/shunt VCES = 2V IC nom
MehrFF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC orläufigedaten/preliminarydata
MehrFD150R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
3mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode 3mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiode / CES = IC nom = 5 / ICRM = 3 Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 600V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP25R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
EconoPIM 2mitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode EconoPIM 2withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFP50R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
FP5RKE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrF5-75R06KE3_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/ntc / VCES = 6V IC nom = 75 / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrF4-75R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFD1000R33HE3-K. VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FDR33HE3-K IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = / ICRM = 2 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF300R12KT3P_E. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF3R2KT3P_E 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereits aufgetragenemthermalinterfacematerial 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiodeandpre-applied
MehrFZ600R17KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
FZ6R17KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 6 / ICRM = 1 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R07ME4_B11. VCES = 650V IC nom = 450A / ICRM = 900A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FF5R7ME_B EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM =
MehrVorläufige Daten / Preliminary Data Typische Anwendungen Typical Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features
/ J CES = 1 IC nom = / ICRM = 6 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
MehrFF600R12ME4A_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF6R12ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VCES = 12V IC nom = 6 /
MehrFF300R12KT3P_E. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF3R12KT3P_E 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereits aufgetragenemthermalinterfacematerial 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiodeandpre-applied
MehrF3L75R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFS400R07A1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
HybridPCK 1ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPCK 1modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = 65V IC nom = 4 / ICRM = 8 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF3L100R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 100A / ICRM = 200A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrDF160R12W2H3F_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
/ J VCES = 1V IC nom = 16 / ICRM = 3 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures HighSpeedIGBTH3 HighSpeedIGBTH3 NiedrigeSchaltverluste
MehrDD800S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
e IHM-BModul IHM-Bmodule CES = 17 IC nom = 8A / ICRM = 16A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-level-applications AktiverEingang(Rückspeisung) Activefrontend(energyrecovery)
MehrFP35R12W2T4_B11. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nf
EasyPIM 2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EasyPIM 2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFP15R12W1T4_B3. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC. VCES = 1200V IC nom = 15A / ICRM = 30A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolled4diodeandntc / J VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP75R12KT4. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFB30R06W1E3. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC. VCES = 600V IC nom = 30A / ICRM = 60A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R17ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3DiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diodeandNTC / VCES = 17V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrVCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. Pre-appliedThermalInterfaceMaterial aufgetragen
IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundbereits aufgetragenemthermalinterfacematerial IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlleddiodeandpre-appliedThermal
MehrFF450R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
TechnischeInformation/TechnicalInformation FF5R7IE PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc CES = 7 IC nom = 5 / ICRM = 9 Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Hilfsumrichter Hochleistungsumrichter
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