FZ800R45KL3_B5. VCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom

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1 FZ8R45KL3_B5 hochisolierendesmodulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diode highinsulatedmodulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diode CES = 45 IC nom = 8A / ICRM = 6A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Mittelspannungsantriebe MediumoltageConverters Motorantriebe MotorDrives Multi-LevelUmrichter Multilevelinverter Traktionsumrichter TractionDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures GroßeDC-Festigkeit HighDCStability Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom CircuitCurrent HohedynamischeRobustheit HighDynamicRobustness NiedrigesCEsat LowCEsat TrenchIGBT3 TrenchIGBT3 CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures,2kACIsolationsfestigkeit.2kACIsolation AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit Capability GehäusemitCTI>6 PackagewithCTI>6 GroßeLuft-undKriechstrecken HighCreepageandClearanceDistances IsolierteBodenplatte IsolatedBasePlate ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit dateofpublication:

2 FZ8R45KL3_B5 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage Tvj = -4 C CES TC = 95 C, IC nom 8 A tp = ms ICRM 6 A TC = 25 C, Ptot 9, kw GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 8 A, GE = 5 IC = 8 A, GE = 5 CE sat 2,5 3, 2,85 3,7 IC = 7,5 ma, CE = GE, GEth 5,4 6, 6,6 GE = , CE = 28 QG 26,5 µc RGint, Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 85 nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres 3, nf CE = 45, GE =, ICES 5, ma CE =, GE = 2, IGES 4 na IC = 8 A, CE = 28 GE = ±5 RGon = 2,4 Ω td on,75,75 Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 8 A, CE = 28 GE = ±5 RGon = 2,4 Ω tr,3,3 Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 8 A, CE = 28 GE = ±5 RGoff = 7,5 Ω td off 6,6 6,9 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 8 A, CE = 28 GE = ±5 RGoff = 7,5 Ω tf,35,45 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 8 A, CE = 28, LS = 95 nh GE = ±5, di/dt = 33 A/ (Tvj=25 C) RGon =, Ω Eon 3 4 AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 8 A, CE = 28, LS = 95 nh GE = ±5, du/dt = 4 / (Tvj=25 C) RGoff = 7,5 Ω Eoff Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink GE 5, CC = 28 CEmax = CES -LsCE di/dt tp, ISC 46 proigbt/perigbt RthJC, K/kW proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 3,5 K/kW A dateofpublication:

3 FZ8R45KL3_B5 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime Tvj = -4 C RRM IF 8 A tp = ms IFRM 6 A R =, tp = ms, I²t 255 ka²s PRQM 6 kw ton min, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 8 A, GE = IF = 8 A, GE = IF = 8 A, - dif/dt = 33 A/ (Tvj=25 C) R = 28 GE = -5 F IRM 2,5 2,5 3, 3, 5 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 8 A, - dif/dt = 33 A/ (Tvj=25 C) R = 28 GE = -5 Qr 77 4 µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 8 A, - dif/dt = 33 A/ (Tvj=25 C) R = 28 GE = -5 Erec 2 24 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode RthJC 25,5 K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 2, K/kW dateofpublication:

4 FZ8R45KL3_B5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = sec ISOL,2 k RMS, f = 5 Hz, QPD pc (acc. to IEC 287) ISOL 3,5 k, fit CE D 3 AlSiC Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal AlN 56, 56, 26, 26, CTI > 6 min. typ. max. mm mm LsCE 2 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE',8 mω Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max 25 C Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op C Tstg C SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25-5,75 Nm G g M,8 8, - - 2, Nm Nm Das maximal zulässige du/dt, definiert zwischen,6 und ce, beträgt 6/. The maximum allowed dv/dt measured between,6 and ce is 6/. dateofpublication:

5 FZ8R45KL3_B5 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=25 C GE = 8 GE = 9 GE = GE = 2 GE = 5 GE = ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, CE [],, 2, 3, 4, 5, 6, 7, CE [] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=Ω,RGoff=7.5Ω,CE= Eon, Eoff, E [] GE [] dateofpublication:

6 FZ8R45KL3_B5 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=8A,CE=28 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 5 35 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT E [] ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]:,486,8 2 6,72,8 3,572,36 4,34 6,4,,,, t [s] SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=7.5Ω,Tvj=25 C DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IF [A] IC, Modul IC, Chip CE [],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 F [] dateofpublication:

7 FZ8R45KL3_B5 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) -dif/dt=33a/,ce=28 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=8A,CE=28 32 Erec, 28 Erec, E [] 6 2 E [] IF [A] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) SichererArbeitsbereichDiode,Wechselrichter(SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(R) Tvj=25 C ZthJC : Diode 2 IR, Modul 6 ZthJC [K/kW] IR [A] 2 8 i: ri[k/kw]: τi[s]: 5,222,4 2 5,,48 3 3,423,247 4,746 4,383,,,, t [s] R [] dateofpublication:

8 FZ8R45KL3_B5 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines dateofpublication:

9 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ8R45KL3_B5 dateofpublication: Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.