FF900R12IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
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1 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC orläufigedaten/preliminarydata CES = 2 IC nom = 9A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen Motorantriebe AnwendungenfürResonanzUmrichter Traktionsumrichter US-Systeme Windgeneratoren TypicalApplications MotorDrives ResonantInverterAppliccations TractionDrives UPSSystems WindTurbines ElektrischeEigenschaften ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop GroßeDC-Festigkeit Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom NiedrigeSchaltverluste SehrgroßeRobustheit CEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures ExtendedOperationTemperatureTvjop HighDCStability High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent LowSwitchingLosses UnbeatableRobustness CEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften 4kACminIsolationsfestigkeit GehäusemitCTI>4 GroßeLuft-undKriechstrecken HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit HoheLeistungsdichte SubstratfürkleinenthermischenWiderstand MechanicalFeatures 4kACminInsulation PackagewithCTI>4 HighCreepageandClearanceDistances HighPowerandThermalCyclingCapability HighPowerDensity SubstrateforLowThermalResistance ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
2 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage CES 2 Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = C, Tvj max = 75 C IC nom 9 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tp = ms ICRM 8 A Gesamt-erlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25 C, Tvj max = 75 C Ptot 5, kw Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage GES +/-2 CharakteristischeWerte/Characteristicalues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 9 A, GE = 5 IC = 9 A, GE = 5 IC = 9 A, GE = 5 Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 33, ma, CE = GE, Gateladung Gatecharge CE sat typ. max.,75 2,5 2, 2,5 GEth 5,2 5,8 6,4 GE = QG 6,4 µc InternerGatewiderstand Internalgateresistor RGint,2 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 54, nf Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = MHz,, CE = 25, GE = Cres 3, nf Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent CE = 2, GE =, ICES 5, ma Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent CE =, GE = 2, IGES 4 na td on,2,22,22 tr,,2,3 td off,66,75,79 tf,9,4,5 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 9 A, CE = 6 GE = ±5 RGon =,5 Ω Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 9 A, CE = 6 GE = ±5 RGon =,5 Ω Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 9 A, CE = 6 GE = ±5 RGoff =,5 Ω Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 9 A, CE = 6 GE = ±5 RGoff =,5 Ω EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 9 A, CE = 6, LS = 45 nh GE = ±5, di/dt = 57 A/ () RGon =,3 Ω Eon 55, 7, 8, AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 9 A, CE = 6, LS = 45 nh GE = ±5, du/dt = 32 / () RGoff =,5 Ω Eoff 85, 2 3 Kurzschlußverhalten SCdata GE 5, CC = 9 CEmax = CES -LsCE di/dt ISC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proigbt/perigbt Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 4, TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -4 preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 2 tp, 36 A 29,5 K/kW K/kW 5 C
3 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tp = ms Grenzlastintegral I²t-value R =, tp = ms, R =, tp = ms, RRM 2 IF 9 A IFRM 8 A I²t 9, 88, CharakteristischeWerte/Characteristicalues min. typ. max.,9,85,8 2,3 ka²s ka²s Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 9 A, GE = IF = 9 A, GE = IF = 9 A, GE = F Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = 6 GE = -5 IRM A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = 6 GE = -5 Qr 9, 5 95 µc µc µc AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 9 A, - dif/dt = 57 A/ (Tvj=5 C) R = 6 GE = -5 Erec 4, 8, 9, prodiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper prodiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 25,5 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -4 5 min. typ. max. R25 5, kω R/R -5 5 % P25 2, mw Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase 53,5 K/kW K/kW C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/Characteristicalues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25 C AbweichungvonR DeviationofR TC = C, R = 493 Ω erlustleistung Powerdissipation TC = 25 C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/ K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 34 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ 3433 K AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 3
4 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 5 Hz, t = min. MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kriechstrecke Creepagedistance ISOL 4, k Cu Al2O3 Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 33, 33, mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 9, 9, mm ergleichszahlderkriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 4 min. typ. RthCH 4,5 LsCE 8 nh RCC'+EE',3 mω Tstg -4 5 C SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3, - 6, Nm SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote,8-2, Nm M 8, - Nm Gewicht Weight G 825 g preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper promodul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25 C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque 4 max. K/kW
5 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=5 C ,,5, GE = 9 GE = 7 GE = 5 GE = 3 GE = GE = 9 6,5 2, CE [] 2,5 3, 3,5 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2,,5,,5 2, 2,5 3, CE [] 3,5 4, 4,5 5, SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.3Ω,RGoff=.5Ω,CE=6 8 6 Eon, Eon, Eoff, Eoff, E [] GE [] 2 preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:
6 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=9A,CE=6 TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 45 Eon, Eon, Eoff, Eoff, 4 ZthJC : IGBT 35 ZthJC [K/kW] E [] i: ri[k/kw]:, ,3 τi[s]:,8,3,5,6 5,, 2, 3, 4, RG [Ω] 5, 6, 7,,, 8, SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.5Ω,Tvj=5 C 2 IC, Modul IC, Chip 8,, t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IF [A] CE [] 2 4 preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 6,,5,,5 F [] 2, 2,5 3,
7 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.3Ω,CE=6 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=9A,CE=6 2 2 Erec, Erec, E [] E [] Erec, Erec, IF [A] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t),, 2, 3, 4, RG [Ω] 5, 6, 7, 8, 4 6 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/kW] i: ri[k/kw]: 4,5 2,7 35,4,9 τi[s]:,8,3,5,6,,,, t [s] preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision: TC [ C] 2
8 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehäuseabmessungen/packageoutlines preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 8
9 TechnischeInformation/TechnicalInformation FF9R2IE4 orläufigedaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihreanwendungsowiediebeurteilungderollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.dieangabenindengültigenanwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeerwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenertriebsbüroin erbindung(siehewww.infineon.com,ertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenertriebsbüroinerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:ac dateofpublication:23--5 approvedby:ms revision:2.4 9
DF1400R12IP4D. VCES = 1200V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
DF4R2IP4D PrimePACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,größererEmitterControlled4Diode PrimePACK 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diode / CES = 2 IC nom = 4A / ICRM = 28A TypischeAnwendungen
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ1200R17KF6C_B2. IC = 1200 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 79,0 nf
FZ2R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFZ800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FZ8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrDZ800S17K3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules
62mmC-SerienModulmitEmitterControlled³Diode 62mmC-seriesmodulewithEmitterControlled³diode Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
MehrFZ1600R17KF6C_B2. IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nf
FZ6R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFS100R12KT4G_B11. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,27 nf
FSRKTG_B EconoPACK 3ModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulePressFITwithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD-DF80R12W1H3_B52. VCES = 1200V IC nom = 40A / ICRM = 80A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undRapidDiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andRapiddiodeandPressFIT/NTC / CES = 2 IC nom = 4A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen
MehrDD400S33KL2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrIFS75B12N3E4_B31. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nf
MIPAQ basemodulmittrench/feldstoppigbt,emittercontrolleddiodeundstrommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt,emittercontrolleddiodeandcurrentsenseshunt IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrDD200S33K2C. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Modul IGBT-Module. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
e Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrFF200R33KF2C. IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 25,0 nf
FFR33KF2C IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ250R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 250A / ICRM = 500A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
e FZ25R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule CES = 65 IC nom = 25A / ICRM = 5A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrDD1200S12H4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. IHM-BModul IHM-Bmodule
e IHM-BModul IHM-Bmodule / VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter Highpowerconverters Motorantriebe Motordrives Multi-LevelUmrichter Multilevelinverter
MehrFZ1500R33HE3. IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ5R33HE3 IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = 5A / ICRM = 3A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFZ1200R45HL3. IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ2R45HL3 IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 45 IC nom = 2A / ICRM = 24A TypischeAnwendungen TypicalApplications
MehrFZ3600R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nf
FZ36R7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ2400R17KE3_B9. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 215 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 7,00 nf
FZ2R7KE3_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFD400R33KF2C-K. IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 125 C. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 50,0 nf
FD4R33KF2C-K IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrFF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R06KE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 19,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nf
FFR6KE_B 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT,EmitterControlledDiodeundMLastanschlüssen 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT,EmitterControlleddiodeandMpowerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFF100R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
mmmodulmitschnellemtrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiode mmmodulewithfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiode / VCES = V IC nom = A / ICRM = A TypischeAnwendungen TypicalApplications Hochleistungsumrichter
MehrFD150R12RT4. 34mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode 34mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
3mmModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode 3mmmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiode / CES = IC nom = 5 / ICRM = 3 Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFZ800R45KL3_B5. VCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FZ8R45KL3_B5 hochisolierendesmodulmittrench/feldstoppigbt3undemittercontrolled3diode highinsulatedmodulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diode CES = 45 IC nom = 8A / ICRM = 6A TypischeAnwendungen
MehrIFS150B12N3E4_B31. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IFS5BN3E_B3 / J VCES = V IC nom = 5A / ICRM = 3A TypischeAnwendungen TypicalApplications Motorantriebe MotorDrives Servoumrichter ServoDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste
MehrIFS100B12N3E4_B31. Strommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolledhediodeandcurrentsense shunt
IFSBN3E_B3 MIPAQ basemodulmittrench/feldstoppigbtundemittercontrolledhediodeund Strommesswiderstand MIPAQ basemodulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhediodeandcurrentsense shunt / J VCES = V
MehrDD1200S33KL2C_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom
MehrFF600R12IS4F. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
TechnischeInformation/TechnicalInformation FF6R2IS4F PrimePACK 2ModulmitschnellemIGBT2undSiCDiodefürhochfrequentesSchaltenundNTC PrimePACK 2modulewithfastIGBT2andSiCDiodeforhighfrequencyswitchingandNTC
MehrFS450R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF200R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF2R2KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R17IE4. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Module IGBT-modules
TechnischeInformation/TechnicalInformation FF5R7IE PrimePCK ModulundNTC PrimePCK moduleandntc CES = 7 IC nom = 5 / ICRM = 9 Typischenwendungen 3-Level-pplikationen Hilfsumrichter Hochleistungsumrichter
MehrFF1400R12IP4. VCES = 1200V IC nom = 1400A / ICRM = 2800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
PrimePACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC PrimePACK 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / VCES = 2V IC nom = 4A / ICRM = 28A TypischeAnwendungen
MehrFD300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FD3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R12ME3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FF45R12ME3 EconoDUL ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUL modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF3L75R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFZ3600R17HP4_B2. VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 17V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrF3L100R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 100A / ICRM = 200A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF450R12KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
FF45R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFP35R12W2T4_B11. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nf
EasyPIM 2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EasyPIM 2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4Diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFZ2400R17HP4_B28. VCES = 1700V IC nom = 2400A / ICRM = 4800A. ExtendedOperationTemperatureTvjop NiedrigesVCEsat
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 24A / ICRM = 48A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrFZ3600R17HP4_B2. VCES = 1700V IC nom = 3600A / ICRM = 7200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 7V IC nom = 36A / ICRM = 72A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenfürResonanzUmrichter ResonantInverterAppliccations
MehrVorläufige Daten / Preliminary Data Typische Anwendungen Typical Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features
/ J CES = 1 IC nom = / ICRM = 6 Typischenwendungen Typicalpplications Solarnwendungen Solarpplications ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses MechanischeEigenschaften
MehrDD1200S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
/ VCES = 1700V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications AktiverEingang(Rückspeisung) ActiveFrontend(energyrecovery) Hochleistungsumrichter
MehrFZ2400R12HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFZ400R12KS4. VCES = 1200V IC nom = 400A / ICRM = 800A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-SeriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching VCES = 12V IC nom = 4 / ICRM = 8 Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF2R2KE3 / VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = 24 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen HighFrequencySwitchingpplication Hochleistungsumrichter
MehrFZ400R65KE3. VCES = 6500V IC nom = 400A / ICRM = 800A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
FZ4R65KE3 hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 65V IC nom = 4A / ICRM = 8A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrF4-50R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandntc VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrDD600S65K3. VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A. AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit
hochisolierendesmodul highinsulatedmodule / VCES = 6500V IC nom = 600A / ICRM = 1200A TypischeAnwendungen TypicalApplications Mittelspannungsantriebe MediumVoltageConverters Traktionsumrichter TractionDrives
MehrFP75R12KT4. EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPIM 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFD1000R33HE3-K. VCES = 3300V IC nom = 1000A / ICRM = 2000A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FDR33HE3-K IHM-BModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode IHM-BmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode CES = 33 IC nom = / ICRM = 2 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF150R17KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode / VCES = 17V IC nom = 15 / ICRM = 3 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrF3L200R12W2H3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e FLRWH_B EasyPCKModulmitaktiver"NeutralPointClamp"TopologieundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithactive"NeutralPointClamp"topologyandPressFIT/NTC CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrVCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/ NTC EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC J CES = 65 IC nom = 5A / ICRM
MehrFF450R12KT4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12KT4 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiode 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode VCES = 12V IC nom = 45 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrFS400R07A1E3_H5. Technische Information / technical information. Module Label Code Barcode Code 128
TechnischeInformation/technicalinformation FSR7E3_H HybridPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPCK modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc orläufigedaten/preliminarydata
MehrFF600R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF6R12ME4 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC / VCES = 12V IC nom = 6 / ICRM = 12 Typischenwendungen
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrIFS150B12N3E4P_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e IFS5BN3EP_B MIPQ basemodulmittrench/feldstoppigbtundemittercontrolleddiodeundpressfit/bereits aufgetragenemthermalinterfacematerial MIPQ basemodulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/preapplied
MehrFF450R06ME3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF5R6ME3 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = 6V IC nom = 5 / ICRM = 9 Typischenwendungen
MehrVCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A. Pre-appliedThermalInterfaceMaterial aufgetragen
FF12R12IE5P PrimePACK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5DiodeundNTC/bereits aufgetragenemthermalinterfacematerial PrimePACK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC/pre-applied
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFF300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FF3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFF200R12KT4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KT 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIGBTandoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFS25R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS200R07N3E4R. VCES = 650V IC nom = 200A / ICRM = 400A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FSR7NER EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / VCES = 5V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS400R07A1E3_H5. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Modul IGBT-Module
TechnischeInformation/TechnicalInformation FSR7E3_H HybridPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPCK modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc CES
MehrFP25R12U1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPIM1ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC SmartPIM1modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / CES = 12 IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF600R17ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF6R17ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC / VCES = 17V IC nom = 6 /
MehrFS25R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrIFS200B12N3E4_B31. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module. Strommesswiderstand
IFS2B2N3E4_B3 MIPQ basemodulmittrench/feldstoppigbt4undemittercontrolledhediodeundntc/ Strommesswiderstand MIPQ basemodulewithtrench/fieldstopigbt4andemittercontrolledhediodeandntc/shunt VCES = 2V IC nom
MehrFP40R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS400R07A1E3_H5. Technische Information / Technical Information. Module Label Code Barcode Code 128. IGBT-Modul IGBT-Module
TechnischeInformation/TechnicalInformation e FSR7E3_H HybridPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPCK modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc CES
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrDD800S17H4_B2. VCES = 1700V IC nom = 800A / ICRM = 1600A. AlSiC base plate for increased thermal cycling Lastwechselfestigkeit
e IHM-BModul IHM-Bmodule CES = 17 IC nom = 8A / ICRM = 16A TypischeAnwendungen TypicalApplications 3-Level-Applikationen 3-level-applications AktiverEingang(Rückspeisung) Activefrontend(energyrecovery)
MehrFS30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP10R06W1E3. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC. VCES = 600V IC nom = 10A / ICRM = 20A
FPRW1E3 EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandntc / CES = IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF1200R17KP4_B2. IHM-AModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode
FFR7KP4_B2 IHM-ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode IHM-modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode VCES = 7V IC nom = / ICRM = 2 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP20R06W1E3_B11. EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC. VCES = 600V IC nom = 20A / ICRM = 40A
EasyPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPIM modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolled3diodeandpressfit/ntc / CES = 6 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 600V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP50R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
FP5RKE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFP50R12KT4G_B15. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoPIM 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EconoPIM 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC CES = 12 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFP150R07N3E4. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FP5R7NE EconoPIM ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EconoPIM modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandntc / CES = 65 IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-75R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF450R07ME4_B11. VCES = 650V IC nom = 450A / ICRM = 900A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
FF5R7ME_B EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM =
MehrFF600R12ME4A_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF6R12ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC VCES = 12V IC nom = 6 /
MehrFP25R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nf
EconoPIM 2mitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode EconoPIM 2withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung
MehrFS400R07A1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
HybridPCK 1ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC HybridPCK 1modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC VCES = 65V IC nom = 4 / ICRM = 8 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFF300R12KT3P_E. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
FF3R2KT3P_E 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereits aufgetragenemthermalinterfacematerial 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlledHEdiodeandpre-applied
MehrF5-75R06KE3_B5. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
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