VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern

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1 EasyDUALModulmitCoolSiC MOSFETundPressFIT/NTC EasyDUALmodulewithCoolSiC MOSFETandPressFIT/NTC / VDSS = 1200V ID nom = 100A / IDRM = 200A TypischeAnwendungen TypicalApplications AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen HighFrequencySwitchingapplication DC/DCWandler DC/DCconverter SolarAnwendungen Solarapplications USV-Systeme UPSsystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures HoheStromdichte Highcurrentdensity NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures IntegrierterNTCTemperaturSensor IntegratedNTCtemperaturesensor PressFITVerbindungstechnik PressFITcontacttechnology Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.0

2 MOSFET/MOSFET HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Sperrspannung Drain-sourcebreakdownvoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom,tplimitiertdurch Tjmax Pulseddraincurrent,tplimitedbyTjmax Gate-Source-Spitzenspannung Gate-sourcepeakvoltage VDSS 1200 V TH = 45 C ID nom 100 A ID puls 200 A VGSS -10/20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Einschaltwiderstand ID = 100 A, VGS = -5/15 V, RDS on 11,0 mω Drain-sourceonresistance Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Ausgangskapazität Outputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions ID=40,0mA,VDS=VGS,Tvj=25 C (testedafterigssatvgs=+20vasprecondition) VGS(th) 3,50 4,50 5,55 V VGS = -5/15 V, VDD = 800 V QG 0,25 µc RGint 1,1 Ω f = 1,00 MHz,, VDS = 800 V, VGS = 0 V Ciss 7,95 nf f = 1,00 MHz,, VDS = 800 V, VGS = 0 V Coss 0,47 nf f = 1,00 MHz,, VDS = 800 V, VGS = 0 V Crss 0,052 nf VDS = 1200 V, VGS = 0 V, IDSS 38,0 µa VDS = 0 V, VGS = 20 V, IGSS 480 na ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5/15 V ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5/15 V ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5/15 V ID = 100 A, VDS = 600 V VGS = -5/15 V ID = 100 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nh VGS = -5/15 V, di/dt = 5200 A/µs () ID = 100 A, VDS = 600 V, Lσ = 35 nh VGS = -5/15 V, du/dt = V/µs () VGS = -5/15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS di/dt RG = 10,0 Ω tp 3 µs, Tvj 25 C tp 3 µs, Tvj 150 C td on tr td off tf Eon Eoff ISC 25,0 21,5 21,5 16,5 16,5 16,5 64,5 68,0 68,0 28,0 31,0 31,0 1,40 1,45 1,50 0,645 0,665 0, promos-fet/permos-fet RthJH 0,553 K/W ns ns ns ns mj mj A A Tvj op C Revers-Diode/reverse-diode min. typ. max. Durchlassspannung IS = 100 A, VGS = -5 V 4,00 5,65 Forwardvoltage IS = 100 A, VGS = -5 V IS = 100 A, VGS = -5 V VSD 3,80 3,75 V Datasheet 2 V2.0

3 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance AbweichungvonR100 DeviationofR100 Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = 25 C R25 5,00 kω TNTC = 100 C, R100 = 493 Ω R/R -5 5 % TNTC = 25 C P25 20,0 mw R2 = R25 exp [B25/50(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/80(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/100(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Lagertemperatur Storagetemperature Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,0 kv Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,iec61140) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Al2O3 11,5 6,3 10,0 5,0 CTI > 200 min. typ. max. mm mm LsCE 9,0 nh Tstg C F N G 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Datasheet 3 V2.0

4 SichererArbeitsbereichMOSFET(SOA) safeoperatingareamosfet(soa) ID=f(VDS) VGS=-5V/+15V,Tvj=150 C,RG=3.9Ω TransienterWärmewiderstandMOSFET transientthermalimpedancemosfet ZthJH=f(t) 240 ID, Modul ID, Chip 1 Zth: Mosfet ID [A] 120 ZthJH [K/W] 0, i: ri[k/w]: τi[s]: 1 0,0383 0, ,107 0, ,363 0, ,0447 1, VDS [V] 0,01 0,001 0,01 0, t [s] AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicmosfet(typical) ID=f(VDS) VGS=15V ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicmosfet(typical) ID=f(VGS) VDS=20V Tvj = 25 C Tvj = 125 C Tvj = 150 C ID [A] 100 ID [A] ,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VDS [V] VGS [V] Datasheet 4 V2.0

5 SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=+15V/-5V,RGon=3,9Ω,RGoff=3,9Ω,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesmosfet(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=+15V/-5V,ID=100A,VDS=600V 3,0 2,5 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 15,0 13,5 12,0 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 2,0 10,5 9,0 E [mj] 1,5 E [mj] 7,5 6,0 1,0 4,5 0,5 3,0 1,5 0, ID [A] 0, RG [Ω] NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TNTC [ C] Datasheet 5 V2.0

6 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 6 V2.0

7 TrademarksofInfineonTechnologiesAG µhvic,µipm,µpfc,au-convertir,aurix,c166,canpak,cipos,cipurse,cooldp,coolgan,coolir, CoolMOS,CoolSET,CoolSiC,DAVE,DI-POL,DirectFET,DrBlade,EasyPIM,EconoBRIDGE,EconoDUAL, EconoPACK,EconoPIM,EiceDRIVER,eupec,FCOS,GaNpowIR,HEXFET,HITFET,HybridPACK,iMOTION, IRAM,ISOFACE,IsoPACK,LEDrivIR,LITIX,MIPAQ,ModSTACK,my-d,NovalithIC,OPTIGA,OptiMOS, ORIGA,PowIRaudio,PowIRStage,PrimePACK,PrimeSTACK,PROFET,PRO-SIL,RASIC,REAL3,SmartLEWIS, SOLIDFLASH,SPOC,StrongIRFET,SupIRBuck,TEMPFET,TRENCHSTOP,TriCore,UHVIC,XHP,XMC TrademarksupdatedNovember2015 OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany 2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ( Beschaffenheitsgarantie )dar.fürbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegewährleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,diegewährdafür,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendensiesichbitteandasnächstevertriebsbürovoninfineontechnologies( WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.

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