EconoPACK 2Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundNTC EconoPACK 2modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandNTC

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1 F3L2R2N2H3_B47 EconoPACK 2Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundNTC EconoPACK 2modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandNTC VCES = 2V IC nom = 5A / ICRM = 3A PotentielleAnwendungen PotentialApplications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Motorantriebe Motordrives SolarAnwendungen Solarapplications USV-Systeme UPSsystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures HighSpeedIGBTH3 HighspeedIGBTH3 NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses Tvjop=5 C Tvjop=5 C MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures 2,5kVACminIsolationsfestigkeit 2.5kVACmininsulation Lötverbindungstechnik Soldercontacttechnology RoHSkonform RoHScompliant ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V

2 F3L2R2N2H3_B47 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 2 V ICN 2 A TC = C, Tvj max = 75 C ICDC 5 A tp = ms ICRM 4 A VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 5 A VGE = 5 V VCE sat,8 2, 2,2 2,5 V V V IC = 7,6 ma, VCE = VGE, VGEth 5, 5,8 6,35 V VGE = -5 / 5 V, VCE = 35 V QG,6 µc RGint 3,8 Ω f = khz,, VCE = V, VGE = V Cies,5 nf f = khz,, VCE = V, VGE = V Cres,63 nf VCE = 2 V, VGE = V, ICES, ma VCE = V, VGE = 2 V, IGES na IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGon = 2,4 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGon = 2,4 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGoff = 2,4 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGoff = 2,4 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V, Lσ = 35 nh di/dt = 29 A/ () VGE = -5 / 5 V, RGon = 2,4 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V, Lσ = 35 nh du/dt = 28 V/ () VGE = -5 / 5 V, RGoff = 2,4 Ω VGE 5 V, VCC = 8 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,9,2,2,44,52,53,3,39,4,4,,2 3, 4,9 5,3 4,55 6,95 7,7 72 A proigbt/perigbt RthJC,62 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH, K/W Tvj op -4 5 C Datasheet 2 V

3 F3L2R2N2H3_B47 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 2 V IF A tp = ms IFRM 2 A VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = A, VGE = V IF = A, VGE = V IF = A, VGE = V IF = A, - dif/dt = 26 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V IF = A, - dif/dt = 26 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V IF = A, - dif/dt = 26 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V I²t VF IRM Qr Erec 95 85,75,7, ,5 3,6 5,5 2, 3,8 4,35 A²s A²s 2,5 V V V prodiode/perdiode RthJC,49 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) A A A µc µc µc RthCH,46 K/W Tvj op -4 5 C Datasheet 3 V

4 F3L2R2N2H3_B47 IGBT,3-Level/IGBT,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 65 V TC = 5 C, Tvj max = 75 C ICDC 5 A tp = ms ICRM 3 A VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC = 5 A VGE = 5 V VCE sat,45,6,7,9 V V V IC = 2,4 ma, VCE = VGE, VGEth 5,5 5,8 6,45 V VGE = -5 / 5 V QG,5 µc RGint 2, Ω f = khz,, VCE = V, VGE = V Cies 9,3 nf f = khz,, VCE = V, VGE = V Cres,285 nf VCE = 65 V, VGE = V, ICES, ma VCE = V, VGE = 2 V, IGES na IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGon = 3,3 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGon = 3,3 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGoff = 3,3 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V VGE = -5 / 5 V RGoff = 3,3 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V, Lσ = 35 nh di/dt = 28 A/ () VGE = -5 / 5 V, RGon = 3,3 Ω IC = 5 A, VCE = 35 V, Lσ = 35 nh du/dt = 4 V/ () VGE = -5 / 5 V, RGoff = 3,3 Ω VGE 5 V, VCC = 36 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 6, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,8,,,5,57,62,29,32,34,7,2,4 7,2 9,45, 4,5 6,4 7, 75 A proigbt/perigbt RthJC,349 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,38 K/W Tvj op -4 5 C Datasheet 4 V

5 F3L2R2N2H3_B47 Diode,3-Level/Diode,3-Level HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 65 V IF 5 A tp = ms IFRM 3 A VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF = 5 A, VGE = V IF = 5 A, VGE = V IF = 5 A, VGE = V IF = 5 A, - dif/dt = 29 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V IF = 5 A, - dif/dt = 29 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V IF = 5 A, - dif/dt = 29 A/ (Tvj=5 C) VR = 35 V VGE = -5 V I²t VF IRM Qr Erec 7 65,65,55,5 69, 89, 95, 4,4 8, 9,5,5,9 2,2 A²s A²s 2,5 V V V prodiode/perdiode RthJC,645 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) A A A µc µc µc RthCH,54 K/W Tvj op -4 5 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance AbweichungvonR DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = C R 5, kω TNTC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TNTC = C P 2, mw R2 = R exp [B/5(/T2 - /(298,5 K))] B/ K R2 = R exp [B/8(/T2 - /(298,5 K))] B/8 34 K R2 = R exp [B/(/T2 - /(298,5 K))] B/ 3433 K Datasheet 5 V

6 F3L2R2N2H3_B47 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,Anschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL 2,5 kv Basisisolierung(Schutzklasse,EN64) basicinsulation(class,iec64) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Cu Al2O3, 7,5 CTI > 2 min. typ. max. mm mm LsCE 7 nh TC= C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 2,5 mω Schraube-Montagegem.gültigerApplikationsschrift Screw-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg -4 C M 3, 6, Nm G 8 g Datasheet 6 V

7 F3L2R2N2H3_B47 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C VGE = 9V VGE = 7V VGE = 5V VGE = 3V VGE = V VGE = 9V ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VCE [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=35V Eon, Eoff, Eon, Eoff, E [] VGE [V] Datasheet 7 V

8 F3L2R2N2H3_B47 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=5A,VCE=35V SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesigbt,inverter(typical) tdon=f(ic),tr=f(ic),tdoff=f(ic),tf=f(ic) VGE=±5V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=35V,Tvj=5 C 22 2 Eon, Eoff, Eon, Eoff, tdon tr tdoff tf E [] 2 t [] 8 6, RG [Ω], SchaltzeitenIGBT,Wechselrichter(typisch) switchingtimesigbt,inverter(typical) tdon=f(rg),tr=f(rg),tdoff=f(rg),tf=f(rg) VGE=±5V,IC=5A,VCE=35V,Tvj=5 C TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) tdon ZthJC : IGBT tr tdoff tf, t [] ZthJC [K/W],, i: ri[k/w]: τi[s]:,56,679 2,347,27 3,957,6 4,6,54, RG [Ω],,,, t [s] Datasheet 8 V

9 F3L2R2N2H3_B47 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=2.4Ω,Tvj=5 C IC, Modul IC, Chip GateladungsCharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) gatechargecharacteristicigbt,inverter(typical) VGE=f(QG) IC=5A,Tvj= C VCC = 35V 2 VGE [V] VCE [V] -5,,2,4,6,8,,2,4,6 QG [µc] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3Ω,VCE=35V Erec, Erec, IF [A] E [] ,,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 VF [V] IF [A] Datasheet 9 V

10 F3L2R2N2H3_B47 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=A,VCE=35V TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 8 Erec, Erec, ZthJC : Diode E [] 4 ZthJC [K/W] 3, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,36,72 2,36,67 3,28,596 4,38,7,,,, t [s] AusgangskennlinieIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicigbt,3-level(typical) IC=f(VCE) VGE=5V AusgangskennlinienfeldIGBT,3-Level(typisch) outputcharacteristicigbt,3-level(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C VGE = 9V VGE = 7V VGE = 5V VGE = 3V VGE = V VGE = 9V ,,5,,5 2, 2,5 3, VCE [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] Datasheet V

11 F3L2R2N2H3_B47 ÜbertragungscharakteristikIGBT,3-Level(typisch) transfercharacteristicigbt,3-level(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesigbt,3-level(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=35V Eon, Eoff, Eon, Eoff, E [] VGE [V] SchaltverlusteIGBT,3-Level(typisch) switchinglossesigbt,3-level(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=5A,VCE=35V TransienterWärmewiderstandIGBT,3-Level transientthermalimpedanceigbt,3-level ZthJC=f(t) 45 4 Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 35 3 E [] 2 ZthJC [K/W] 5, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,23,72 2,782,67 3,28,596 4,297,7,,,, t [s] Datasheet V

12 F3L2R2N2H3_B47 SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesigbt,3-level(typical) tdon=f(ic),tr=f(ic),tdoff=f(ic),tf=f(ic) VGE=±5V,RGon=3.3Ω,RGoff=3.3Ω,VCE=35V,Tvj=5 C SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,3-Level(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaigbt,3-level(rbsoa) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=3.3Ω,Tvj=5 C tdon tr tdoff IC, Modul IC, Chip tf t [] 8 5, , VCE [V] SchaltzeitenIGBT,3-Level(typisch) switchingtimesigbt,3-level(typical) tdon=f(rg),tr=f(rg),tdoff=f(rg),tf=f(rg) VGE=±5V,IC=5A,VCE=35V,Tvj=5 C GateladungsCharakteristikIGBT,3-Level(typisch) gatechargecharacteristicigbt,3-level(typical) VGE=f(QG) IC=5A,Tvj= C tdon 5 VCC = 35 V tr tdoff tf t [] VGE [V] -3, , RG [Ω] -5,,3,6,9,2,5 QG [µc] Datasheet 2 V

13 F3L2R2N2H3_B47 DurchlasskennliniederDiode,3-Level(typisch) forwardcharacteristicofdiode,3-level(typical) IF=f(VF) SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesdiode,3-level(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=35V , 3,5 Erec, Erec, 2 3, ,5 IF [A] 5 E [] 2,,5 75, 5,5,,5,,5 2, 2,5 VF [V], IF [A] SchaltverlusteDiode,3-Level(typisch) switchinglossesdiode,3-level(typical) Erec=f(RG) IF=5A,VCE=35V TransienterWärmewiderstandDiode,3-Level transientthermalimpedancediode,3-level ZthJC=f(t) 4, Erec, Erec, ZthJC : Diode 3,5 3, 2,5 E [] 2, ZthJC [K/W],5,,,5, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,575,72 2,226,67 3,32,596 4,45,7,,,, t [s] Datasheet 3 V

14 F3L2R2N2H3_B47 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] TNTC [ C] Datasheet 4 V

15 F3L2R2N2H3_B47 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 5 V

16 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 8726München,Germany 28InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ( Beschaffenheitsgarantie )dar.fürbeispiele,hinweiseodertypischewerte,dieindiesemdokumententhaltensind,und/oderangaben, diesichaufdieanwendungdesproduktesbeziehen,istjeglichegewährleistungundhaftungvoninfineontechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,diegewährdafür,dasskeingeistigeseigentumdritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendensiesichbitteandasnächstevertriebsbürovoninfineontechnologies( WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinfehlerdesproduktesoderdiefolgendernutzungdesprodukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice( WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.