Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie"

Transkript

1 Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie Di :00-16:00 Uhr, Mi :00-16:00 Uhr, Fr :00-12:00 Uhr Ort: Gebäude (nfängerpraktikum) 1. Stock, Raum Kennlinie einer Diode: Mit der folgenden Schaltung soll die Kennlinie einer Diode aufgenommen werden. Die sinusförmige Eingangsspannung des Funktionsgenerators wird über einen Transformator erdfrei in die Messschaltung eingekoppelt. Der Strom durch die Diode wir über den Spannungsabfall am Widerstand gemessen. a) Übertragen Sie den Strom-Spannungsverlauf, den Sie mit dem Oszillographen in x-y Darstellung gemessen haben, in das unten stehende Diagramm. b) Wiederholen Sie die Messung in dem Sie die Siliziumdiode durch eine Germaniumdiode bzw. durch eine Zenerdiode ersetzen. c) Bestimmen Sie aus dem Diagram die Schleusenspannung der Silizium- und der Germaniumdiode und die Zenerspannung der Zenerdiode. I Diode =U y /R U Diode

2 2. Gleichrichterschaltungen: a) Bauen Sie die nachfolgende Einweg-Gleichrichterschaltung auf und messen Sie das Eingangs- und usgangssignal mit den Lastwiderständen R= 1 M k und 100 Übertragen Sie die Messungen in das Diagramm. Wo ist Wirkung der Schleusenspannung zu erkennen? U R t b) Schalten Sie einen Kondensator parallel zum Lastwiderstand und wiederholen Sie Punkt a). c) Geben Sie das Verhältnis der Spannungsschwankung U zur mplitude der maximalen Spannung U für die verschiedenen Lastwiderstände an. d) Bauen Sie die Zweiweggleichrichterschaltung auf und messen wie unter a) die Ein- und usgangsspannung und übertragen Sie sie in das Diagramm. e) Wiederholen Sie Punkt c) für diese Schaltung.

3 3. Spannungsvervielfachung: a) Bauen Sie die nachfolgend dargestellte so genannte Delon-Schaltung zur Spannungsverdopplung auf und messen Sie die Spannungen an den Knotenpunkten. Versuchen Sie die Wirkungsweise zu verstehen. b) Testen Sie die auf der Platine fertig aufgebaute Kaskadenschaltung zur Spannungsvervielfachung. Messen Sie an den eingezeichneten Punkten die Spannung um die Wirkungsweise zu verstehen. 4. Spannungsstabilisierung Mit der links stehenden Schaltung wird die Eingangsspannung mit Hilfe einer Zener-Diode stabilisiert. Es ist R1= 1 k, R2= 2.2 k und U1= 20 V. Stellen Sie zur Sicherheit die Strombegrenzung des Labornetzgerätes auf ca. 20 m.

4 a) Messen Sie die Spannung an dem Widerstand R2 und vergleichen Sie den Wert mit der Zener-Spannung der Diode. b) Belasten Sie die so erzeugte Gleichspannung mit verschiedenen Widerständen R2 und messen Sie die usgangsspannungen. c) Entfernen Sie den Widerstand R2. Variieren Sie die Eingangsspannung zwischen 0 V und 20 V. Tragen Sie den Strom I Z durch die Zener-Diode als Funktion der usgangsspannung U2 auf. d) Erweitern Sie die Schaltung aus der vorherigen ufgabe um einen Transistor (z.b. BC 550). Stellen Sie zur Sicherheit die Strombegrenzung des Labornetzgerätes auf ca. 100 m. e) Benutzen Sie die Spannung U1=15 V. Variieren Sie den Lastwiderstand R2 (4.7 k, 1 k, 200, 100 ) und messen Sie den Strom durch diesen Widerstand. Tragen Sie die Messwerte in das Diagramm ein und extrapolieren Sie auf den Lastwiderstand R=0. Wie groß ist der usgangswiderstand dieser Schaltung. I R2 R2

5 5. Transistor-Kennlinienschaltung Mit der unten stehenden Schaltung soll das usgangskennlinienfeld eins npn-transistors in der Emitter-Grundschaltung gemessen werden. Hierbei wird der Strom Ic als Funktion der Spannung Uce mit Ib als Parameter aufgetragen. Die gesuchten Ströme werden über Spannungsdifferenzen an den entsprechenden Widerständen bestimmt. Variiert wird die Spannung U3 mit dem Labornetzgerät. a) Machen Sie sich zunächst mit der Funktionsweise und dem Signallaufplan des USB- Datenaufnahmegerätes, mit dem die Spannungen gemessen werden sollen, vertraut. Gegebenenfalls können noch weitere nzeigen oder Datenmanipulationen eingefügt werden. b) Erweitern Sie die Messbereiche von Kanal 0 und Kanal 1 des USB-Datenaufnahmesystem auf U=+20 V. Kanal 2 und 3 können auf der ursprünglichen Empfindlichkeit von +2 V bleiben. c) Bauen Sie die Schaltung auf der bereitgestellten Platine auf und schließen Sie das USB- Datenaufnahmesystem an, um alle relevanten Spannungen zu messen. Es ist R1=2k,R3=100k,R4=1k und P = 10k (bereits eingebaut). d) Stellen Sie zunächst den Basisstrom Ib mit dem Potentiometer P so ein, dass bei einer Spannung U0~ 3V und U3 = 15 V die Spannung zwischen Kollektor und Emitter Uce gerade 7.5 V beträgt. e) Stellen Sie mit dem x-y-plotter Ic als Funktion von Uce und verschiedenen Basisströmen Ib dar. Die Messwerte können auch in eine Excel-Tabelle geschrieben werden. f) Wiederholen Sie e) mit erwärmtem Transistor. g) Bestimmen Sie aus dem Kennlinienfeld die Early-Spannung. für zwei verschiedene Basisströme. h) Variieren Sie die Spannung U0 bei fester Spannung U3 (z.b. 20 V). Wie erklären Sie sich den beobachteten Verlauf? i) Speisen Sie eine Sinusförmige Spannung (~1 Hz) über eine große Kapazität an die Basis des Transistor ein und beobachten Sie das Kennlinienfeld.

6 H-TRONIC USB M1 L ND1 M2 LE2 ND2 E0 - SUB1 M5 LE5 ND5 M3 LE3 ND3 E0 - SUB2 M6 LE6 ND6 M4 LE4 ND4 IN0 IN1 E2 IN2 E3 IN3 E4 IN4 E5 HTR1 IN5 IN6 IN7 E6 E7 E8 dd OFFSET PT1 PT2 RST T2 TB1 RNGE 0 N 0 NE2 X Y OX OY G1 T1 E0 SB1 1 INV1 PEN COLOR PT3 PT5 PT6 S2 PT7 RX RY D/U PW R G B FD X/Y CRS T3 SND Key HKS1 CURSOR ON/OFF PT4 S1 RST PLOT1

Transistor und einer Z-Diode

Transistor und einer Z-Diode Berechnung einer Spannungs-Stabilisierung mit einem Transistor und einer Z-Diode Mit dieser einfachen Standard-Schaltung kann man eine unstabilisierte, schwankende Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung

Mehr

Dokumentation und Auswertung. Labor. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer. 2.1 Prüfen von Transistoren 2.2 Schaltbetrieb 2.3 Kleinsignalverstärker

Dokumentation und Auswertung. Labor. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer. 2.1 Prüfen von Transistoren 2.2 Schaltbetrieb 2.3 Kleinsignalverstärker TGM Abteilung Elektronik und Technische Informatik Übungsbetreuer Dokumentation und Auswertung Prof. Zorn Labor Jahrgang 3BHEL Übung am 17.01.2017 Erstellt am 21.01.2017 von Übungsteilnehmern Übungsteilnehmer

Mehr

Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik

Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik erbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik ersuch 6 ntersuchungen an einem bipolaren Transistor Teilnehmer: Name orname Matr.-Nr. Datum

Mehr

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,

Mehr

1. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003

1. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003 1. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003 1. Versuch: Gleichstromnetzwerk Berechnen Sie für die angegebene Schaltung alle Teilströme und Spannungsabfälle. Fassen Sie diese in einer Tabelle zusammen und

Mehr

1. Beschaltung der Platine mit Operationsverstärkern (OP)

1. Beschaltung der Platine mit Operationsverstärkern (OP) Elektronikpraktikum SS 2015 5. Serie: Versuche mit Operationsverstärkern (Teil 1) U. Schäfer, A. Brogna, Q. Weitzel und Assistenten Ausgabe: 16.06.2015, Durchführung: Di. 23.06.15 13:00-17:00 Uhr Ort:

Mehr

Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie

Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS 2009 3.Serie 26.05.2009 Di. 26.05.09 4:00-6:00 Uhr, Mi. 27.05.09 4:00-6:00 Uhr, Fr. 29.05.09 0:00-2:00 Uhr Ort: Gebäude 02-43 (Anfängerpraktikum). Stock, Raum 430

Mehr

Elektronikpraktikum SS Serie O.Borodina, D. Krambrich, W. Lauth, T. Saito. Versuche mit Operationsverstärkern

Elektronikpraktikum SS Serie O.Borodina, D. Krambrich, W. Lauth, T. Saito. Versuche mit Operationsverstärkern Elektronikpraktikum SS 2010 2.Serie 26.04.2010 O.Borodina, D. Krambrich, W. Lauth, T. Saito. Mi. 28.04.10 13:00-16:00 Uhr, oder Do. 29.04.10 13:00-16:00 Uhr Ort: Gebäude 02-413 (Anfängerpraktikum) 1. Stock,

Mehr

Unterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:

Unterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.: FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:

Mehr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Freitag, den 06. März 2015 um 16:26 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:12 Uhr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Freitag, den 06. März 2015 um 16:26 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:12 Uhr Konstantstromquelle mit einem NPN-Transistor Diese Schaltung liefert einen konstanten Strom Ikonst, welcher durch RL fließt. Dabei spielt es in gewissen Grenzen keine Rolle, wie groß RL ist. Der Konstantstrom

Mehr

1. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2005

1. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2005 1. Versuch: Gleichstromnetzwerk Ohmsches Gesetz Kirchhoffsche Regeln Gleichspannungsnetzwerke Widerstand Spannungsquelle Maschen A B 82 Ohm Abbildung 1 A1 Berechnen Sie für die angegebene Schaltung alle

Mehr

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe 18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,

Mehr

Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor

Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für

Mehr

Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker

Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker 18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon

Mehr

Elektrizitätslehre und Magnetismus

Elektrizitätslehre und Magnetismus Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.

Mehr

Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008

Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008 Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 6 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008 Name: Vorname:

Mehr

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit

Mehr

Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien

Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien 15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später

Mehr

1.Einleitung: 1.1Versuchsaufbau:

1.Einleitung: 1.1Versuchsaufbau: 1.Einleitung: Bei diesem Versuch soll ein Teil eines Kennlinienfeldes eines bestimmten Transistor mit einem Oszilloskop sichtbar gemacht werden (siehe erster Quadrant in Abbildung 1). Die notwendige Variation

Mehr

Der Transistor (Grundlagen)

Der Transistor (Grundlagen) Der Transistor (Grundlagen) Auf dem Bild sind verschiedene Transistoren zu sehen. Die Transistoren sind jeweils beschriftet. Diese Beschriftung gibt Auskunft darüber, um welchen Transistortyp es sich handelt

Mehr

Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik,

Mehr

WESTFÄLISCHE WILHELMS-UNIVERSITÄT MÜNSTER Institut für Technik und ihre Didaktik Geschäftsführender Direktor: Prof. Dr. Hein

WESTFÄLISCHE WILHELMS-UNIVERSITÄT MÜNSTER Institut für Technik und ihre Didaktik Geschäftsführender Direktor: Prof. Dr. Hein WESTFÄLISCHE WILHELMS-UNIVERSITÄT MÜNSTER Institut für Technik und ihre Didaktik Geschäftsführender Direktor: Prof. Dr. Hein Lehrerfortbildung Elektronik - Versuchsanleitung Nichtlineare Bauelemente Zielsetzung

Mehr

3 Elektronische Verknüpfungsglieder

3 Elektronische Verknüpfungsglieder 3 Elektronische Verknüpfungsglieder ufgabe 27: RTL NICHT Glied.27.: Skizzieren Sie die Schaltung eines NICHT Schaltgliedes, das mit einem NPN Transistor und Widerständen aufgebaut ist (Resistor Transistor

Mehr

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs- Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen

Mehr

6 Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen

6 Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen 6 Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen Christoph Mahnke 17.5.2006 1 Sinusspannunsgenerator Im Wesentlichen ist die Verstärkung hierbei Im Versuch wurde ein Sinusspannungsgenerator gemäÿ Abb. 1 aufgebaut.

Mehr

A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.

A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet. Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage

Mehr

Transistorkennlinien und -schaltungen

Transistorkennlinien und -schaltungen ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik

Mehr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr // // Konstantstromquelle mit einem pnp-transistor - Berechnung Mit dieser einfachen Schaltung kann am Kollektor des Transistors ein konstanter Strom I gewonnen werden. Das Prinzip ist sehr einfach: An

Mehr

Versuch 2 der Bipolartransistor

Versuch 2 der Bipolartransistor PRAKTIKUM ANALOGELEKTRONIK WS 2009/2010 VERSUCH 2 1 Versuch 2 der Bipolartransistor 1. Emitterschaltung Das Aufnehmen vollständiger Kennlinien wäre viel zu zeitaufwendig. Wir beschränken uns deshalb auf

Mehr

Praktikum Analog- und Digitaltechnik. Versuch A2 Transistorschaltung

Praktikum Analog- und Digitaltechnik. Versuch A2 Transistorschaltung Praktikum Analog- und Digitaltechnik Versuch A2 Transistorschaltung Inhalt dieses Versuches: Verständnis von bipolar Transistoren als Schalter oder Verstärker Aufbau eines Brückengleichrichters Aufbau

Mehr

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009 Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2

Mehr

Grundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4

Grundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -

Mehr

Laborübung, Diode. U Ri U F

Laborübung, Diode. U Ri U F 8. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, Diode 1 Diodenkennlinie dynamisch messen Die Kennlinie der Diode kann auch direkt am Oszilloskop dargestellt werden. Das Oszilloskop bietet nämlich

Mehr

Dioden Gleichrichtung und Stabilisierung

Dioden Gleichrichtung und Stabilisierung Fachbereich Elektrotechnik und Informatik Praktikum für Messtechnik u. Elektronik Semester: Prof. Dr.-Ing. Heckmann Name: Gruppe: Fach: BME, MME Matr. Nr.: Datum: Versuch 2 Testat: Dioden Gleichrichtung

Mehr

Gegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Bild1. Aufgabenstellungen

Gegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Bild1. Aufgabenstellungen Übung1 Gegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Werte: R1= 2 kω Bild1 R2= 1kΩ U0= 6V Aufgabenstellungen Lösung Berechnen Sie die von dem Widerstand R2 aufgenommene Leistung, wenn

Mehr

Transistor. Arbeitspunkteinstellung

Transistor. Arbeitspunkteinstellung niversity of pplied Sciences ologne ampus Gummersbach Dipl.-ng. (FH) Dipl.-Wirt. ng. (FH) rbeitspunkteinstellung T-01 Der ist ein aktives auteil in der Halbleitertechnik. Er wird hauptsächlich in der Verstärkung

Mehr

Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09

Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09 Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09 Name: Vorname:

Mehr

5. Anwendungen von Dioden in Stromversorgungseinheiten

5. Anwendungen von Dioden in Stromversorgungseinheiten in Stromversorgungseinheiten Stromversorgungseinheiten ( Netzgeräte ) erzeugen die von elektronischen Schaltungen benötigten Gleichspannungen. Sie bestehen oft aus drei Blöcken: Transformator Gleichrichter

Mehr

TG TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN 30 LABORÜBUNGEN. Inhaltsverzeichnis

TG TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN 30 LABORÜBUNGEN. Inhaltsverzeichnis TG TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN Inhaltsverzeichnis 17 Elektronik und Digitaltechnik 17.1 Kennlinie Silizium-Leistungstransistor 17.2 Lichtempfindliche Alarmanlage 17.3 Temperaturüberwachung 17.4 Zeitschalter

Mehr

2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle

2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle 6 V UA(UE) 0. 1. 2. U E Abbildung 2.4: Kennlinie zu den Messwerten in Tabelle 2.1. 2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle Die LED des Optokopplers wird mittels Jumper kurzgeschlossen. Dadurch muss der Phototransistor

Mehr

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1 Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5

Mehr

Übungsserie, Bipolartransistor 1

Übungsserie, Bipolartransistor 1 13. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Bipolartransistor 1 Aufgabe 1. Invertierender Verstärker Die Abbildung 1 stellt einen invertierenden Verstärker dar. Es sei = 10 kω und = 1 kω.

Mehr

Probeklausur Elektronik (B06)

Probeklausur Elektronik (B06) Probeklausur Elektronik (B06) Bitte vor Arbeitsbeginn ausfüllen Name: Vorname: Matrikel-Nummer: Fachsemester: Datum: Unterschrift: Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner ohne Textspeicher 1DIN A4-Blatt:

Mehr

Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:

Mehr

pn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau

pn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,

Mehr

Serie 5: Operationsverstärker 2 26./

Serie 5: Operationsverstärker 2 26./ Elektronikpraktikum - SS 204 H. Merkel, D. Becker, S. Bleser, M. Steinen Gebäude 02-43 (Anfängerpraktikum). Stock, Raum 430 Serie 5: Operationsverstärker 2 26./27.06.204 I. Ziel der Versuche Aufbau und

Mehr

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1

Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1 Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht

Mehr

Schülerexperimente zur Elektronik

Schülerexperimente zur Elektronik Schülerexperimente zur Elektronik Walter Sova Diodenschaltungen 1) Welche Lämpchen leuchten jeweils bei den Schalterstellungen? 2) Für den Durchlassbereich eines bestimmten Diodentyps wurde die dargestellte

Mehr

Wechselstrom-Gegenkopplung

Wechselstrom-Gegenkopplung // Berechnung einer Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Diese Transistor-Schaltung stellt eine Abwandlung der " Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung " dar.

Mehr

Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker

Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:

Mehr

NvK-Gymnasium Bernkastel-Kues Widerstände. Physik Elektronik 1 U 5V = R= 20 = 0,25A R 20 1V 1A

NvK-Gymnasium Bernkastel-Kues Widerstände. Physik Elektronik 1 U 5V = R= 20 = 0,25A R 20 1V 1A Widerstände I R 20 = Ω U 5V I = R= 20 = Ω 0,25A U = R I 10 100Ω = 1kΩ ± 5% 402 100Ω = 40, 2kΩ ± 2% 1Ω = 1V 1A Widerstände U = R I 1Ω = 1V 1A 12 100 kω = 1, 2MΩ ± 5% 56 10Ω = 560Ω ± 10% 47 100Ω = 4,7kΩ

Mehr

Umdruck zum Versuch. Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und. Anwendung von Messgeräten

Umdruck zum Versuch. Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und. Anwendung von Messgeräten Universität Stuttgart Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik Umdruck zum Versuch Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und Anwendung von Messgeräten Bitte bringen Sie zur Versuchsdurchführung

Mehr

Temperaturmeßung mit PT-100 und 4-20mA Transmitterschaltung

Temperaturmeßung mit PT-100 und 4-20mA Transmitterschaltung Sensortechnik Temperaturmeßung mit PT- und 4-m Transmitterschaltung nhaltsverzeichnis Platin Widerstände Linearisierung orgehensweise zum Schaltungsentwurf Schaltungsaufbau mit Berechnung Platin Widerstände

Mehr

Praktikum 2: Diode, Logische Schaltungen mit Dioden und Feldeffekttransistoren

Praktikum 2: Diode, Logische Schaltungen mit Dioden und Feldeffekttransistoren PraktikantIn 1 Matrikelnr: PraktikantIn 2 Matrikelnr: Datum: Aufgabe 2 durchgeführt: Aufgabe 3 durchgeführt: Aufgabe 4a durchgeführt: Aufgabe 4b durchgeführt: Aufgabe 4c durchgeführt: Aufgabe 4d durchgeführt:

Mehr

Versuch P2-59: Operationsverstärker

Versuch P2-59: Operationsverstärker Versuch P2-59: Operationsverstärker Sommersemester 2005 Gruppe Mi-25: Bastian Feigl Oliver Burghard Inhalt Vorbereitung 0.1 Einleitung... 2 1 Emitterschaltung eines Transistors...2 1.1 Einstufiger Transistorverstärker...

Mehr

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer

Mehr

Übung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung

Übung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung Universität Stuttgart Übung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Aufgabe 2.1

Mehr

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands Auswertung zum Versuch Widerstandskennlinien und ihre Temperaturabhängigkeit Kirstin Hübner (1348630) Armin Burgmeier (1347488) Gruppe 15 2. Juni 2008 1 Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

Mehr

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden.

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden. Transistoren David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden http://hobbyelektronik.de.tl/der-erste-transistor-der-welt.htm Gliederung Was ist ein Transistor Geschichte Bipolartransistor

Mehr

Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung

Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Berechnung einer Emitterschaltung mit Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Diese Schaltung verkörpert eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung. Verwendet

Mehr

Klausur , Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5

Klausur , Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5 Klausur 18.09.2009, Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5 1 (6 Punkte) Matr.-Nr.: In der Schaltung sind die beiden Lampen identisch und die Batterie sei eine ideale Spannungsquelle.

Mehr

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von

Mehr

Die wichtigsten Eigenschaften von bipolaren Transistoren.

Die wichtigsten Eigenschaften von bipolaren Transistoren. Elektronik-Kurs Die wichtigsten Eigenschaften von bipolaren Transistoren. Es gibt 2 Arten von bipolaren Transistoren: NPN-Transistoren PNP-Transistoren Diese Bezeichnung entspricht dem inneren Aufbau der

Mehr

Universität - GH Essen Fachbereich 7 Physik PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER. E 7 - Dioden

Universität - GH Essen Fachbereich 7 Physik PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER. E 7 - Dioden niversität - GH Essen Fachbereich 7 Physik 20.9.01 PHYSIKALISCHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER Versuch: E 7 - Dioden 1. Grundlagen nterschied zwischen Leitern, Halbleitern und Isolatoren, Dotierung von Halbleitern

Mehr

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................

Mehr

3. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003

3. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003 3. Laboreinheit - Hardwarepraktikum SS 2003 1. Versuch: Operationsverstärker als Nichtinvertierender Verstärker Stellen Sie die Gleichungen zur Berechnung der Widerstände in der dargestellten Schaltung

Mehr

5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren

5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Fachbereich Physik Elektronikpraktikum 5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Stichworte zur Vorbereitung: Aufbau und Funktion, Löcherleitung, Elektronenleitung, Eingangskennlinien, Ausgangskennlinien,

Mehr

Aufg. P max 1 12 Klausur "Elektrotechnik" am

Aufg. P max 1 12 Klausur Elektrotechnik am Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 12 Klausur "Elektrotechnik" 2 12 3 12 6141 4 10 am 07.02.1997 5 16 6 13 Σ 75 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene

Mehr

Sommersemester 2014, Dauer: 90 min Elektronik/Mikroprozessortechnik

Sommersemester 2014, Dauer: 90 min Elektronik/Mikroprozessortechnik Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Sommersemester 2014, Dauer: 90 min Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Name, Vorname:

Mehr

Sommersemester Elektronik / Mikroprozessortechnik Dauer: 90 Minuten

Sommersemester Elektronik / Mikroprozessortechnik Dauer: 90 Minuten Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Sommersemester 2013 Elektronik / Mikroprozessortechnik Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name,

Mehr

Spannungen und Ströme

Spannungen und Ströme niversität Koblenz Landau Name:..... Institut für Physik orname:..... Hardwarepraktikum für Informatiker Matr. Nr.:..... Spannungen und Ströme ersuch Nr. 1 orkenntnisse: Stromkreis, Knotenregel, Maschenregel,

Mehr

NvK-Gymnasium Bernkastel-Kues. Physik Elektronik 1. Transistoren Gehäusetypen

NvK-Gymnasium Bernkastel-Kues. Physik Elektronik 1. Transistoren Gehäusetypen Transistoren Gehäusetypen Transistortypen Der Transistor pnp Modellvorstellung Wenn Wasser im B-Kanal nach C fließt, dann wird die Sperre im EC-Kanal aufgehoben und es fließt ein großer EC-Strom Transistoren

Mehr

Klausur "Elektronik und Messtechnik" am Teil: Elektronik

Klausur Elektronik und Messtechnik am Teil: Elektronik Name, Vorname: Matr.Nr.: Klausur "Elektronik und Messtechnik" 9115 am 01.10.2004 1. Teil: Elektronik Hinweise zur Klausur: Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 2 h. Zugelassene Hilfsmittel sind: Taschenrechner

Mehr

SS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker

SS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische

Mehr

Transistor. Wechselstromersatzschaltbild

Transistor. Wechselstromersatzschaltbild niversity of pplied Sciences ologne ampus ummersbach. Danielak T-0 Stand: 9.03.006; 0 uf den vorangegangenen Seiten wurde der rbeitspunkt des s durch eine Beschaltung von Widerständen definiert. Die rbeitspunkte

Mehr

v p v n Diplomprüfung Elektronik SS 2006 Montag,

v p v n Diplomprüfung Elektronik SS 2006 Montag, FH München FB 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 6 Montag, 7.7.6 Prof. Dr. Höcht Prof. Dr. Kortstock Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Name: Vorname: Sem.: Dauer der Prüfung: 9 Minuten Homogene

Mehr

Operationsverstärker

Operationsverstärker Operationsverstärker Martin Adam Versuchsdatum: 17.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 23. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................

Mehr

2. Halbleiterbauelemente

2. Halbleiterbauelemente Fortgeschrittenpraktikum I Universität Rostock» Physikalisches Institut 2. Halbleiterbauelemente Name: Daniel Schick Betreuer: Dipl. Ing. D. Bojarski Versuch ausgeführt: 20. April 2006 Protokoll erstellt:

Mehr

6. Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen

6. Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen Fortgeschrittenenpraktikum I Universität Rostock - Physikalisches Institut 6. Signalgeneratoren und gesteuerte Quellen Name: Daniel Schick Betreuer: Dipl. Ing. D. Bojarski Versuch ausgeführt: 18. Mai 2006

Mehr

Mauritius- Gymnasium Büren. Schulinternes Curriculum Sek. I. Technik

Mauritius- Gymnasium Büren. Schulinternes Curriculum Sek. I. Technik Mauritius- Gymnasium Büren Schulinternes Curriculum Sek. I Technik Mauritius-Gymnasium Büren Schulinternes Curriculum Technik Sek. I Klasse 8 Inhalte Inhaltsbezogene Kompetenzen Prozessbezogene Kompetenzen

Mehr

Fakultät für Physik Prof. Dr. M. Weber, Dr. K. Rabbertz B. An, B. Oldenburg, T. Schuh, B. Siebenborn

Fakultät für Physik Prof. Dr. M. Weber, Dr. K. Rabbertz B. An, B. Oldenburg, T. Schuh, B. Siebenborn Fakultät für Physik Prof. Dr. M. Weber, Dr. K. Rabbertz B. An, B. Oldenburg, T. Schuh, B. Siebenborn 21. November 2016 Übung Nr. A2 Inhaltsverzeichnis 2.1 Diodenkennlinien.........................................

Mehr

Bachelorprüfung FAB + MBB (Schwerpunkt Mechatronik) / Diplomprüfung MBD Seite 1 von 8. Wintersemester 2015/16 Elektronik

Bachelorprüfung FAB + MBB (Schwerpunkt Mechatronik) / Diplomprüfung MBD Seite 1 von 8. Wintersemester 2015/16 Elektronik Bachelorprüfung FAB + MBB (Schwerpunkt Mechatronik) / Diplomprüfung MBD Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester

Mehr

Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen

Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen

Mehr

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12 Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten

Mehr

RC - Breitbandverstärker

RC - Breitbandverstärker Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll

Mehr

E 1 - Grundversuche Elektrizitätslehre

E 1 - Grundversuche Elektrizitätslehre Universität - GH Essen Fachbereich 7 - Physik PHYSIKALISCHES PRAKIKUM FÜR ANFÄNGER Versuch: E 1 - Grundversuche Elektrizitätslehre Mit diesem Versuch sollen Sie in die Messung elektrischer Grundgrößen

Mehr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Montag, den 09. März 2015 um 07:46 Uhr - Aktualisiert Montag, den 09. März 2015 um 08:11 Uhr

Geschrieben von: Volker Lange-Janson Montag, den 09. März 2015 um 07:46 Uhr - Aktualisiert Montag, den 09. März 2015 um 08:11 Uhr // // // Spannungs-Stabilisierung mit einer Z-Diode - Berechnung Diese Grundschaltung einer Spannungsstabilisierung stellt die einfachste Anwendung einer Zenerdiode dar. Die Schaltung wandelt eine schwankende

Mehr

PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR

PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker

Mehr

Versuche mit der USB-Box und der Scope-Software

Versuche mit der USB-Box und der Scope-Software Versuche mit der USB-Box und der Scope-Software Die USB-Box erlaubt eine einfache Verarbeitung von analogen Signalen mit dem Computer. Hierfür stehen 4 Eingänge (2 mal ±1V und 2 mal ±10V) bereit. Mit der

Mehr

Messung kleiner Spannungssignale - Verstärker I

Messung kleiner Spannungssignale - Verstärker I Messtechnik-Praktikum 13.05.08 Messung kleiner Spannungssignale - Verstärker I Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie einen Übertrager mit Eisenkern (Transformator) auf. Versuchen

Mehr

Labor. Dokumentation und Auswertung. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer H Stromquellen. Note: Page 1/19. Übungsbetreuer Prof.

Labor. Dokumentation und Auswertung. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer H Stromquellen. Note: Page 1/19. Übungsbetreuer Prof. TGM Abteilung Elektronik und Technische Informatik Dokumentation und Auswertung Labor Jahrgang 3BHEL Übung Übungsbetreuer Prof. Melchart Übung am 07.03.2017 Erstellt am 11.03.2017 von Pascal Zöhrer Übungsteilnehmer

Mehr

Übungsserie: Diode 1

Übungsserie: Diode 1 7. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie: Diode 1 1 Vorbereitung Eine Zenerdiode ist so gebaut, dass der Betrieb im Durchbruchbereich sie nicht zerstört. Ihre Kennlinie ist in Abb. 1 dargestellt.

Mehr

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2

Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. Biechl Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Messungen mit dem Oszilloskop Lernziel: Dieser Praktikumsversuch

Mehr

Testat zu Versuch 4 Variante 6 SS14

Testat zu Versuch 4 Variante 6 SS14 Testat zu Versuch 4 Variante 6 SS14 Name: Vorname: Matrikel.-Nr.: 1. Eine Wechselspannung mit einer Amplitude von U e = 24 V, fe = 2 khz soll mittels eines Einweggleichrichters gleichgerichtet werden.

Mehr