8.5. Störstellenleitung
|
|
- Kirsten Bader
- vor 8 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 8.5. Störstellenleitung Hochreiner HL ist auch bei Zimmertemperatur schlecht leitfähig geringste Verunreinigungen ändern das dramatisch Frühe Forschung an HL gab widersprüchliche Ergebnisse, HL galten als unkontrollierbarer Dreck Gezielter Einbau von Verunreinigungen macht HL kontrollierbar, setzt aber extrem sauberes Material voraus (Bsp Si: >99,9999% Reinheit)
2 Lage der Störstellenniveaus in Si und GaAs Störstellen nahe der Bandkanten stellen bei Zimmertemperatur Ladungsträger zur Verfügung: n bzw p-dotierung Besonderheit GaAs: Si (IV-wertig) kann n- oder p-dotierend wirken, je nachdem, ob Ga (III) oder As (V) ersetzt wird.
3 Temperaturabhängigkeit der Elektronenkonzentration im Leitungsband bei einem n-dotierten Halbleiter: kontrollierbar isolierend Niedrige Temperatur: nicht alle Störstellen sind ionisiert, mit steigender Temperatur nimmt die Anzahl der ionisierten Donatoren zu 2. Mittlere Temperatur: alle Störstellen sind ionisiert, die Temperatur ist aber zu niedrig, um signifikant Elektronen aus dem Valenzband thermisch ins Leitungsband zu heben 3. Hohe Temperatur: Durch thermische Anregung werden viele Elektronen aus VB ins LB gehoben
4 Dotierung erlaubt es, die Ladungsträgerart und dichte nach Wunsch einzustellen n-dotierter HL: n N D, p-dotierter HL: p N A N D, N A sind Donator- bzw. Akzeptordichte Auch hier gilt : n p = n i2, aber wegen der Dotierung ist n p Beispiel: Silizium hat bei Zimmertemperatur n i = 1.6x10 10 cm -3 n i2 = 2.56x10 20 cm -3 Intrinsisches Silizium also n=p=n i, n + p = 3.2x10 10 cm -3 z.b. n-dotiert mit N D = cm -3 n = cm -3 n+p, und p = n i2 / cm -3 = 2.56x10 4 cm -3 Die durch Dotierung eingebrachte Ladungsträgerart heißt Majoritätsladungsträger, die jeweils andere heißt Minoritätsladungsträger
5 8.6. pn-diode Durchlaßrichtung: Strom fließt Sperr-Richtung: Strom fließt (nahezu) nicht Anwendung: Gleichrichtung von Wechselstrom Detektion von hochfrequenten Wellen später: Leuchtdioden
6 Aufbau: pn-übergang bewegliche Elektronen bewegliche Löcher Im Gleichgewicht muß die Fermi-Energie überall gleich sein. Bewegliche Ladungsträger fließen, um den Unterschied in E F auszugleichen Ionisierte Störstellen bleiben zurück, lokale Ladungsdichte: E-Feld
7 Elektrostatik eines pn-übergangs: Poisson-Gleichung 2 dv dx 2 = ρ(x)/ εε Verarmungszone oder Raumladungszone. Breite W 2εε 0 NA + ND = V bi e NAN D 1/2 en x 0: E(x) = A (x + x p) εε 0 en x 0: E(x) = D (x x n) εε 0 E(x) dv(x) = dx
8 Gleichgewicht (V=0) Sperrrichtung Durchlassrichtung
9 Externe Spannung = 0: Ladungsträger driften im Feld der Raumladungszone, gleichzeitig diffundieren Ladungsträger in die entgegengesetzte Richtung Gesamtstrom = 0 Durchlaßrichtung: Potentialbarriere V bi wird vermindert, Diffusion erhöht sich, Strom fließt Sperr-Richtung: Potentialbarriere noch größer, Diffusion unterdrückt, übrig bleibt der Driftstrom = Sperrstrom Insgesamt: ev I= IS exp 1 kt
10 I Ge Si GaAs E g (in ev): I S U (V) ev I= IS exp 1 kt Bei Strömen im ma-bereich und typischen Abmessungen sieht man eine Vorwärtsspannung etwas unterhalb E g
11 8.7 Solarzellen Bei Beleuchtung werden Elektron-Loch- Paare erzeugt, die schnell wieder rekombinieren Homogen dotierter HL: keine Stromerzeugung, nur Photowiderstand (z.b. Belichtungsmesser) pn-diode hat eingebautes Feld: trennt e-h- Paare schneller, als sie rekombinieren können
12 Diodenkennlinie um den Photostrom verschoben
13 Diode in Sperr-Richtung Diode verträgt nicht beliebig hohe Sperr-Spannung Durchbruch in Sperr-Richtung entweder Lawinendurchbruch oder Zenerdurchbruch Letzterer kann auch als Spannungsregler verwendet werden
14 Grundprinzip: pn-kontakt in Durchlaßrichtung Elektronen und Löcher rekombinieren und senden Licht aus am besten direkter HL p n Symbol:
15 Halbleiter für die Optoelektronik
16 Halbleiter für die Optoelektronik
17
18
19
20
21
22
23
24 8.9 Der Bipolartransistor Aufbau: pnp oder npn-schichtfolge mit dünner Schicht in der Mitte Benennung: Emitter, Basis, Kollektor p + n p E B C pnp npn Die Diode im Schaltsymbol gibt die Basis-Emitter-Diode an. Richtung des Pfeils: pnp- oder npn-transistor
25 Funktionsprinzip Hier gezeigt an der Basis-Schaltung Emitter-Basis-Diode in Durchlaßrichtung: Hoher Strom fließt, weil Emitter hoch dotiert ist. Basis-Kollektor-Diode in Sperr-Richtung: Löcher aus dem Emitter sind Minoritätsladungsträger in dieser Diode. Sie werden beschleunigt (Driftstrom, Sperr -Strom) Basis sehr dünn, schwach dotiert der größte Teil des Stromes fließt in den Kollektor weiter
26 Kennlinien Emitter-Basisdiode über U BE gesteuert Kollektorstrom etwa gleich Emitterstrom, wenn U CB groß genug ist.
27 Einsatz Der Transistor wirkt als Verstärker: ein kleiner Basisstrom wird ca 100x verstärkt und fließt als Kollektorstrom An/Ausschalten des Transistors geschieht über die Basis-Emitterdiode Schalten und lineares Verstärken möglich
28 Grundidee zum Verständnis Der Transistor versucht, U BE etwas über der Durchlaßspannung zu halten. Dazu wird der Emitterstrom erhöht oder abgesenkt Der Kollektorstrom ist Emitterstrom Dazu braucht man einen kleinen Basisstrom
29 Beispiel: Invertierender Verstärker + R C Eingang Ausgang R E Wechselspannungsverstärkung ca R C /R E (falls Stromverstärkung ausreicht, etc) -
30 8.10 Der MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor: Auf p-dotiertes Silizium wird eine dünne Oxidschicht aufgebracht Über der Oxidschicht wird eine Metallschicht aufgebracht Liegt zwischen Substrat und Metall eine positive Spannung, werden Minoritätsladungsträger (hier Elektronen) zur Oxidschicht hingezogen Dort rekombinieren sie mit Löchern, es bildet sich eine dünne Verarmungszone unterhalb des Oxids Wird die Spannung über einen Schwellwert erhöht, steigt die Elektronenkonzentration unter dem Oxid. Es gibt nicht genug Löcher zur Rekombination -> eine dünne, n-leitende Schicht (Inversionsschicht) entsteht unter der Oxidschicht U MS <Schwellspannung U MS >Schwellspannung
31 Einfaches Verständnis Gateelektrode und HL-Kanal bilden einen Plattenkondensator Durch Anlegen einer Gatespannung ändert man die Ladung, und damit die Ladungsträgerdichte im HL Widerstand ändert sich SiO V G n n p, εr = 3.9 Kein Steuerstrom erforderlich: Gate ist isolierend leistungslose Steuerung
32 Genauer: Bandschema von oben nach unten E Metall Oxid Halbleiter Ohne Gatespannung sind E F im Metall, Oxid und HL gleich Hier für den Spezialfall gezeichnet, daß dann keine Bandverbiegung auftritt
33 Verarmung,Inversion, 2DEG Elektronen ohne Gatespannung Löcher leicht positives V G : Löcher verschwinden (Verarmung) 2DEG stärkere Gatespannung: Inversion (Elektronen statt Löcher) metallischer Zustand im LB: zweidimensionales Elektronengas (2DEG)
34 Typische Kennlinien Strom im Kanal Sättigung bei großer Source-Drain-Spannnung Gatespannung lineares Regime: Widerstand über V G einstellbar Spannung zwischen Source-Drain-Kontakt
35 Ohne Gatespannung: Source, Drain n-hl, Kanal p-hl: eine pn-diode sperrt immer, kein Strom Mit Gatespannung: ziehe Elektronen unter das Gate: n-kanal, Widerstand einstellbar (lineares Regime) Mit Gatespannung und hoher Source-Drain-Spannung: Berücksichtige Spannungsabfall im Kanal: lokale Spannung zwischen HL und Gate unterschiedlich Sättigung der Kurven V G n V D > n p Stromfluß
36 NMOS PMOS
37 CMOS CMOS-Technik: Einer der beiden MOSFETs ist immer aus geringer Stromverbrauch Übliche Technik für Mikroprozessoren, etc
38 Charge Coupled Device (CCD) Nobelpreis 2009: Willard S. Boyle und George E. Smith CCD-Sensoren sind in Digitalkameras, Videokameras, astronomischen Instrumenten, Röntgenkameras, Scannern, eingebaut Licht Serie von Gate-Elektroden erzeugt lokale Töpfe für Elektronen Lichteinfall erzeugt Elektronen in den Töpfen Diese werden durch das Bauelement durchgeschoben zeilenweises Auslesen der Information
39 Eine CCD-Zeile: 3 Gruppen von Gateelektroden Elektronen werden durchgeschoben und am Ende aufgefangen, Signal wird ausgewertet Wikipedia CCD-Sensor für die Astronomie
40 8.11 Heterostrukturen und Quanten-Hall-Effekt Grundproblem der HL-Technologie: Dotierung Brauche Dotierung, um Ladungsträger zu erzeugen Dotierung sind Störstellen Ladungsträger streuen höherer Widerstand Lösung: Räumliche Trennung von Dotierstoffen und Transportkanal Dazu MOSFET mit schwach dotiertem Kanal oder GaAs/AlGaAs-Heterostruktur
41 Dotierte Heterostruktur: Dotierung: Si zweidimensionales Elektronengas e - Energie E F GaAs AlGaAs Dotierung sitzt im AlGaAs, Elektronen fallen ins GaAs (weil die Bandlücke kleiner ist) GaAs sehr rein: hohe Beweglichkeit
42 Bei tiefer Temperatur erreicht man hohe Beweglichkeit (Bei Zimmertemperatur dominiert Phononenstreuung)
43 Quanten-Hall-Effekt Quanten-Hall-Effekt 1/6 1/8 1/10 Meßgeometrie für Hall- und Quanten-Hall-Effekt (QHE) Voraussetzungen für QHE: Zweidimensionales Elektronengas, tiefe Temperatur, hohe Beweglichkeit, hohes Magnetfeld ρ xy (h/2e 2 ) Shubnikov de Haas-Oszillationen
44 Quanten-Hall-Effekt ε μ B >> 1 hω = c n=1 h eb m* Grundlage: im hohen Magnetfeld gibt es keine kontinuierlichen Zustände wie für freie Elektronen Stattdessen Landau-Niveaus, ähnlich harmonischer Oszillator n=0 Dadurch Oszillationen im Widerstand und Plateaus in der Hallspannung ε o B=0 D(ε) Es zeigt sich, daß die Plateau-Werte hochgenau reproduziert werden können Verwendung als Widerstandsnormal
7. Unipolare Transistoren, MOSFETs
7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden
Mehr8. Halbleiter-Bauelemente
8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
MehrJFET MESFET: Eine Einführung
JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,
MehrGrundlagen der Datenverarbeitung
Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
Mehrh- Bestimmung mit LEDs
h- Bestimmung mit LEDs GFS im Fach Physik Nicolas Bellm 11. März - 12. März 2006 Der Inhalt dieses Dokuments steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation http://www.gnu.org/copyleft/fdl.html Inhaltsverzeichnis
Mehr= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden
2. Halbleiter-Bauelemente 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden Zu 2.1: Fermi-Energie Fermi-Energie E F : das am absoluten Nullpunkt oberste besetzte
MehrFormelsammlung Baugruppen
Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in
MehrFachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger
UniversitätÉOsnabrück Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger Der Transistor als Schalter. In vielen Anwendungen der Impuls- und Digital- lektronik wird ein Transistor als einfacher in- und Aus-Schalter
MehrArbeitspunkt einer Diode
Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von
MehrFeldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie
MehrHalbleitergrundlagen
Halbleitergrundlagen Energie W Leiter Halbleiter Isolator Leitungsband Verbotenes Band bzw. Bandlücke VB und LB überlappen sich oder LB nur teilweise mit Elektronen gefüllt Anzahl der Elektronen im LB
MehrE l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:
MehrElektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor
Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor 1. Einleitung Transistoren spielen eine zentrale Rolle in der Elektronik. Die Anzahl der Anwendungen ist sehr vielfältig. Daher
MehrDabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode
Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann
MehrInhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1
Inhaltsverzeichnis Dioden...2 Allgemein...2 Kenngrößen...2 Anlaufstrom...2 Bahnwiderstand...2 Sperrschichtkapazität...2 Stromkapazität...3 Durchbruchspannung...3 Rückerholungszeit...3 Diodenarten...3 Backward-Diode...3
MehrEM-Wellen. david vajda 3. Februar 2016. Zu den Physikalischen Größen innerhalb der Elektrodynamik gehören:
david vajda 3. Februar 2016 Zu den Physikalischen Größen innerhalb der Elektrodynamik gehören: Elektrische Stromstärke I Elektrische Spannung U Elektrischer Widerstand R Ladung Q Probeladung q Zeit t Arbeit
MehrTO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen
Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen
MehrLineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren
Lineargleichungssysteme: Additions-/ Subtraktionsverfahren W. Kippels 22. Februar 2014 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Lineargleichungssysteme zweiten Grades 2 3 Lineargleichungssysteme höheren als
MehrLernaufgabe: Halbleiterdiode 1
1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen
MehrVorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente
Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Marcel Köpke & Axel Müller 15.06.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 3 2 Aufgaben 7 2.1 Temperaturabhängigkeit............................ 7 2.2 Kennlinien....................................
MehrTechnical Note Nr. 101
Seite 1 von 6 DMS und Schleifringübertrager-Schaltungstechnik Über Schleifringübertrager können DMS-Signale in exzellenter Qualität übertragen werden. Hierbei haben sowohl die physikalischen Eigenschaften
MehrComenius Schulprojekt The sun and the Danube. Versuch 1: Spannung U und Stom I in Abhängigkeit der Beleuchtungsstärke E U 0, I k = f ( E )
Blatt 2 von 12 Versuch 1: Spannung U und Stom I in Abhängigkeit der Beleuchtungsstärke E U 0, I k = f ( E ) Solar-Zellen bestehen prinzipiell aus zwei Schichten mit unterschiedlichem elektrischen Verhalten.
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der
MehrHalbleiterbauelemente
Mathias Arbeiter 20. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Halbleiterbauelemente Statische und dynamische Eigenschaften von Dioden Untersuchung von Gleichrichterschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Schaltverhalten
MehrAnleitung über den Umgang mit Schildern
Anleitung über den Umgang mit Schildern -Vorwort -Wo bekommt man Schilder? -Wo und wie speichert man die Schilder? -Wie füge ich die Schilder in meinen Track ein? -Welche Bauteile kann man noch für Schilder
MehrMOS-Kapazität als Speicher freier Ladungsträger
MOS-Kapazität als Speicher freier Ladungsträger Werden freie Elektronen der Grenzschicht zugeführt, z.b. durch inneren Photoeffekt, kompensieren diese teilweise die positive Ladung auf dem Gate es sind
MehrElektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente
Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert
MehrMosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.
Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06
MehrLehrer: Einschreibemethoden
Lehrer: Einschreibemethoden Einschreibemethoden Für die Einschreibung in Ihren Kurs gibt es unterschiedliche Methoden. Sie können die Schüler über die Liste eingeschriebene Nutzer Ihrem Kurs zuweisen oder
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht
MehrOutlook. sysplus.ch outlook - mail-grundlagen Seite 1/8. Mail-Grundlagen. Posteingang
sysplus.ch outlook - mail-grundlagen Seite 1/8 Outlook Mail-Grundlagen Posteingang Es gibt verschiedene Möglichkeiten, um zum Posteingang zu gelangen. Man kann links im Outlook-Fenster auf die Schaltfläche
MehrRFH Rheinische Fachhochschule Köln
4. 8 Meßzangen für Strom und Spannung Für die Messung von hohen Strömen oder Spannungen verwendet man bei stationären Anlagen Wandler. Für die nichtstationäre Messung von Strömen und Spannung, verwendet
MehrVersuch 33: Photovoltaik - Optische und elektrische Charakterisierung von Solarzellen Institut für Technische Physik II
Versuch 33: Photovoltaik - Optische und elektrische Charakterisierung von Solarzellen Institut für Technische Physik II Photovoltaik:Direkte Umwandlung von Strahlungsenergie in elektrische Energie Anregung
Mehr1. Theorie: Kondensator:
1. Theorie: Aufgabe des heutigen Versuchstages war es, die charakteristische Größe eines Kondensators (Kapazität C) und einer Spule (Induktivität L) zu bestimmen, indem man per Oszilloskop Spannung und
MehrAnleitung zur Erstellung von Serienbriefen (Word 2003) unter Berücksichtigung von Titeln (wie Dr., Dr. med. usw.)
Seite 1/7 Anleitung zur Erstellung von Serienbriefen (Word 2003) unter Berücksichtigung von Titeln (wie Dr., Dr. med. usw.) Hier sehen Sie eine Anleitung wie man einen Serienbrief erstellt. Die Anleitung
MehrInfo zum Zusammenhang von Auflösung und Genauigkeit
Da es oft Nachfragen und Verständnisprobleme mit den oben genannten Begriffen gibt, möchten wir hier versuchen etwas Licht ins Dunkel zu bringen. Nehmen wir mal an, Sie haben ein Stück Wasserrohr mit der
MehrFür alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.
Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.
MehrL10N-Manager 3. Netzwerktreffen der Hochschulübersetzer/i nnen Mannheim 10. Mai 2016
L10N-Manager 3. Netzwerktreffen der Hochschulübersetzer/i nnen Mannheim 10. Mai 2016 Referentin: Dr. Kelly Neudorfer Universität Hohenheim Was wir jetzt besprechen werden ist eine Frage, mit denen viele
MehrMarkus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
MehrPraktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.
Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll
MehrWasserkraft früher und heute!
Wasserkraft früher und heute! Wasserkraft leistet heute einen wichtigen Beitrag zur Stromversorgung in Österreich und auf der ganzen Welt. Aber war das schon immer so? Quelle: Elvina Schäfer, FOTOLIA In
MehrErstellen von x-y-diagrammen in OpenOffice.calc
Erstellen von x-y-diagrammen in OpenOffice.calc In dieser kleinen Anleitung geht es nur darum, aus einer bestehenden Tabelle ein x-y-diagramm zu erzeugen. D.h. es müssen in der Tabelle mindestens zwei
MehrC04 Operationsverstärker Rückkopplung C04
Operationsverstärker ückkopplung 1. LITEATU Horowitz, Hill The Art of Electronics Cambridge University Press Tietze/Schenk Halbleiterschaltungstechnik Springer Dorn/Bader Physik, Oberstufe Schroedel 2.
Mehrρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C)
134.163 Grundlagen der Elektronik - Übungsbeispiele für den 11.05.2016 Beispiel C1: Berechnen Sie den Widerstand einer Glühlampe mit einem Wolframdraht von 0,024 mm Durchmesser und 30 cm Länge bei Raumtemperatur
MehrBeispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte
Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,
MehrLaborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
Mehr5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden
5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,
MehrS7-Hantierungsbausteine für R355, R6000 und R2700
S7-Hantierungsbausteine für R355, R6000 und R2700 1. FB90, Zyklus_R/W Dieser Baustein dient zur zentralen Kommunikation zwischen Anwenderprogramm und dem Modul R355 sowie den Geräten R6000 und R2700 über
MehrHandbuch ECDL 2003 Modul 2: Computermanagement und Dateiverwaltung Der Task-Manager
Handbuch ECDL 2003 Modul 2: Computermanagement und Dateiverwaltung Der Task-Manager Dateiname: ecdl2_03_05_documentation Speicherdatum: 22.11.2004 ECDL 2003 Modul 2 Computermanagement und Dateiverwaltung
MehrErstellen einer Collage. Zuerst ein leeres Dokument erzeugen, auf dem alle anderen Bilder zusammengefügt werden sollen (über [Datei] > [Neu])
3.7 Erstellen einer Collage Zuerst ein leeres Dokument erzeugen, auf dem alle anderen Bilder zusammengefügt werden sollen (über [Datei] > [Neu]) Dann Größe des Dokuments festlegen beispielsweise A4 (weitere
MehrGrundlagen der Elektronik
Grundlagen der Elektronik Wiederholung: Elektrische Größen Die elektrische Stromstärke I in A gibt an,... wie viele Elektronen sich pro Sekunde durch den Querschnitt eines Leiters bewegen. Die elektrische
MehrKleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren
MehrFestigkeit von FDM-3D-Druckteilen
Festigkeit von FDM-3D-Druckteilen Häufig werden bei 3D-Druck-Filamenten die Kunststoff-Festigkeit und physikalischen Eigenschaften diskutiert ohne die Einflüsse der Geometrie und der Verschweißung der
Mehrecaros2 - Accountmanager
ecaros2 - Accountmanager procar informatik AG 1 Stand: FS 09/2012 Inhaltsverzeichnis 1 Aufruf des ecaros2-accountmanager...3 2 Bedienung Accountmanager...4 procar informatik AG 2 Stand: FS 09/2012 1 Aufruf
MehrDigitaltechnik. TI-Tutorium. 29. November 2011
Digitaltechnik TI-Tutorium 29. November 2011 Themen Schaltsymbole Transistoren CMOS nächstes Übungsblatt 2 Aufgaben Schaltsymbole Widerstand npn-transistor Widerstand pnp-transistor Glühlampe pmos Transistor
MehrWas ist das Budget für Arbeit?
1 Was ist das Budget für Arbeit? Das Budget für Arbeit ist ein Persönliches Geld für Arbeit wenn Sie arbeiten möchten aber nicht mehr in einer Werkstatt. Das gibt es bisher nur in Nieder-Sachsen. Und in
Mehr1. Adressen für den Serienversand (Briefe Katalogdruck Werbung/Anfrage ) auswählen. Die Auswahl kann gespeichert werden.
Der Serienversand Was kann man mit der Maske Serienversand machen? 1. Adressen für den Serienversand (Briefe Katalogdruck Werbung/Anfrage ) auswählen. Die Auswahl kann gespeichert werden. 2. Adressen auswählen,
MehrLichtbrechung an Linsen
Sammellinsen Lichtbrechung an Linsen Fällt ein paralleles Lichtbündel auf eine Sammellinse, so werden die Lichtstrahlen so gebrochen, dass sie durch einen Brennpunkt der Linse verlaufen. Der Abstand zwischen
MehrKennlinienaufnahme elektronische Bauelemente
Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines
MehrAnleitung für Zusammenbau und Anschluss der kontaktgesteuerten Elektronikzündung, Version 4
Anleitung für Zusammenbau und Anschluss der kontaktgesteuerten Elektronikzündung, Version 4 1. Beschreibung Diese Elektronische Zündung ist die einfachste Nachbesserung für Motorräder mit Kontaktzündung.
MehrDeR sonne. www.sonnenkraft.de
strom aus DeR sonne ihre solar-photovoltaik-anlage jetzt in bewährter sonnenkraft-qualität www.sonnenkraft.de Die ganze KRaFt DeR sonne. gratis! Seit 4,57 Milliarden Jahren geht die Sonne auf. Und jeden
MehrIm Prinzip wie ein Fotokopierer
Im Prinzip wie ein Fotokopierer Mit diesem Experiment kannst Du das Grundprinzip verstehen, wie ein Fotokopierer funktioniert. Du brauchst : Styropor-Kügelchen Im Bild sind welche abgebildet, die es in
MehrKondensatoren ( Verdichter, von lat.: condensus: dichtgedrängt, bezogen auf die elektrischen Ladungen)
Der Kondensator Kondensatoren ( Verdichter, von lat.: condensus: dichtgedrängt, bezogen auf die elektrischen Ladungen) Kondensatoren sind Bauelemente, welche elektrische Ladungen bzw. elektrische Energie
MehrAutoCAD 2007 - Dienstprogramm zur Lizenzübertragung
AutoCAD 2007 - Dienstprogramm zur Lizenzübertragung Problem: Um AutoCAD abwechselnd auf mehreren Rechnern einsetzen zu können konnte man bis AutoCAD 2000 einfach den Dongle umstecken. Seit AutoCAD 2000i
MehrEinführung in. Logische Schaltungen
Einführung in Logische Schaltungen 1/7 Inhaltsverzeichnis 1. Einführung 1. Was sind logische Schaltungen 2. Grundlegende Elemente 3. Weitere Elemente 4. Beispiel einer logischen Schaltung 2. Notation von
MehrWürfelt man dabei je genau 10 - mal eine 1, 2, 3, 4, 5 und 6, so beträgt die Anzahl. der verschiedenen Reihenfolgen, in denen man dies tun kann, 60!.
040304 Übung 9a Analysis, Abschnitt 4, Folie 8 Die Wahrscheinlichkeit, dass bei n - maliger Durchführung eines Zufallexperiments ein Ereignis A ( mit Wahrscheinlichkeit p p ( A ) ) für eine beliebige Anzahl
MehrWas meinen die Leute eigentlich mit: Grexit?
Was meinen die Leute eigentlich mit: Grexit? Grexit sind eigentlich 2 Wörter. 1. Griechenland 2. Exit Exit ist ein englisches Wort. Es bedeutet: Ausgang. Aber was haben diese 2 Sachen mit-einander zu tun?
MehrSimulation LIF5000. Abbildung 1
Simulation LIF5000 Abbildung 1 Zur Simulation von analogen Schaltungen verwende ich Ltspice/SwitcherCAD III. Dieses Programm ist sehr leistungsfähig und wenn man weis wie, dann kann man damit fast alles
MehrProfessionelle Seminare im Bereich MS-Office
Der Name BEREICH.VERSCHIEBEN() ist etwas unglücklich gewählt. Man kann mit der Funktion Bereiche zwar verschieben, man kann Bereiche aber auch verkleinern oder vergrößern. Besser wäre es, die Funktion
MehrF-Praktikum Physik: Photolumineszenz an Halbleiterheterostruktur
F-Praktikum Physik: Photolumineszenz an Halbleiterheterostruktur David Riemenschneider & Felix Spanier 31. Januar 2001 1 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 3 2 Auswertung 3 2.1 Darstellung sämtlicher PL-Spektren................
MehrElektronik- und Messtechniklabor, Messbrücken. A) Gleichstrom-Messbrücken. gespeist. Die Brücke heisst unbelastet, weil zwischen den Klemmen von U d
A) Gleichstrom-Messbrücken 1/6 1 Anwendung und Eigenschaften Im Wesentlichen werden Gleichstrommessbrücken zur Messung von Widerständen eingesetzt. Damit können indirekt alle physikalischen Grössen erfasst
MehrHandbuch ECDL 2003 Basic Modul 5: Datenbank Access starten und neue Datenbank anlegen
Handbuch ECDL 2003 Basic Modul 5: Datenbank Access starten und neue Datenbank anlegen Dateiname: ecdl5_01_02_documentation_standard.doc Speicherdatum: 14.02.2005 ECDL 2003 Basic Modul 5 Datenbank - Access
MehrWie funktioniert eine Glühlampe?
Wie funktioniert eine Glühlampe? Sobald du eine Lampe anknipst, fließt ein Strom von elektrisch geladenen Elementarteilchen, den Elektroden, durch das Kabel zur Glühlampe. Durch den Strom wird der Glühfaden
MehrHilfe bei der Qual der Wahl
Hilfe bei der Qual der Wahl Die große Auswahl an verfügbaren Halbleitern ermöglicht heute sehr unterschiedliche TOPOLOGIEN BEIM DESIGN VON ABWÄRTSWANDLERN. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK stellt diese Topologien
MehrMobile Intranet in Unternehmen
Mobile Intranet in Unternehmen Ergebnisse einer Umfrage unter Intranet Verantwortlichen aexea GmbH - communication. content. consulting Augustenstraße 15 70178 Stuttgart Tel: 0711 87035490 Mobile Intranet
MehrMORE Profile. Pass- und Lizenzverwaltungssystem. Stand: 19.02.2014 MORE Projects GmbH
MORE Profile Pass- und Lizenzverwaltungssystem erstellt von: Thorsten Schumann erreichbar unter: thorsten.schumann@more-projects.de Stand: MORE Projects GmbH Einführung Die in More Profile integrierte
MehrEigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50
Auswertung Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Iris Conradi und Melanie Hauck Gruppe Mo-02 21. Juni 2011 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit 3 2 Kennlinien
MehrDie Halbleiterdiode. Demonstration der Halbleiterdiode als Ventil.
R. Brinkmann hp://brinkmanndu.de Seie 1 26.11.2013 Diffusion und Drif Die Halbleierdiode Versuch: Demonsraion der Halbleierdiode als Venil. Bewegliche Ladungsräger im Halbleier: im n Leier sind es Elekronen,
MehrSerienbrieferstellung in Word mit Kunden-Datenimport aus Excel
Sehr vielen Mitarbeitern fällt es schwer, Serienbriefe an Kunden zu verschicken, wenn sie die Serienbrieffunktion von Word nicht beherrschen. Wenn die Kunden mit Excel verwaltet werden, genügen nur ein
MehrTutorial about how to use USBView.exe and Connection Optimization for VNWA.
Tutorial about how to use USBView.exe and Connection Optimization for VNWA. Tutorial über den Gebrauch von USBView.exe und die Anschluss-Optimierung für den VNWA. Es wurde beobachtet, dass bestimmte VNWA
MehrElektrische Logigsystem mit Rückführung
Mathias Arbeiter 23. Juni 2006 Betreuer: Herr Bojarski Elektrische Logigsystem mit Rückführung Von Triggern, Registern und Zählern Inhaltsverzeichnis 1 Trigger 3 1.1 RS-Trigger ohne Takt......................................
MehrErfahrungen mit Hartz IV- Empfängern
Erfahrungen mit Hartz IV- Empfängern Ausgewählte Ergebnisse einer Befragung von Unternehmen aus den Branchen Gastronomie, Pflege und Handwerk Pressegespräch der Bundesagentur für Arbeit am 12. November
MehrDie innere Energie eines geschlossenen Systems ist konstant
Rückblick auf vorherige Vorlesung Grundsätzlich sind alle möglichen Formen von Arbeit denkbar hier diskutiert: Mechanische Arbeit: Arbeit, die nötig ist um einen Massepunkt von A nach B zu bewegen Konservative
Mehr= 8.28 10 23 g = 50u. n = 1 a 3 = = 2.02 10 8 = 2.02Å. 2 a. k G = Die Dispersionsfunktion hat an der Brillouinzonengrenze ein Maximum; dort gilt also
Aufgabe 1 Ein reines Material habe sc-struktur und eine Dichte von 10 g/cm ; in (1,1,1) Richtung messen Sie eine Schallgeschwindigkeit (für große Wellenlängen) von 000 m/s. Außerdem messen Sie bei nicht
Mehr9 Multiplexer und Code-Umsetzer
9 9 Multiplexer und Code-Umsetzer In diesem Kapitel werden zwei Standard-Bauelemente, nämlich Multiplexer und Code- Umsetzer, vorgestellt. Diese Bausteine sind für eine Reihe von Anwendungen, wie zum Beispiel
MehrDokumentenverwaltung im Internet
Dokumentenverwaltung im Internet WS 09/10 mit: Thema: Workflow und Rollenverteilung im Backend Gruppe: DVI 10 Patrick Plaum und Kay Hofmann Inhalt 1. Benutzer und Benutzergruppen erstellen...2 1.1. Benutzergruppen...2
MehrSo funktioniert das online-bestellsystem GIMA-direkt
So funktioniert das online-bestellsystem GIMA-direkt Loggen Sie sich mit Ihren Anmeldedaten, die Sie von GIMA erhalten haben, in das Bestellsystem ein. Sollten Sie noch keine Anmeldedaten haben und Für
MehrVersuch 3. Frequenzgang eines Verstärkers
Versuch 3 Frequenzgang eines Verstärkers 1. Grundlagen Ein Verstärker ist eine aktive Schaltung, mit der die Amplitude eines Signals vergößert werden kann. Man spricht hier von Verstärkung v und definiert
MehrProfessionelle Seminare im Bereich MS-Office
Gegenüber PowerPoint 2003 hat sich in PowerPoint 2007 gerade im Bereich der Master einiges geändert. Auf Handzettelmaster und Notizenmaster gehe ich in diesen Ausführungen nicht ein, die sind recht einfach
MehrAGROPLUS Buchhaltung. Daten-Server und Sicherheitskopie. Version vom 21.10.2013b
AGROPLUS Buchhaltung Daten-Server und Sicherheitskopie Version vom 21.10.2013b 3a) Der Daten-Server Modus und der Tresor Der Daten-Server ist eine Betriebsart welche dem Nutzer eine grosse Flexibilität
MehrWichtiges Thema: Ihre private Rente und der viel zu wenig beachtete - Rentenfaktor
Wichtiges Thema: Ihre private Rente und der viel zu wenig beachtete - Rentenfaktor Ihre private Gesamtrente setzt sich zusammen aus der garantierten Rente und der Rente, die sich aus den über die Garantieverzinsung
MehrA Lösungen zu Einführungsaufgaben zu QueueTraffic
A Lösungen zu Einführungsaufgaben zu QueueTraffic 1. Selber Phasen einstellen a) Wo im Alltag: Baustelle, vor einem Zebrastreifen, Unfall... 2. Ankunftsrate und Verteilungen a) poissonverteilt: b) konstant:
MehrSchnellanleitung: Verbuchung von Studien- und Prüfungsleistungen
Schnellanleitung: Verbuchung von Studien- und Prüfungsleistungen Die folgenden Schritte sind für die Verbuchung von Studien- bzw. Prüfungsleistungen notwendig. Eine Online-Anleitung mit vielen weiterführenden
MehrDTMF-Decoder-Modul mit 6 Ausgängen & Morse-Transponder
C S Technology Ltd. cstech.co.uk DTMF-Decoder-Modul mit 6 Ausgängen & Morse-Transponder Unser DTMF-Decoder-Modul hat 6 Darlington-NPN-Open-Collector-Ausgänge, die aus der Ferne aus- und eingeschaltet werden
MehrWindows 7 Ordner und Dateien in die Taskleiste einfügen
WI.005, Version 1.1 07.04.2015 Kurzanleitung Windows 7 Ordner und Dateien in die Taskleiste einfügen Möchten Sie Ordner oder Dateien direkt in die Taskleiste ablegen, so ist das nur mit einem Umweg möglich,
MehrSOLARLADEGERÄT MIT USB ANSCHLUSS FÜR SMARTPHONES
SOLARLADEGERÄT MIT USB ANSCHLUSS FÜR SMARTPHONES Eines unserer wichtigsten Dinge in unserem Leben sind unsere Smartphones, mit denen wir uns sehr viel und gerne beschäftigen. Da wir eigentlich hauptsächlich
MehrMusterprüfung Chemie Klassen: MPL 09 Datum: 14. 16. April 2010
1 Musterprüfung Chemie Klassen: MPL 09 Datum: 14. 16. April 2010 Themen: Metallische Bindungen (Skript S. 51 53, inkl. Arbeitsblatt) Reaktionsverlauf (Skript S. 54 59, inkl. Arbeitsblatt, Merke, Fig. 7.2.1
MehrTYPO3 Tipps und Tricks
TYPO3 Tipps und Tricks Seiten als Shortcut. Hiermit ist gemeint, dass eine Oberseite direkt auf eine tiefere Unterseite verlinkt. Dies kann bei Themen ohne gesonderte Übersichtsseite hilfreich sein. Zum
Mehr