(SFH 2505) und 750 nm bis 1100 nm (SFH 2500FA/ SFH 2505FA)
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- Max Egger
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1 Silicon PIN Photodiode in SMR Package Silizium-PIN-Fotodiode in SMR Gehäuse Version 1. SFH 25 FA SFH 255 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S % ) 4 nm to 1 nm Wellenlängenbereich (S % ) 4 nm bis 1 nm (SFH 255) and 75nm bis 1nm (SFH 255) und 75 nm bis 1 nm (SFH 25FA/ SFH 255FA) (SFH 25FA/ SFH 255FA) SMR (Surface Mount Radial) package SMR (Surface Mount Radial) Gehäuse Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) Package matched with IRED SFH 4542, SFH 4543, Gehäusegleich mit IRED SFH 4542, SFH 4543, SFH 4551, SFH 458, SFH 4585 SFH 4551, SFH 458, SFH 4585 Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Photointerrupters Lichtschranken Data transmission Datenübertragung Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 87 nm, E e = 1 mw/cm 2, V R = 5 V I P [µa] SFH 25 FA 7 ( 5) Q651A122 SFH 255 FA 7 ( 5) Q651A
2 Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 2 V Sperrspannung Reverse voltage V R 5 V Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte P tot mw Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (V R = 5 V, λ = 87 nm, E e = 1 mw/cm 2 ) I P 7 ( 5) µa Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = 2 V) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 85 nm) λ S max 9 nm λ % nm A 1. mm 2 L x W 1 x 1 mm x mm ϕ ± 15 I R.1 ( 5) na S λ typ.55 A / W
3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E e =.5 mw/cm 2, λ = 87 nm) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E e = 1 mw/cm 2, λ = 87 nm) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 2 V, R L = 5 Ω, λ = 85 nm) Forward voltage Durchlassspannung (I F = ma, E = ) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz, E = ) η.8 Electro ns /Photon V O 39 (> 32) mv I SC 7 µa t r, t f.5 µs V F 1.3 V C 11 pf Temperature coefficient of V O TC V -2.6 mv / K Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (λ = 87 nm) TC I.1 % / K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = 2 V, λ = 85 nm) Detection limit Nachweisgrenze NEP. pw / Hz ½ D * 9.7e12 cm x Hz ½ / W
4 Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) S rel % 8 OHF1773 Photocurrent Fotostrom I P = f(e e ), V R = 5 V Ι P 3 μa 2 OHF31 4 mv V O 3 6 V O Ι P nm 12 λ Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung I P (V R = 5 V) / V O = f(e V ) lx 4 E v Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Ι P 3 μa OHF32 4 mv V O 12 mw P tot OHF V O Ι P mw/cm 1 E e C 12 T A
5 Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = Ι R 4 pa OHF V 3 V R Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 2 V, E =
6 Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) ϕ 1. OHF
7 Package Outline Maßzeichnung SFH 25 FA 7.5 (.295) 5.5 (.217) 2.8 (.1) 2.4 (.94) Chip position 4.5 (.177) 3.9 (.154) 2.5 (.81) R 1.95 (.77) 2.7 (.6) 2.4 (.94) ((3.2) (.126)) ((R2.8 (.1)) 3.7 (.146) 3.3 (.13) 14.7 (.579) 13.1 (.516) ( ) 4.8 (.189) 4.4 (.173) ((3.2) (.126)) 6. (.236) 5.4 (.213) 2.54 (.) spacing Cathode/ Collector 4.5 (.177) 3.9 (.154) 7.7 (.33) 7.1 (.28) GEOY6968 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
8 Package Outline Maßzeichnung SFH 255 FA Chip position 4.5 (.177) 3.9 (.154) 8. (.315) ((3.2) (.126)) 2.5 (.81) 7.4 (.291) R 1.95 (.77) ((R2.8 (.1)) 2.7 (.6) 2.4 (.94) 2.54 (.) spacing Cathode/ Collector 15.5 (.6) 14.7 (.579) 4.5 (.177) 3.9 (.154) 7.7 (.33) 7.1 (.28) 4.8 (.189) 4.4 (.173) ( ) ((3.2) (.126)) 6. (.236) 5.4 (.213) GEOY6969 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse SMR SMR
9 Method of Taping Gurtung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
10 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign SFH 25 FA 1.3 (.51) 5.3 (.29) 2.54 (.) Bauteil positioniert Component Location on Pad Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lötstopplack Solder resist Lötpad 3 (.118) 7 (.276) Cu-Fläche > 2 mm Cu-area > 2 mm 2 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2 OHF
11 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign SFH 255 FA 1.3 (.51) 5.9 (.232) 2.54 (.) Bauteil positioniert Component Location on Pad Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lötstopplack Solder resist Lötpad (1 (.39)) 1.5 (.59) 5.2 (.25) 3 (.118) 7 (.276) Cu-Fläche > 2 mm Cu-area > 2 mm 2 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2 Aussparung 4.85 (.191) ±.5 (.2) OHF
12 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 3 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S 5 25 C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s
13 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
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MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204
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