2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

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1 Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm Short switching time (typ. 25 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) Suitable for SMT SMT-fähig Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Edge control Kantenerkennung Path and angle scanning Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v = 1000 lx, Std. Light A, V R = 5 V; Diode A I P [µa] KOM ( 30) (Diode A) Q65110A ( 75) (Diode B)

2 Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T op ; T stg C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 60 V Sperrspannung Total power dissipation P tot 150 mw Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (E v = 1000 lx, Std. Light A, V R = 5 V; Diode A) I P 40 ( 30) µa Photocurrent Fotostrom (V R = 5 V, λ = 870 nm, E e = 1 mw/cm 2, Diode B) Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche (Diode A) Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche (Diode B) Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche (Diode A) Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche (Diode B) I P 100 ( 75) μa λ S max 850 nm λ 10% nm A 4.00 mm 2 A mm 2 L x W 2 x 2 mm x mm L x W 2 x 5 mm x mm

3 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = 10 V; Diode A) Dark current Dunkelstrom (V R = 10 V; Diode B) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 870 nm) Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 870 nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E v = 1000 lx, Std. Light A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E v = 1000 lx, Std. Light A; Diode A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E v = 1000 lx, Std. Light A; Diode B) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit Rise and fall time Schaltzeit (V R = 5 V, R L = 50 Ω, λ = 850 nm; Diode B) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 100 ma, E = 0) Capacitance Kapazität (V R = 0 V, f = 1MHz, E = 0; Diode A) Capacitance Kapazität (V R = 0 V, f = 1MHz, E = 0; Diode B) ϕ ± 60 I R 5 ( 30) na I R 10 ( 30) na S λ typ 0.62 A / W η 0.88 Electro ns /Photon V O 350 ( 300) mv I SC 38 µa I SC 95 µa t r, t f µs t r, t f µs V F 1 V C 0 40 pf C pf

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of V O TC V -2.6 mv / K Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (Std. Light A) TC I 0.18 % / K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (λ = 870 nm, V R = 10 V; Diode A) Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (λ = 870 nm, V R = 10 V; Diode B) Detection limit Nachweisgrenze (λ = 870 nm, V R = 10 V; Diode A) Detection limit Nachweisgrenze (λ = 870 nm, V R = 10 V; Diode B) NEP pw / Hz ½ NEP pw / Hz ½ D * 3.1e12 cm x Hz ½ / W D * 3.5e12 cm x Hz ½ / W Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung I P (V R = 5 V) / V O = f(e V )

5 Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 0, normalized to 10 V / 25 C Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 10 V, E = 0, normalized to T A = 25 C

6 Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) ϕ OHF Package Outline Maßzeichnung Photosensitive area A = 2 (0.079) x 2 (0.079) B = 5 (0.197) x 2 (0.079) 0.9 (0.035) 5.2 (0.205) 0.7 (0.028) 5.0 (0.197) 2 3 A B Cathode (0.335) 8.2 (0.323) 1.4 (0.055) ±0.2 (0.008) 4.5 (0.177) 4.3 (0.169) 6.7 (0.264) 6.2 (0.244) Chip position ( ) 0.3 (0.012) Active area 1.2 (0.047) 1.1 (0.043) GEOY6860 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

7 Package Gehäuse SMT DIL, Epoxy SMT DIL, Harz Method of Taping Gurtung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)

8 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D OHLA0688 C Maximum Solder Profile T C 217 C +0 C 245 C -10 C +5 C 235 C -0 C 10 s min 30 s max s max Ramp Down 6 K/s (max) 100 s max Ramp Up 3 K/s (max) 25 C s 300 t

9 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

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