IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double stack emitter
|
|
- Hannelore Stieber
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 IR OSLUX (81nm) - 2 IR OSLUX (81nm) Draft Version.1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double stack emitter 2-fach stack Emitter Low thermal resistance (Max. 25 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 25 K/W) Centroid wavelength 81 nm Schwerpunktwellenlänge 81 nm Small package dimensions (LxWxH): 3.5mm x Kleine Gehäuseabmessungen (LxBxH): 3.5mm x 3.5mm x 2.4mm 3.5mm x 2.4mm Narrow half angle (+/- 1 ) Enger Abstrahlwinkel (+/- 1 ) Applications Infrared Illumination Anwendungen Infrarotbeleuchtung Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden
2 Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 1 A, t p = 1 ms I e [mw/sr] 29 ( 22) Q65111A654 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature Sperrschichttemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 2 µs, D = ) Power consumption Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) T op ; T stg C T j 145 C V R 1 V I F 5 ma I FSM 2 A P tot 1.8 W R thjs 25 K / W V ESD 2 kv Note: Anm.: For the forward current and power consumption please see "maximum permissible forward current" diagram Für den Vorwärtsgleichstrom und die Leistungsaufnahme siehe auch das "maximal zulässige Durchlassstrom" Diagramm
3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 1 A, t p = 1 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 1 A, t p = 1 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 A, t p = 1 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall times of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 1 A, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F =.5 A, t p = 1 µs) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 1 μs) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 1A, t p = 1 µs) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 1 A, t p = 1 ms) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = 1 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = 1 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = 1 ms) (typ) λ peak 82 nm (typ) λ centroid 81 nm (typ) λ 3 nm (typ) ϕ ± 1 (typ) L x W.75 x.75 mm x mm (typ) t r / t f 8/ 14 ns (typ (max)) V F 3.3 ( 3.6) V (typ (max)) V F 3.6 V (typ) Φ e 68 mw (typ) Φ e 6 mw (typ) TC I -.3 % / K (typ) TC V -2 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K
4 Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 1 A, t p = 1 ms I F = 1 A, t p = 1 ms I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 1) page 12 Relative Spectral Emission 1) Seite 12 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T A = 25 C, I F =1A, Single pulse, t p = 1 ms I rel 1 % 8 6 OHF565 1) page 12 Radiant Intensity 1) Seite 12 Strahlstärke I e / I e (1 A) = f(i F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C I e 1 1 Ie (1 A) 1 5 OHF nm 95 λ A 1 1 I F
5 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f (T S ), R thjs = 25 K/W I F 55 ma OHF5649 1) page 12 Forward Current 1) Seite 12 Durchlassstrom I F = f(v F ), T A = 25 C, Single pulse, t p = 1 µs, I F 1 A 1 OHF C 1 T S V 4.5 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f (t p ), T S = 85 C, Duty cycle D = parameter 2.5 I A t F D P = I T T 2. D = t P OHF5648 F t p s
6 Radiation Characteristics Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C 1) page 12 1) Seite OHF5653 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm. / Maße in mm
7 Method of Taping / Polarity and Orientation Gurtung / Polarität und Lage Dimensions in mm [inch]. / Maße in mm [inch]. Note: Anm.: Packing unit 25/reel, ø33 mm Verpackungseinheit 25/Rolle, ø33 mm
8 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Dimensions in mm [inch]. / Maße in mm [inch]
9 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 3 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L T p OHA C 15 t S C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s Maximum 8 1 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P T P t P All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range C s K/s s
10 Note: In general, OSRAM Opto Semiconductors does not recommend a wet cleaning process for this components as the package is not hermetically sealed. Due to the open design, all kind of cleaning liquids can infiltrate the package and cause a degradation or a complete failure of the die. It is also recommended to prevent penetration of organic substances from the environment which could interact with the hot surfaces of the operating chips. Ultrasonic cleaning is generally not recommended for all types of LEDs (see also the application note "Cleaning of LEDs"). As is standard for the electronic industry, OSRAM Opto Semiconductors recommends using low-residue or no-clean solder paste, so that PCB cleaning after soldering is no longer required. In any case, all materials and methods should be tested beforehand in order to determine whether the component will be damaged in the process. Hinweis: Generell empfiehlt OSRAM Opto Semiconductors keine Nassreinigung für diese Komponente, da das Gehäuse nicht hermetisch dicht ist. Wegen des offenen Design kann Flüssigkeit in das Bauteil eindringen und zu Änderungen der elektro - optischen Eigenschaften oder zu einem Ausfall des Chips führen. Weiterhin wird empfohlen das Eindringen organischer Substanzen zu unterbinden, um eine Reaktion mit den erhitzten optischen Komponenten im Betrieb auszuschließen. Ultraschallreinigung ist für alle Arten von LEDs nicht erlaubt(siehe auch Application Note "Cleaning LEDs"). Wie in der Elektronik Industrie Standard, empfiehlt OSRAM Opto Semiconductors die Verwendung von rückstandsfreien Lotpasten, um auf die Reinigung nach dem Löten verzichten zu können. Alle verwendenden Methoden und Materialien sollen im Voraus getestet werden, um eine Beschädigung des Bauteils im Prozess auszuschließen
11 Disclaimer OSRAM OS assumes no liability whatsoever for any use of this document or its content by recipient including, but not limited to, for any design in activities based on this preliminary draft version. OSRAM OS may e.g. decide at its sole discretion to stop developing and/or finalising the underlying design at any time. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer OSRAM OS übernimmt keine wie auch immer geartete Haftung für die Nutzung dieses Dokuments und seines Inhaltes durch den Empfänger, insbesondere nicht für irgendwelche Design-Aktivitäten, die auf dieser vorläufigen Entwurfsversion basieren. OSRAM OS behält sich beispielsweise auch vor, jederzeit die Weiter- und Fertigentwicklung des zugrundeliegenden Designs einseitig einzustellen. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
12 Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert
13 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved
CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053
212-8-25 CHIPLED with High Power Infrared Emitter (85 nm) CHIPLED (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 453 Features: Very small package: (LxWxH) 1. mm x.5 mm x.45 mm Besondere Merkmale: Sehr
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrOSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
214-1-9 OSLON Black Series (85 nm) Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double Stack emitter 2- fach Stack Emitter Low thermal
MehrOSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) - 140 Version 1.1 SFH 4750
21-4-21 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) - 14 Version 1.1 SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2
MehrHigh Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.
213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
213-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4232 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.
MehrStrahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrRichtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.
212-3-27 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. SFH 4236 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrMulti-Chip-Gehäuse mit 3 Emittern und einem Detektor Small package: (WxDxH) 4.7 mm x 2.5 mm x 0.9 mm
! 2007-05-23 BioMon Sensor Version alpha.3 BioMon Draft - This design is for Reference only. Features: Besondere Merkmale: Multi chip package featuring 3 emitters and one detector Multi-Chip-Gehäuse mit
MehrInfrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141
215-1-21 Infrared Emitter (94 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (94nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1. SFH 4141 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 95nm Wellenlänge 95nm Narrow
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4846. verbunden
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4846 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
MehrGaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrSFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times
IR-Lumineszenzdiode (8nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (8nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit
MehrSFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times
IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
MehrOSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S
OSLON Black Series (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change without notice. Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N
215-3-2 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 Features: High Power Infrared LED Short switching time small package: (WxDxH) 3 mm x 2.65
MehrOSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.0 SFH 4750
2-12-1 OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Version 1. SFH 47 Features: Besondere Merkmale: 3. W optical power at IF=1A 3. W optische Leistung bei IF=1A Active chip area 2.1 x 3.2 mm² Aktive
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
MehrHoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit
27-4-3 GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1. SFH 41 Features: Besondere Merkmale: Peak wavelength of 95 nm Wellenlänge der Strahlung 95 nm Narrow
MehrESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001- HBM, Klasse 2 Narrow half angle (+/- 12 ) Enger Abstrahlwinkel (+/- 12 )
2014-03-10 Narrow beam LED in Dragon Dome package (850nm) Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4783 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204
215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel
MehrHigh Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2701
28-12-4 High Speed PIN Photodiode Schnelle PIN-Fotodiode Version 1. SFH 271 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen von 4 nm bis
MehrEngwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655
Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrGaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269
215-6-24 GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 26, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269 Features: Besondere Merkmale: GaAs infrared emitting
MehrSilicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711
214-8-1 Silicon NPN Phototransistor with V λ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit V λ Charakteristik Version 1.1 SFH 3711 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 47...
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4554. Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10
214-11-1 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1. SFH 4554 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 86nm Wellenlänge 86nm Narrow half angle ± 1 Enger Halbwinkel ± 1 Short switching
MehrSchnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209
Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge
MehrIR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features
MehrInfrared-Emitter (850 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (850 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 7250
215-1-28 Infrared-Emitter (85 nm) and Si-Phototransistor IR-Emitter (85 nm) und Si-Fototransistor Version 1.1 SFH 725 Features: Available on tape and reel SMT package with IR emitter (85 nm) and Si-phototransistor
Mehrø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
MehrFertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
MehrIR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double stack emitter. Schwerpunktwellenlänge 810 nm Small package dimensions (LxWxH): 3.5mm x 3.5mm x 2.
215-6-12 IR OSLUX (81nm) - 2 IR OSLUX (81nm) Version 1. Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Double stack emitter 2-fach stack Emitter
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258
214-1-15 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4258 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
MehrSFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen
213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 421 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4253 Ersatz: SFH 4253 Very
MehrInfrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271
212-8-17 Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1. (not for new design) SFH 4271 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH4257 Ersatz: SFH4257 Black coloured TOPLED-package Schwarz eingefärbtes
MehrInfrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge
MehrEngwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 4646 SFH 464 SFH 4646 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher
MehrPhotointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V
214-1-9 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable for applications from 4 nm to
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
MehrHigh Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 4546 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 424 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Homogene
MehrSilicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21
2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrInfrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.3 SFH 4850 E7800. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN GQC
215-1-29 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) Version 1.3 Features: Wavelength 85nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon photodetectors
MehrCathode GEX Cathode GEX06305
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484
2-11-29 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 484 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62
215-8-21 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 4... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011 Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)
214-1-8 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4235 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle
MehrPhotointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln = 5 V
212-1-15 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. BP 14 S, BP 14 SR BP 14 S BP 14 SR Features: Besondere Merkmale: Suitable for reflow soldering Geeignet für Reflow Löten Especially suitable
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA
214-1-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 213 213 FA Features: Besondere Merkmale: Wavelength range (S 1% ) 4 nm to 11 nm ( Wellenlängenbereich (S 1% ) 4nm bis 11nm 213) and 75
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle
MehrSilicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer
27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4
MehrInfrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH 4841. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
215-1-29 Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) Version 1. SFH 4841 Features: Wavelength 95nm Anode is electrically connected to the case Short switching times Spectral match with silicon
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA
215-6-11 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 75... 112 nm Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy Special: Base connection High
MehrGaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487
29-9-3 GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (88 nm) Version 1. SFH 487 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAlAs-LED GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability
MehrGaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrGaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 480, SFH 482
212-1-19 GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) GaAlAs-Lumineszenzdioden (88 nm) Version 1. SFH 48, SFH 482 SFH 48 SFH 482 Features: Besondere Merkmale: Typical peak wavelength 88nm Typische Peakwellenlänge
MehrOstar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4730, SFH 4740. SFH 4730 Black frame to minimize scattered light 3 W optical power
Ostar Observation Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 473, 473 473 Schwarzer Rahmen zur Streulichtminimierung 3 W optische Leistung Weißer Rahmen für hohe Lichtleistung 3.6 W optische Leistung Wesentliche
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrPhotointerrupters Lichtschranken
214-1-9 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for the wavelength range of
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform
MehrSilicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
MehrGaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.2 SFH 464 E7800
215-8-26 GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (66 nm) Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Radiation without IR in the visible red range Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
MehrGEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
MehrDoppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness
2014-01-13 Silicon Dual Photodiode Silizium-Doppelfotodiode Version 1.1 SFH 221 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
MehrOSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S
OSLON Black Series (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S DRAFT - This design is for Reference only. Subject to change without notice. Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad
MehrHigh Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4250
213-12-16 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 425 Features: Besondere Merkmale: High forward current allowed at high temperature Hohe
MehrSilicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA
214-1-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 88 nm Speziell
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke
MehrPhotointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln
214-1-1 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
MehrGaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800
214-1-16 GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) GaAlAs-Lumineszensdiode (66 nm) Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Radiation without IR in the visible red range Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
MehrHigh Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4045N
213-5-21 High Power Infrared Emitter (94 nm) IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
MehrOSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.3 SFH 4715S
215-4-21 OSLON Black Series (85 nm) - 9 Version 1.3 Features: IR lightsource with high efficiency Double Stack emitter Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 85 nm ESD safe up to 2 kv
Mehr