Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB M673, LT M673
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- Arthur Tiedeman
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1 Hyper Mini OPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB M673, L M673 Vorläufige Daten für OS-PCN A/ Preliminary Data for OS-PCN A Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen mit wenig Platzbedarf Wellenlänge: 471 nm (blau), 532 nm (true green) Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (12 ) echnologie: InGaN optischer Wirkungsgrad: 2 lm/w (blau), 8 lm/w (true green) Gruppierungsparameter: Lichtstärke, Wellenlänge Verarbeitungsmethode: für alle SM-Bestücktechniken geeignet Lötmethode: IR Reflow Löten und Wellenlöten (W) Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 Gurtung: 8-mm Gurt mit 3/Rolle, ø18 mm oder 12/Rolle, ø33 mm ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kv nach JESD22-A114-B Anwendungen Informationsanzeigen im Außenbereich optischer Indikator Hinterleuchtung (LCD, Schalter, asten, Displays, Werbebeleuchtung, Allgemeinbeleuchtung) Innenbeleuchtung im Automobilbereich (z.b. Instrumentenbeleuchtung, u. ä.) Markierungsbeleuchtung (z.b. Stufen, Fluchtwege, u.ä.) Signal- und Symbolleuchten Features package: white SM package, colorless clear resin feature of the device: small package for applications where small space is required wavelength: 471 nm (blue), 532 nm (true green) viewing angle: Lambertian Emitter (12 ) technology: InGaN optical efficiency: 2 lm/w (blue), 8 lm/w (true green) grouping parameter: luminous intensity, wavelength assembly methods: suitable for all SM assembly methods soldering methods: IR reflow soldering and W soldering preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 taping: 8 mm tape with 3/reel, ø18 mm or 12/reel, ø33 mm ESD-withstand voltage: up to 2 kv acc. to JESD22-A114-B Applications outdoor displays optical indicators backlighting (LCD, switches, keys, displays, illuminated advertising, general lighting) interior automotive lighting (e.g. dashboard backlighting, etc.) marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.) signal and symbol luminaire
2 LB M673, L M673 Bestellinformation Ordering Information yp ype Emissionsfarbe Color of Emission 1) Seite 16 Lichtstärke Luminous Intensity = 1 ma I V (mcd) 1) page 16 Lichtstrom Luminous Flux = 1 ma Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code LB M673-L1M2-35 LB M673-M1N2-35 LB M673-L1N2-35 blue (typ.) 95 (typ.) 8 (typ.) Q6511A1951 Q6511A1952 Q6511A1953 L M673-N2Q1-25 L M673-P2R1-25 L M673-N1R2-25 true green (typ.) 3 (typ.) 31 (typ.) Q6511A5929 Q6511A5928 Q6511A593 Anm.: Die oben genannten ypbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus wenigen Helligkeitsgruppen (siehe Seite 5 für nähere Informationen). Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe pro Gurt geliefert. Z.B.: LB M673-L1M2-35 bedeutet, dass auf dem Gurt nur eine der Helligkeitsgruppen L1, L2, M1 oder M2enthalten ist. Um die Liefersicherheit zu gewährleisten, können einzelne Helligkeitsgruppen nicht bestellt werden. Gleiches gilt für die Farben, bei denen Wellenlängengruppen gemessen und gruppiert werden. Pro Gurt wird nur eine Wellenlängengruppe geliefert. Z.B.: LB M673-L1M2-35 bedeutet, dass auf dem Gurt nur eine der Wellenlängengruppen -3, -4, oder -5 enthalten ist (siehe Seite 5 für nähere Information). Um die Liefersicherheit zu gewährleisten, können einzelne Wellenlängengruppen nicht bestellt werden. Note: he above ype Numbers represent the order groups which include only a few brightness groups (see page 5 for explanation). Only one group will be shipped on each reel (there will be no mixing of two groups on each reel). E.g. LB M673-L1M2-35 means that only one group L1, L2, M1 or M2 will be shippable for any one reel. In order to ensure availability, single brightness groups will not be orderable. In a similar manner for colors where wavelength groups are measured and binned, single wavelength groups will be shipped on any one reel. E.g. LB M673-L1M2-35 means that only 1 wavelength group -3, -4, or -5 will be shippable. In order to ensure availability, single wavelength groups will not be orderable (see page 5 for explanation). Vergleichstabelle für 2 ma Correllation able for 2 ma yp ype LB M673-L1M2-35 LB M673-M1N2-35 LB M673-L1N2-35 L M673-N2Q1-25 L M673-P2R1-25 L M673-N1R2-25 Emissionsfarbe Color of Emission 1) Seite 16 Lichtstärke Luminous Intensity = 1 ma I V (mcd) 1) page 16 blue true green Siehe auch Grafik Seite 7 / see also graph on page 7 Lichtstärke 2) Seite 16 Luminous Intensity = 2 ma I V (mcd) 3 (typ.) 5 (typ.) 45 (typ.) 1 (typ.) 155 (typ.) 165 (typ.) Lichtstrom 2) Seite 16 Luminous Flux = 2 ma Φ V (mlm) 9 (typ.) 15 (typ.) 135 (typ.) 3 (typ.) 465 (typ.) 495 (typ.)
3 LB M673, L M673 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom Forward current ( A =25 C) Stoßstrom Surge current t 1 µs, D =.5, A =25 C 3) Seite 16 Sperrspannung 3) page 16 Reverse voltage ( A =25 C) Leistungsaufnahme Power consumption ( A =25 C) Wärmewiderstand hermal resistance Sperrschicht/Umgebung 4) page 16 Junction/ambient Sperrschicht/Lötpad Junction/solder point 4) Seite 16 Symbol Symbol LB Werte Values L op C stg C j C 2 ma M 2 25 ma V R 5 V Einheit Unit P tot 8 mw R th JA R th JS K/W K/W
4 LB M673, L M673 Kennwerte Characteristics ( A = 25 C) Bezeichnung Parameter Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission = 1 ma 5) Seite 16 Dominantwellenlänge (min.) 5) page 16 Dominant wavelength (typ.) = 1 ma Spektrale Bandbreite bei 5 % I rel max Spectral bandwidth at 5 % I rel max = 1 ma (typ.) (max.) (typ.) Symbol Symbol LB Werte Values L λ peak nm λ dom * * 541 Einheit Unit nm nm nm λ nm Abstrahlwinkel bei 5 % I V (Vollwinkel) (typ.) 2ϕ Grad Viewing angle at 5 % I V deg. 6) Seite 16 Durchlassspannung (min.) 6) page 16 Forward voltage (typ.) = 1 ma (max.) Sperrstrom (typ.) Reverse current (max.) V R = 5 V emperaturkoeffizient von λ peak emperature coefficient of λ peak = 1 ma; 1 C 1 C emperaturkoeffizient von λ dom emperature coefficient of λ dom = 1 ma; 1 C 1 C emperaturkoeffizient von V F emperature coefficient of V F = 1 ma; 1 C 1 C Optischer Wirkungsgrad Optical efficiency = 1 ma * Einzelgruppen siehe Seite 5 Individual groups on page 5 (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) V F V F V F I R.1 I R V V V µa µa C λpeak.4.4 nm/k C λdom.3.4 nm/k C V mv/k η opt 2 8 lm/w
5 LB M673, L M673 5) Seite 16 Wellenlängengruppen (Dominantwellenlänge) 5) page 16 Wavelength Groups (Dominant Wavelength) Gruppe Group blue true green Einheit min. max. min. max. Unit nm nm nm Helligkeits-Gruppierungsschema Brightness Groups Helligkeitsgruppe Brightness Group L1 L2 M1 M2 N1 N2 P1 P2 Q1 Q2 R1 R2 Anm.: Note: 1) Seite 16 Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) ) page 16 Lichtstrom Luminous Flux Φ V (mlm) 4 (typ.) 5 (typ.) 6 (typ.) 75 (typ.) 95 (typ.) 12 (typ.) 15 (typ.) 19 (typ.) 24 (typ.) 3 (typ.) 38 (typ.) 48 (typ.) Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet entweder eine untere Familiengruppe, eine obere Familiengruppe oder eine Sammelgruppe, die aus nur 4 bzw. 6 bzw. 8 Helligkeitsgruppen bestehen. Einzelne Helligkeitsgruppen können nicht bestellt werden. he standard shipping format for serial types includes either a lower familiy group, an upper family group or a grouping of all individual groups of 4 or 6 or 8 individual brightness groups. Individual brightness groups cannot be ordered. Gruppenbezeichnung auf Etikett Group Name on Label Beispiel: P2-3 Example: P2-3 Helligkeitsgruppe Brightness Group P2 3 Wellenlänge Wavelength Anm.: In einer Verpackungseinheit / Gurt ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten. Note: No packing unit / tape ever contains more than one group for each selection
6 LB M673, L M673 Relative spektrale Emission Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve I rel = f (λ); A = 25 C; = 1 ma 1 OHL478 I rel % 8 V λ 6 4 blue true green nm λ Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristic I rel = f (ϕ); A = 25 C OHL166 ϕ
7 LB M673, L M673 Durchlassstrom Forward Current = f (V F ); A = 25 C 1 2 ma 5 OHL485 2) 7) Seite 16 Relative Lichtstärke Relative Luminous Intensity I V /I V(1 ma) = f ( ); A = 25 C I 1 1 V I V (1 ma) 5 2) 7) page 16 OHL blue true green V 5. Relative Vorwärtsspannung Relative Forward Voltage V F = V F - V F(25 C) = f ( j ); = 1 ma (blue).4 V VF.3 V F OHL2352 Relative Lichtstärke Relative Luminous Intensity I V /I V(25 C) = f ( j ); = 1 ma I V I V (25 C) ma 1 OHL true green blue C 1 j C 1 j
8 LB M673, L M673 Dominante Wellenlänge Dominant Wavelength LB; λ dom = f ( ); A = 25 C λ dom 474 nm 473 OHL153 Dominante Wellenlänge Dominant Wavelength L; λ dom = f ( ); A = 25 C λ dom 55 nm OHL blue true green ma 12 I Maximal zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current = f () 25 ma f OHL ma 12 I Maximal zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current = f () 25 ma f OHL blue true green 15 blue true green temp. ambient A temp. solder point S C C
9 LB M673, L M673 Zulässige Impulsbelastbarkeit = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, A = 25 C LB.25 A D t P = t P OHL1979 Zulässige Impulsbelastbarkeit = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, A = 85 C LB.25 A D t P = t P OHL D = D = tp s 1 Zulässige Impulsbelastbarkeit = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, A = 25 C L.3 A D t P = t P OHL tp s 1 Zulässige Impulsbelastbarkeit = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, A = 85 C L.3 A D t P = t P OHL D = D = tp s tp s
10 LB M673, L M673 8) Seite 16 Maßzeichnung 8) page 16 Package Outlines 1.4 (.55) 1.2 (.47).71 (.28) 1. (.39).15 (.6).8 (.31).5 (.2) A 2.3 (.91) 2.1 (.83) 2.1 (.83) 1.9 (.75).5 (.2).3 (.12) Light emitting area typ. 1.5 (.59) x 1. (.39) Cathode marking 1.5 (.59) 1.3 (.51) Cathode marking C GPLY6928 Kathodenkennung: Cathode mark: Gewicht / Approx. weight: abgeschrägte Ecke bevelled edge 1 mg 8) Seite 16 Gurtung / Polarität und Lage Verpackungseinheit 8) page 16 Method of aping / Polarity and Orientation Packing 3/Rolle, ø18 mm oder 12/Rolle, ø33 mm unit 3/reel, ø18 mm or 12/reel, ø33 mm 4 (.157) 2 (.79) Cathode/Collector Side 1.5 (.59) 1.55 (.61) 4 (.157) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) 2.35 (.93) OHAY
11 LB M673, L M673 8) 9) Seite 16 Empfohlenes Lötpaddesign IR 8) 9) page 16 Recommended Solder Pad IR Reflow Löten Reflow Soldering 2.8 (.11).8 (.31) 1 (.39) 2.8 (.11).8 (.31) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 1 (.39) Cu-Fläche > 16 mm 2 Cu-area > 16 mm 2 Lötstopplack Solder resist OHLPY
12 LB M673, L M673 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil für bleifreies Löten IR Reflow Soldering Profile for lead free soldering (nach J-SD-2B) (acc. to J-SD-2B) 3 C C 24 C 217 C Maximum Solder Profile Recommended Solder Profile Minimum Solder Profile 3 s max 1 s min OHLA687 + C 26 C -5 C 245 C ±5 C +5 C 235 C - C Ramp Up 3 K/s (max) 25 C 12 s max Ramp Down 6 K/s (max) 1 s max min. condition for IR Reflow Soldering: solder point temperature 235 C for at least 1 sec s 3 t Wellenlöten (W) (nach CECC 82) W Soldering (acc. to CECC 82) 3 C C C 1. Welle 1. wave 1 s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY C C ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t
13 LB M673, L M673 Barcode-Produkt-Etikett (BPL) Barcode-Product-Label (BPL) Gurtverpackung ape and Reel OSRAM Opto Semiconductors (6P) BACH NO: Batch Number Bar Code (1) LO NO: Lot Number Bar Code (X) PROD NO: Product Code (9D) D/C: Date Code (Q)QY: Product Quantity per Reel Bar Code Lx xxxx Bin1: Bin Information Color 1 Bin2: Product Name Bin3: RoHS Compliant ML 2 emp S 26 C R (G) GROUP: X - X - X Sample Additional EX R77 DEMY PACKVAR: Packing ype Forward Voltage Group Wavelength Group Brightness Group OHA1243 W 1 D P P 2 F E W A N 13. ±.25 P 1 Label Direction of unreeling W 2 Direction of unreeling Gurtvorlauf: Leader: Gurtende: railer: 4 mm 4 mm 16 mm 16 mm OHAY324 ape dimensions in mm (inch) W P P 1 P 2 D E F ±.1 (.157 ±.4) 4 ±.1 (.157 ±.4) 2 ±.5 (.79 ±.2) ( ) 1.75 ±.1 (.69 ±.4) 3.5 ±.5 (.138 ±.2) Reel dimensions in mm (inch) A W N min W 1 W 2 max 18 (7) 8 (.315) 6 (2.362) ( ) 14.4 (.567) 33 (13) 8 (.315) 6 (2.362) ( ) 14.4 (.567)
14 _< C). _< _< C). 11 (9D) D/C: 144 _< Bin3: ML emp S 2 22 C R 2a 3 24 C R 26 C R R77 PACKVAR: 11 Please check the HIC immidiately after bag opening. Discard if circles overrun. Avoid metal contact. Do not eat. LB M673, L M673 rockenverpackung und Materialien Dry Packing Process and Materials OSRAM Moisture-sensitive label or print Barcode label Humidity indicator Barcode label Comparator check dot 5% 1% If wet, parts still adequately dry. change desiccant If wet, examine units, if necessary bake units If wet, 15% examine units, if necessary bake units WE R18 DEMY (9D) D/C: 144 Bin3: ML emp S 2 22 C R 2a 3 24 C R 26 C R R18 DEMY CAUION LEVEL If blank, see bar code label his bag contains MOISURE SENSIIVE OPO SEMICONDUCORS 1. Shelf life in sealed bag: 24 months at < 4 C and < 9% relative humidity (RH). 2. After this bag is opened, devices that will be subjected to infrared reflow, vapor-phase reflow, or equivalent processing (peak package body temp. If blank, see bar code label a) Mounted within at factory conditions of 3 C/6% RH. Floor time see below b) Stored at 1% RH. 3. Devices require baking, before mounting, if: a) Humidity Indicator Card is > 1% when read at 23 C ± 5 C, or b) 2a or 2b is not met. 4. If baking is required, reference IPC/JEDEC J-SD-33 for bake procedure. Bag seal date (if blank, seal date is identical with date code). Date and time opened: Moisture Level 1 Floor time > 1 Year Moisture Level 4 Floor time 72 Hours Moisture Level 2 Floor time 1 Year Moisture Level 5 Floor time 48 Hours Moisture Level 2a Floor time 4 Weeks Moisture Level 5a Floor time 24 Hours Moisture Level 3 Floor time 168 Hours Moisture Level 6 Floor time 6 Hours Desiccant Humidity Indicator MIL-I-8835 OSRAM OHA539 Anm.: Feuchteempfindliche Produkte sind verpackt in einem rockenbeutel zusammen mit einem rockenmittel und einer Feuchteindikatorkarte Bezüglich rockenverpackung finden Sie weitere Hinweise im Internet und in unserem Short Form Catalog im Kapitel Gurtung und Verpackung unter dem Punkt rockenverpackung. Hier sind Normenbezüge, unter anderem ein Auszug der JEDEC-Norm, enthalten. Note: Moisture-senisitve product is packed in a dry bag containing desiccant and a humidity card. Regarding dry pack you will find further information in the internet and in the Short Form Catalog in chapter ape and Reel under the topic Dry Pack. Here you will also find the normative references like JEDEC. Kartonverpackung und Materialien ransportation Packing and Materials Barcode label CAUION LEVEL his bag contains MOISURE SENSIIVE OPO SEMICONDUCORS 1. Shelf life in sealed bag: 24 months at < 4 C and < 9% relative humidity (RH). 2. After this bag is opened, devices that will be subjected to infrared reflow, vapor-phase reflow, or equivalent processing (peak package body temp. If blank, see bar code label a) Mounted within at factory conditions of 3 C/6% RH. Floor time see below b) Stored at 1% RH. 3. Devices require baking, before mounting, if: a) Humidity Indicator Card is > 1% when read at 23 C ± 5 C, or b) 2a or 2b is not met. 4. If baking is required, reference IPC/JEDEC J-SD-33 for bake procedure. Bag seal date (if blank, seal date is identical with date code). Date and time opened: Moisture Level 1 Floor time > 1 Year Moisture Level 4 Floor time 72 Hours Moisture Level 2 Floor time 1 Year Moisture Level 5 Floor time 48 Hours Moisture Level 2a Floor time 4 Weeks Moisture Level 5a Floor time 24 Hours Moisture Level 3 Floor time 168 Hours Moisture Level 6 Floor time 6 Hours If blank, see bar code label OSRAM Opto Semiconductors (6P) BACH NO: (1) LO NO: GH1234 Muster (X) PROD NO: (Q)QY: 2 LSY 676 Multi OPLED Bin1: P-1-2 Bin2: Q-1-2 Additional EX R77 PACKVAR: (G) GROUP: P-1+Q-1 Barcode label OSRAM Opto Semiconductors (6P) BACH NO: (1) LO NO: GH1234 Muster (X) PROD NO: 1 LSY 676 Multi OPLED 425 (Q)QY: 2 Bin1: P-1-2 Bin2: Q-1-2 Additional EX (G) GROUP: P-1+Q-1 OSRAM Packing Sealing label OHA
15 LB M673, L M673 Revision History: Previous Version: Page Subjects (major changes since last revision) Date of change 4 Forward voltage Forward Current , 4, 5 OS-PCN A Attention please! he information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. erms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1) page 16 may only be used in life-support devices or systems 11) page 16 with the express written approval of OSRAM OS
16 LB M673, L M673 Fußnoten: 1) Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt. 2) Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 3) Die LED kann kurzzeitig in Sperrichtung betrieben werden. 4) R thja ergibt sich bei Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 5 mm 2 je Pad) 5) Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt. 6) Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 1 ms und einer Genauigkeit von ±,5 V ermittelt. 7) Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit erhöhten Helligkeitsunterschieden zwischen Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit gerechnet werden 8) Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) 9) Gehäuse hält W-Löthitze aus 1) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. 11) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. Remarks: 1) Brightness groups are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ± 11%. 2) Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. hese do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. 3) Driving the LED in reverse direction is suitable for short term application. 4) R thja results from mounting on PC board FR 4 (pad size 5 mm 2 per pad) 5) Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ±1 nm. 6) Forward voltages are tested at a current pulse duration of 1 ms and a tolerance of ±.5 V. 7) In the range where the line of the graph is broken, you must expect higher brightness differences between single LEDs within one packing unit. 8) Dimensions are specified as follows: mm (inch) 9) Package able to withstand W-soldering heat 1) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. 11) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved
5 mm (T1 ¾) LED, Diffused LR 5360, LS 5360, LY 5360, LG 5360
mm (1 ¾) LED, Diffused LR 36, LS 36, LY 36, LG 36 Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses mm (1 ¾) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Lötspieße mit Aufsetzebene Wellenlänge: 64 nm (rot),
CHIPLED LG N971, LY N971
CHIPLED LG N971, LY N971 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 126 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 3,2 mm x 1,6 mm x 1,1 mm Wellenlänge: 57 nm (grün), 587 nm (gelb) Abstrahlwinkel: Lambertscher
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993 Abgekündigt nach OS-PD-23-7 - wird durch LB L293 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-23-7 - will be replaced by LB L293 Besondere Merkmale Gehäusetyp: SMT Gehäuse
LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs
LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269 Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses SOT-23 Gehäuse Besonderheit des
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 080 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,2 mm x 0,8 mm Wellenlänge: 633 nm (super-rot), 606
Hyper 3 mm (T1) LED, micro Diffused Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB 3333, LT 3333
Hyper 3 mm (1) LED, micro Diffused Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB 3333, L 3333 Vorläufige Daten für OS-PCN-25-3-A / Preliminary Data for OS-PCN-25-3-A Besondere Merkmale Gehäusetyp:
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen
Multi TOPLED Enhanced Optical Power LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LSY T67B
Multi OPLED Enhanced Optical Power LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LSY 67B Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: mehr Licht
Hyper Multi TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LSG T676
Hyper Multi TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LSG T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: beide Leuchtdiodenchips
Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS T676, LA T676, LO T676, LY T676. Besondere Merkmale.
Hyper OPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 676, LA 676, LO 676, LY 676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils:
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und
Hyper SIDELED long life Enhanced optical Power LED (ThinGaN ) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB A6SG, LT A6SG
Hyper SIDELED long life Enhanced optical Power LED (ThinGaN ) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB A6SG, LT A6SG Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse,
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
3 mm (T1) LED, Non Diffused Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3340, LO 3340, LY 3340, LG 3330, LP 3340
3 mm (1) LED, Non Diffused Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3340, LO 3340, LY 3340, LG 3330, LP 3340 Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes,
Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3386
Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3386 Vorläufige Daten für OS-PCN-24--A / Preliminary Data for OS-PCN-24--A Besondere Merkmale Gehäusetyp:
Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675
Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LY T686. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LY T686 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik;
Multi TOPLED LSG T670, LSP T670, LSY T670, LOP T670, LYG T670
Multi TOPLED LSG T67, LSP T67, LSY T67, LOP T67, LYG T67 Non-RoHS compliant version of product will be discontinued acc. to OS-PD-2-. The product itself will remain within RoHS compliant version. Besondere
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter
SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times
IR-Lumineszenzdiode (94nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (94nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS CompliantLead (Pb) Free Product - RoHS SFH 442 SFH 443
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
Golden Dragon 1 Watt LED LA W57B, LY W57B
Golden Dragon 1 Watt LED LA W57B, LY W57B Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMD-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Punktlichtquelle mit hoher Lichtausbeute bei geringem Platzbedarf Wellenlänge: 617
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674
TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674 Non-RoHS compliant version of product will be discontinued acc. to OS-PD-25-5. The product itself will remain within RoHS compliant version. Besondere
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 44 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel
TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770
TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
LC TOPLED Low Current LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS T679, LY T679, LG T679. Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs
LC TOPLED Low Current LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS T679, LY T679, LG T679 Nicht für Neuentwicklungen Not for new designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser
WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELRON Elektronik GmbH // el: 982 6727- // Fax: 982 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product -
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351
5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke
Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED LA E65F. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED LA E65F Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: fokussierte
LC SIDELED Low Current LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS A679, LY A679, LG A679. LG_LS_LY A679 abgekündigt nach OS-PD
LC SIDELED Low Current LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS A679, LY A679, LG A679 LG_LS_LY A679 abgekündigt nach OS-PD-26-9 - werden durch LG_LS_LY A67K ersetzt werden. LG_LS_LY A679 obsolete
CHIPLED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LH N974
CHIPLED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LH N974 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 1206, farbloser diffuser Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 3,2 mm x 1,6 mm x 1,1 mm Wellenlänge:
Hyper Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (ATON ) LB Y87C. Vorläufige Daten Preliminary Data
Hyper Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (AON ) LB Y87 Vorläufige Daten Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: kleine
LC TOPLED Low Current LED LS T679, LY T679, LG T679
LC TOPLED Low Current LED LS T679, LY T679, LG T679 Non-RoHS compliant version of product will be discontinued acc. to OS-PD-2-. The product itself will remain within RoHS compliant version. Besondere
Cathode GEX Cathode GEX06305
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAIAs Infrared Emitters (88 nm) 484 Area not flat 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6.4.6.4.8.2 29 27.5.8.5 29 27 Area not flat.8.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5. 9. 8.2 7.8 7.5
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 4646 SFH 464 SFH 4646 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673
Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen
Power TOPLED Enhanced thin film LED LA E67F
Power OPLED Enhanced thin film LED LA E67F Non-RoHS compliant version of product will be discontinued acc. to OS-PD-25-5. he product itself will remain within RoHS compliant version. Besondere Merkmale
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an
SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times
IR-Lumineszenzdiode (8nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse High Power Infrared Emitter (8nm) in SMR Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit
GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 P 2.54 mm spacing.6.4 Area not flat.7.4.8.2 29 27.8.4 4.5 4. Cathode 3. 2.5 2..7 ø3. ø2.9 3.5 Chip position 4. 3.6.6.4 GEX638
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 424 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Homogene
Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209
Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Wesentliche Merkmale Punktlichtquelle mit hohem Wirkungsgrad bei
BLUE LINE TM Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LB 3336
BLUE LINE TM Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LB 3336 Abgekündigt nach OS-PD-25-2 - wird durch LB 3333 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-25-2 - will be replaced by LB 3333 Besondere
High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten
214-1-16 High Power Infrared Emitter (8 nm) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN-29-21-A2 SFH 46 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED Infrarot
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters 415 Cathode spacing 2.54mm 2.54 mm spacing 1.8 1.2 29 27 Area not flat Chip position.8 Approx. weight.2 g Area not flat.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode)
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB Y8SG, LT Y8SG. Released
Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB Y8SG, LT Y8SG Released Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils:
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 431 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Features
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4500 SFH 4505 SFH 4500 SFH 4505 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (40mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (8nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 47 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale 3. W optische Leistung bei IF=A Aktive Chipfläche 2.
Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655
Engwinklige LED in MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale max.
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239
IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen bei 88 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5 mm-plastikbauform
CHIPLED 0805 Datasheet Version 1.0 LS R976
2012-11-06 CHIPLED 0805 Datasheet Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Package: SMT package 0805, colorless diffused Gehäusetyp: SMT package 0805, farbloser resin, 2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm diffuser
CHIPLED 0603 Datasheet Version 1.1 LO Q976
2013-05-08 CHIPLED 0603 Datasheet Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Package: SMT package 0603, colorless diffused Gehäusetyp: SMT Gehäuse 0603, farbloser resin, 1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm diffuser
TOPLED long life Enhanced optical Power LED (ThinGaN) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LW T6SG OS-IN
TOPLED long life Enhanced optical Power LED (ThinGaN) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LW T6SG OS-IN-29-9 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, eingefärbter diffuser Silikon - Verguss
InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm, High Optical Power)
InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode (632 nm, High Optical Power) InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (632 nm, High Optical Power) F 1998A Vorläufige Daten/Preliminary Data Wesentliche Merkmale
Advanced Power TOPLED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW G6SG. Vorläufige Daten / Preliminary Data
dvanced Power TOPLED Enhanced optical Power LED (NOT ) LW G6SG Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMD Gehäuse, farbiger diffuser Verguss Besonderheit des Bauteils:
GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH
27-4-4 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package (T 1 3/4) GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typical peak wavelength 95nm Typische
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)
Golden DRAGON ARGUS Enhanced Thinfilm LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LR W5KM, LY W5KM. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs
Golden DRAGON ARGUS Enhanced Thinfilm LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMD-Gehäuse, farbloser klarer Silikon
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232
IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger
Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21
2014-01-10 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications
SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen
213-1-16 GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse Version 1. (not for new design) SFH 421 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH 4253 Ersatz: SFH 4253 Very
GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274
211-3-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1. LD 274 Features: Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability Hohe Zuverlässigkeit
SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670
SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670 Non-RoHS compliant version of product will be discontinued acc. to OS-PD-2005-005. The product itself will remain within RoHS compliant version. Besondere
Multi TOPLED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Version 1.0 LSG T67K. Released. Besondere Merkmale. Features
Multi TOPLED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Version 1.0 LSG T67K Released Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes PLCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: beide Leuchtdiodenchips
Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271
212-8-17 Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1. (not for new design) SFH 4271 Features: Besondere Merkmale: Replacement: SFH4257 Ersatz: SFH4257 Black coloured TOPLED-package Schwarz eingefärbtes
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB T676
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LB T676 Abkündigung nach OS-PD-28-14 Obsolete acc. to OS-PD-28-14 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse,
Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 3204
215-9-4 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 324 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 112 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer
27-3-3 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1. Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 4 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 11 nm 4
TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LH T674. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs
TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LH T674 Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser
High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.
213-1-31 High Power Infrared Emitter (85nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (85nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.1 SFH 4551 Features: Besondere Merkmale: High Power Infrared LED
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 48 E78 his data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-29-2-A2). Not to
SFH 203 P, SFH 203 PFA
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