Halbleiterbauelemente
|
|
|
- Silke Fürst
- vor 10 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Halbleiterbauelemente Von Dr.-Ing. Karl-Heinz Löcherer Professor an der Universität Hannover M 1 Mit 330 Biläern, 11 Tafeln und 36 Beispielen B. G. Teubner Stuttgart 1992
2 Inhalt 1 Übergänge zwischen Halbleitern, Metallen und Isolatoren 1.1 Der' einfache pn-übergang Der stromlose idealisierte pn-übergang Der gleichstromdurchflossene idealisierte pn-übergang Die Strom-Spannungs-Charakteristik Die Temperaturabhängigkeit Abweichungen bei realen pn-übergängen Generation und Rekombination in der Raumladungszone Oberflächenrekombination Verhalten bei großen Strömen Durchbruchserscheinungen Der wechselstromdurchflossene pn-übergang Kleinsignalverhalten Großsignalverhalten 1.2 Der pin- und psn-übergang Die stationäre Strom-Spannungs-Charakteristik Der wechselstromdurchflossene Übergang Kleinsignalverhalten Großsignalverhalten 1.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang Verarmungs-und Anreicherungs-Randschichten Der gleichstromdurchflossene Schottky-Übergang Der wechselstromdurchflossene Schottky-Übergang Der Metall-Isolätor-Halbleiter-Übergang Bändermodell und Kapazität der idealen MIS-Struktur. V Korrekturen für reale MIS-Strukturen 88 2 Dioden 2.1 Gleichrichter- und Mischdioden Punktkontakt-Dioden. Spitzendiode. Golddrahtdiode Die Rückwärtsdiode 103
3 VIII Inhalt Die Schottky-Diode Leistungsgleichrichter Z-Dioden Schaltdioden Varaktordioden Sperrschicht-Varaktoren Speicher-Varaktoren MIS-Varaktoren Die pin-diode als HF-Varistor und -Schalter Aktive Mikrowellen-Dioden Die Lawinen-Laufzeit-Diode Die Baritt-Diode Das Gunn-Element Die Tunneldiode 194 J. 2.7 Lichtempfindliche Dioden Empfangsdioden Die Photodiode Die Lawinen-Photodiode Das Photoelement Sendedioden Lumineszenzdioden Laserdioden 3 Feldeffekt-Transistoren 3.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht Der FET mit nicht-isolierender Steuerelektrode (NIGFET) Der Aufbau des inneren Transistors Der gleichstromdurchflossene innere Transistor Die Strom-Spannungs-Charakteristik Kennlinienfelder, Kenngrößen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes Korrekturen für reale pn- und MES-FETs. Der praktische Arbeitsbereich 285
4 Inhalt IX Sonderbauformen Der NIGFET mit Substratsteuerung Der NIG- FET mit zwei Gates (Dual-Gate FET, Tetrode) Der MESFET mit verbesserten HF-Eigenschaften 3.3 Der FET mit isolierender Steuerelektrode (IGFET) Der Aufbau des inneren Transistors. Selbstsperrender und selbstleitender Typ Der gleichstromdurchflossene innere Transistor Die Strom-Spannungs-Charakteristik Kennlinienfelder und dynamische Kenngrößen Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes Korrekturen für reale IGFETs. Vorsichtsmaßnahmen Sonderbauformen Der IGFET mit Substratsteuerung Der IGFET mit zwei Gates (Dual-Gate MOS-FET, Tetrode) Der MOS-Leistungstransistor 4 Bipolartransistoren 4.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht Der Aufbau des inneren Transistors Der gleichstromdurchflossene innere Transistor Ladungsträgerverteilung und Potentialverlauf im Transistor mit homogen dotierter Basis Die Strom-Spannungs-Charakteristiken Die drei Schaltungsarten Kenngrößen-für den stationären Betrieb Kennlinienfelder Kenngrößen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung Die Temperaturabhängigkeit des Kollektorstromes 4.4 Korrekturen für reale Transistoren Der praktische Arbeitsbereich Sonderbauformen Der Hetero-Bipolartransistor (HBT) Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) Der Permeable-Base Transistor (PBT) 368
5 X Inhalt 5 Thyristoren 5.1 Strom-Spannungs-Beziehungen für Vierschichtstrukturen Thyristor-Dioden Die rückwärtssperrende Diode Die bidirektionale Diode (Diac) Thyristor-Trioden Die rückwärtssperrende Thyristor-Triode (Thyristor) Vom Thyristor abgeleitete Bauelemente Thyristor-Tetroden 406 Anhang 1 Ergänzende Bücher und Tabellenwerke Physikalische Konstanten v-> Formelzeichen Erläuterungen wichtiger Begriffe 413 Sachverzeichnis 420 Hinweise auf DIN-Normen in diesem Werk entsprechen dem Stand der Normung bei Abschluß des Manuskriptes. Maßgebend sind die jeweils neuesten Ausgaben der Normblätter des DIN Deutsches Institut für Normung e.v. im Format A4, die durch die Beuth-Verlag GmbH, Berlin und Köln, zu beziehen sind. - Sinngemäß gilt das gleiche für alle in diesem Buche angezogenen amtlichen Richtlinien, Bestimmungen, Verordnungen usw.
Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1
VII Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis...VII 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen...5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische
Inhaltsverzeichnis. Formelzeichen und Naturkonstanten... XIII
Formelzeichen und Naturkonstanten... XIII 1 Halbleiter-Grundlagen...1 1.1 Halbleitermaterialien...1 1.2 Bindungsmodell...3 1.2.1 Gitterstruktur...3 1.2.2 Eigenleitung...4 1.2.3 Störstellenleitung...7 1.3
Halbleiter-Leistungsbauelemente
Halbleiter-Leistungsbauelemente Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Bearbeitet von Josef Lutz 1. Auflage 2012. Buch. xxii, 383 S. Hardcover ISBN 978 3 642 29795 3 Format (B x L): 16,8 x 24 cm Gewicht:
3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte
Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,
Leistungsbauelemente
II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen
Grundlagen der Datenverarbeitung
Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter
= e kt. 2. Halbleiter-Bauelemente. 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden
2. Halbleiter-Bauelemente 2.1 Reine und dotierte Halbleiter 2.2 der pn-übergang 2.3 Die Diode 2.4 Schaltungen mit Dioden Zu 2.1: Fermi-Energie Fermi-Energie E F : das am absoluten Nullpunkt oberste besetzte
Inhaltsverzeichnis. Liste der verwendeten Symbole... 1
Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole... 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik... 7 1.1 Grundlegende Begriffe.................................... 7 1.1.1 Das Bändermodell.... 7 1.1.2 Silizium
Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren
Elektronische Halbleiterbauelemente
Elektronische Halbleiterbauelemente Von Prof. Dr.-Ing. habil. Reinhold Paul Technische Universität Hamburg-Harburg 3., durchgesehene Auflage Mit 277 Bildern und 30 Tafeln B. G. Teubner Stuttgart 1992 Inhaltsverzeichnis
5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden
5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,
Inhaltsverzeichnis. Liste der verwendeten Symbole... 1
Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole... 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik... 7 1.1 Grundlegende Begriffe.................................... 7 1.1.1 DasBändermodell... 7 1.1.2 Silizium als
JFET MESFET: Eine Einführung
JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,
Feldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie
7. Unipolare Transistoren, MOSFETs
7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden
Mikroprozessor - und Chiptechnologie
Mikroprozessor - und Chiptechnologie I 1 1 Halbleiterfunktionen 2 8 Halbleiterbauelemente 8 Halbleiterbauelemente 8.1 Grundlagen 8.2 Dioden 8.3 Transistoren 8.4 Einfache Grundschaltungen Als halbleitend
Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.
Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.
Halbleitergrundlagen
Halbleitergrundlagen Energie W Leiter Halbleiter Isolator Leitungsband Verbotenes Band bzw. Bandlücke VB und LB überlappen sich oder LB nur teilweise mit Elektronen gefüllt Anzahl der Elektronen im LB
Halbleiterdioden. Grundlagen und Anwendung. Von Reinhold Paul. ü VEB VERLAG TECHNIK BERLIN
Halbleiterdioden Grundlagen und Anwendung Von Reinhold Paul ü VEB VERLAG TECHNIK BERLIN INHALTSVERZEICHNIS Schreibweise und Formelzeichen der wichtigsten Größen 15 1. Grundeigenschaften von Festkörperbauelementen
Elektronik II 2. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1/31 Elektronik II 2. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1. Brückengleichrichter
PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe. E 7 - Dioden
1.8.07 PHYSIKALISCHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 7 - Dioden 1. Grundlagen nterschied zwischen Leitern, Halbleitern und Isolatoren, Dotierung von Halbleitern (Eigen- und Fremdleitung, Donatoren
Formelsammlung Baugruppen
Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in
Grundlagen der Elektronik
Die Meisterprüfung Grundlagen der Elektronik Dipl.-Ing. Karl-Wilhelm Dugge Dipl.-Ing. Andreas Eißner 6., neubearbeitete Auflage III Bibliothek Vogel Buchverlag Inhaltsverzeichnis Vorwort 5 1 Halbleitermaterial
Leistungsbauelemente
, apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Vorbemerkung Vorlesung Leistungsbaulemente Zweitägige kompakte Blockvorlesung
Thermosensoren Sensoren
Thermosensoren Sensoren (Fühler, Wandler) sind Einrichtungen, die eine physikalische Grösse normalerweise in ein elektrisches Signal umformen. Die Messung der Temperatur gehört wohl zu den häufigsten Aufgaben
Sonnenenergie: Photovoltaik. Physik und Technologie der Solarzelle
Sonnenenergie: Photovoltaik Physik und Technologie der Solarzelle Von Prof. Dr. rer. nat. Adolf Goetzberger Dipl.-Phys. Bernhard Voß und Dr. rer. nat. Joachim Knobloch Fraunhofer-Institut für Solare Energiesysteme
PTC-Widerstand. Material. Thema. Aufbau. Experiment. Messergebnisse
PTC-Widerstand 1 Universalsteckbox 1 EIN-AUS-Schalter 1 Widerstand 500 Ω 1 PTC-Widerstand 1 Amperemeter 1 Voltmeter Zündhölzer Der Widerstand von Halbleitern kann von der Temperatur abhängen. Versorgungsspannung:
Versuch: Transformator und Gleichrichtung
Labor Physik und Grundlagen der Elektrotechnik Versuch: Transformator und Gleichrichtung Prof. Dr. Karlheinz Blankenbach Dipl.-Phys. Michael Bauer Blankenbach / transformatoren.doc 1 Transformator und
Grundlagen der Elektronik
Grundlagen der Elektronik Wiederholung: Elektrische Größen Die elektrische Stromstärke I in A gibt an,... wie viele Elektronen sich pro Sekunde durch den Querschnitt eines Leiters bewegen. Die elektrische
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht
Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente
Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert
Versuch 17.2 Der Transistor
Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: [email protected]
Stand: 05.07.2001 Seite 3-1
Inhaltsverzeichnis: Thema Bereiche Seite Thyristordiode Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-2 Kennlinie 3-2 Thyristor Funktionsweise, Aufbau und Schaltzeichen 3-3 Kennlinie 3-3 Thyristortetrode
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
Versuch 21. Der Transistor
Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor
h- Bestimmung mit LEDs
h- Bestimmung mit LEDs GFS im Fach Physik Nicolas Bellm 11. März - 12. März 2006 Der Inhalt dieses Dokuments steht unter der GNU-Lizenz für freie Dokumentation http://www.gnu.org/copyleft/fdl.html Inhaltsverzeichnis
Dabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode
Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann
Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der
8. Halbleiter-Bauelemente
8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung
Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger
UniversitätÉOsnabrück Fachbereich Physik Dr. Wolfgang Bodenberger Der Transistor als Schalter. In vielen Anwendungen der Impuls- und Digital- lektronik wird ein Transistor als einfacher in- und Aus-Schalter
Digitaltechnik. TI-Tutorium. 29. November 2011
Digitaltechnik TI-Tutorium 29. November 2011 Themen Schaltsymbole Transistoren CMOS nächstes Übungsblatt 2 Aufgaben Schaltsymbole Widerstand npn-transistor Widerstand pnp-transistor Glühlampe pmos Transistor
Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren
Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Grundlagen 2 2.1 MOSFET..................................... 2 2.2 JFET....................................... 3 2.3 Übersicht der
Lösung zu Computerübung 2
Lösung zu Computerübung 2 2.1 Einfacher Diodengleichrichter Vorbermerkung: Je nachdem ob für die Dioden und die Schalter im Simulationsmodell ein Flussspannungsabfall definiert wurde, ergeben sich andere
Laborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung
1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung
Elektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor
Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor 1. Einleitung Transistoren spielen eine zentrale Rolle in der Elektronik. Die Anzahl der Anwendungen ist sehr vielfältig. Daher
Drohaflttsveirzeklhiinifls
Drohaflttsveirzeklhiinifls 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente 1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen 5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische Grundlagen 5 2.1.1 Kristallgitter
Enseignement secondaire technique. ELETE Électrotechnique
Enseignement secondaire technique Régime technique Division technique générale Section technique générale Cycle supérieur ELETE Électrotechnique 13GE Nombres de leçons : 3h Langue véhiculaire : Allemand
B 2. " Zeigen Sie, dass die Wahrscheinlichkeit, dass eine Leiterplatte akzeptiert wird, 0,93 beträgt. (genauerer Wert: 0,933).!:!!
Das folgende System besteht aus 4 Schraubenfedern. Die Federn A ; B funktionieren unabhängig von einander. Die Ausfallzeit T (in Monaten) der Federn sei eine weibullverteilte Zufallsvariable mit den folgenden
Lehr- und Übungsbuch Elektronik
Lehr- und Übungsbuch Elektronik Günther Koß, Wolfgang Reinhold, Friedrich Hoppe ISBN 3-446-40016-8 Inhaltsverzeichnis Weitere Informationen oder Bestellungen unter http://www.hanser.de/3-446-40016-8 sowie
Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1
Inhaltsverzeichnis Dioden...2 Allgemein...2 Kenngrößen...2 Anlaufstrom...2 Bahnwiderstand...2 Sperrschichtkapazität...2 Stromkapazität...3 Durchbruchspannung...3 Rückerholungszeit...3 Diodenarten...3 Backward-Diode...3
Bauelemente der Halbleiterelektronik
2008 AGI-Information Management Consultants May be used for personal purporses only or by libraries associated to dandelon.com network. Bauelemente der Halbleiterelektronik Teil 2 Feldeffekt-Transistoren,
Frequenzgang eines RC-Tiefpasses (RC-Hochpasses)
51 Frequenzgang eines RC-Tiepasses (RC-Hochpasses) EBll-2 Augabe In dieser Übung soll ein RC-Tiepaß bzw. wahlweise eln RC- Hochpaß mit R = 10 kq und C = 22 nf augebaut und Deßtechnisch untersucht werden.
Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007
1 Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor Sascha Hankele [email protected] Kathrin Alpert [email protected] durchgeführt am 22. Juni 2007 INHALTSVERZEICHNIS 2 Inhaltsverzeichnis
Inhaltsverzeichnis Grundlagen Kontakte
1. Grundlagen... 1 1.1 Elektrische Netzwerke, CAD-Werkzeuge.... 1 1.2 Ideale Netzwerkelemente..... 3 1.2.1 Widerstände... 3 1.2.2 Kapazitäten... 5 1.2.3 Unabhängige und gesteuerte Quellen... 6 1.3 NetzwerkeauslinearenElementen...
Transistoren Funktionsweise und Kennlinien BJT, MOS-FET und J-FET
Transistoren Funktionsweise und n BJT, MOS-FET und J-FET Dieses Skript erklärt wie die heute am häufigsten verwendeten Transistoren funktionieren und welches ihre charakteristischen n sind. Vorbereitete
Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl
Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl Übersicht Erklärung eines pn Übergangs Halbleiterdioden Photodioden Leuchtdioden Bipolartransistor JFET MOSFET pn Übergang y y y y y y Übergang von
Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen
Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3
Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 ([email protected]) (abc.xyz@uni-ulm.
Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 ([email protected]) ([email protected]) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll
Aufgabensammlung. a) Berechnen Sie den Basis- und Kollektorstrom des Transistors T 4. b) Welche Transistoren leiten, welche sperren?
Aufgabensammlung Digitale Grundschaltungen 1. Aufgabe DG Gegeben sei folgende Schaltung. Am Eingang sei eine Spannung von 1,5V als High Pegel und eine Spannung von 2V als Low Pegel definiert. R C = 300Ω;
Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang
2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten
EINSCHALTSTROMPEAKS BEI SIC-JFET IN HALBBRÜCKEN
Einschaltstrompeaks bei SiC-JFET in Halbbrücken 1 EINSCHALTSTROMPEAKS BEI SIC-JFET IN HALBBRÜCKEN I. Koch 1 EINLEITUNG In leistungselektronischen Anwendungen sollten sich Ober- und Unterschalter einer
MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik
MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester
Elektrotechnische/Elektronische Grundlagen. Lehrpläne. Grundlagen Elektrotechnik
Elektrotechnische/Elektronische Grundlagen Lehrpläne Grundlagen Elektrotechnik 1. Gleichstromtechnik 1.1 Grundgrößen 1.1.1 Ladung 1.1.1.1 Ladungsbeschreibung 1.1.1.2 Ladungstrennung 1.1.2 Elektrische Spannung
Inhaltsverzeichnis. 1 Elektrische Leitung und Widerstände. 2 Homogene Halbleiterbauelemente. 3 Halbleiterdioden. 4 Kondensatoren
Inhaltsverzeichnis 1 Elektrische Leitung und Widerstände 1.1 Elektrische Leitung, Grundbegriffe 2 1.2 Leitungen und Sicherungen 4 1.3 Elektrische Widerstände 6 1.4 Übliche Bauformen der Widerstände 8 1.5
Silizium- Planartechnologie
Hans Günther Wagemann, Tim Schönauer Silizium- Planartechnologie Grundprozesse, Physik und Bauelemente Teubner B. G.Teubner Stuttgart Leipzig Wiesbaden Vorwort V Übersicht über den Stoff des Buches V Inhaltsverzeichnis
Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise
Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Reine Halbleitermaterialien, wie Silizium (Si) oder Germanium (Ge) sind bei Zimmertemperatur fast Isolatoren: bzw. bei sinkender Temperatur HL Isolator
Vorgaben der DIN ISO 13528 Statistische Verfahren für Eignungsprüfungen durch Ringversuche
Konsens- oder Referenzwerte in Ringversuchen Möglichkeiten und Grenzen Dr.-Ing. Michael Koch Institut für Siedlungswasserbau, Wassergüte und Abfallwirtschaft der Universität Stuttgart Arbeitsbereich Hydrochemie
Amateurfunk-Kurs Ortsverband C Ø1, Vaterstetten 16.01.06
Netzteil 1 Netzgerätetechnik Die bei fast allen elektronischen Geräten benötigte Betriebspannung ist eine Gleichspannung, die üblicherweise in einem Bereich von 6..24 V liegt. Um diese Betriebspannungen
TO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen
Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen
EP-Kombi-Verbindungselemente
M 515 Kurzbeschreibung Das EP-Kombi-Verbindungselement ist ein Element, welches aus einem Bolzen und einem Keilstift besteht und zur Befestigung von Schleiß- und Gleitleisten sowie Belägen an Maschinenteilen
E l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:
Hilfe bei der Qual der Wahl
Hilfe bei der Qual der Wahl Die große Auswahl an verfügbaren Halbleitern ermöglicht heute sehr unterschiedliche TOPOLOGIEN BEIM DESIGN VON ABWÄRTSWANDLERN. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK stellt diese Topologien
erster Hauptsatz der Thermodynamik,
1.2 Erster Hautsatz der hermodynamik Wir betrachten ein thermodynamisches System, dem wir eine beliebige Wärmemenge δq zuführen, und an dem wir eine Arbeit da leisten wollen. Werden umgekehrt dem System
Widerstandsdrähte auf Rahmen Best.-Nr. MD03803
Widerstandsdrähte auf Rahmen Best.-Nr. MD03803 Beschreibung des Gerätes Auf einem rechteckigen Rahmen (1030 x 200 mm) sind 7 Widerstandsdrähte gespannt: Draht 1: Neusilber Ø 0,5 mm, Länge 50 cm, Imax.
Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall
Kapitel 1: Diode Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen, die mit Anode (anode,a) und Kathode (cathode,k) bezeichnet werden. Man unterscheidet zwischen Einzeldioden, die für die Montage
ELEXBO A-Car-Engineering
1 Aufgabe: -Bauen Sie alle Schemas nacheinander auf und beschreiben Ihre Feststellungen. -Beschreiben Sie auch die Unterschiede zum vorherigen Schema. Bauen Sie diese elektrische Schaltung auf und beschreiben
Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie
Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Seite Inhalt 2 Einleitung 2 Vorbereitung 2 1. Statische Messung 3 2. Dynamische Messung 5 3. Einpuls-Mittelpunktschaltung 7 azit 8 Anhang Seite 1 Einleitung Bei
Quittung 1: 1. Gutachter/in
Quittung 1: 1. Gutachter/in Kandidat/in: Die Doktorandin / Der Doktorand hat mir heute 1 Exemplar der Dissertation übergeben. Ich bestätige, dass der Inhalt dieses Exemplars O mit dem des Originals übereinstimmt
Transistor FET. Roland Küng, 2010
Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über
Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.
Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06
Dieses Werk ist copyrightgeschützt und darf in keiner Form vervielfältigt werden noch an Dritte weitergegeben werden. Es gilt nur für den
1 Einleitung Die Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) gewinnt durch die Nutzung regenerativer Energien zunehmend an Bedeutung. Die Yunnan-Guangdong HGÜ in China, welche die Energie aus den Wasserkraftwerken
Fragenkatalog für Betreiber von Autonomen Systemen im Internet
Fragenkatalog für Betreiber von Autonomen Systemen im Internet Bei diesem Fragenkatalog handelt es sich um eine wissenschaftliche Studie zur Infrastruktur von Autonomen Systemen (AS). Bitte ausfüllen und
Uwe Naundorf. Analoge Elektronik. Grundlagen, Berechnung, Simulation. Hüthig Verlag Heidelberg
Uwe Naundorf Analoge Elektronik Grundlagen, Berechnung, Simulation Hüthig Verlag Heidelberg Inhaltsverzeichnis 1 Bauelemente 1 1.1 Nichtlinearer Widerstand 1 1.1.1 Allgemeine Beschreibung 1 1.1.2 Großsignalverhalten
ρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C)
134.163 Grundlagen der Elektronik - Übungsbeispiele für den 11.05.2016 Beispiel C1: Berechnen Sie den Widerstand einer Glühlampe mit einem Wolframdraht von 0,024 mm Durchmesser und 30 cm Länge bei Raumtemperatur
Haftpflichtversicherung für ein Praktikum während der Herbstferien 2013 Nur für Schüler der 9. Klasse der RS Füssen
Haftpflichtversicherung für ein Praktikum während der Herbstferien 2013 Mit diesem Blatt melden sich Schüler der 9. Klasse für ein Praktikum während der Herbstferien 2013 an, Dienstag, den 22.10.2013,
Erlaubnis für den gewerblichen Güterkraftverkehr ( 3 Absatz 1 GüKG) Gemeinschaftslizenz (Artikel 4 VO (EG) Nr. 1072/2009)
Antrag auf Erteilung einer (falls im Handelsregister eingetragen) Registergericht Register-Nr. 1.1 Ort der Niederlassung 1.2 Ort des Hauptsitzes im handelsrechtlichen Sinne (soweit abweichend von Nr. 1.1)
Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Summe Note Mögliche Punkte 13 20 16 23 31 15 118 Erreichte Punkte
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 1 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 11. Oktober 005 Klausurdauer : Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung
Weitere Anwendungen einer Diode:
Diode Diode, elektronisches Bauteil, das Strom nur in einer Richtung durchfließen lässt. Die ersten Dioden waren Vakuumröhrendioden, die aus einer luftleeren Glasoder Stahlhülle mit zwei Elektroden (einer
Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997
Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel
Darstellungsformen einer Funktion
http://www.flickr.com/photos/sigfrid/348144517/ Darstellungsformen einer Funktion 9 Analytische Darstellung: Eplizite Darstellung Funktionen werden nach Möglichkeit eplizit dargestellt, das heißt, die
Michelson-Interferometer. Jannik Ehlert, Marko Nonho
Michelson-Interferometer Jannik Ehlert, Marko Nonho 4. Juni 2014 Inhaltsverzeichnis 1 Einführung 1 2 Auswertung 2 2.1 Thermische Ausdehnung... 2 2.2 Magnetostriktion... 3 2.2.1 Beobachtung mit dem Auge...
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
Inhaltsverzeichnis. Vorwort Vorwort zur 8. Auflage. 1 Grundlagen der Lichtwellenleiter-Technik... 13 Dieter Eberlein
Inhaltsverzeichnis Vorwort Vorwort zur 8. Auflage 1 Grundlagen der Lichtwellenleiter-Technik... 13 1.1 Physikalische Grundlagen der Lichtwellenleiter-Technik... 13 1.1.1 Prinzip der optischen Informationsübertragung...
DIN DVS. Schweißtechnik 7. Schweißtechnische Fertigung Schweißverbindungen. DIN-DVS-Taschenbuch 284. Normen
DIN DVS DIN-DVS-Taschenbuch 284 Schweißtechnik 7 Schweißtechnische Fertigung Schweißverbindungen Normen Inhalt DIN-Nummernverzeichnis Verzeichnis der gegenüber der letzten Auflage nicht mehr abgedruckten
Halbleiterbauelemente
Mathias Arbeiter 20. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Halbleiterbauelemente Statische und dynamische Eigenschaften von Dioden Untersuchung von Gleichrichterschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Schaltverhalten
