Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA



Ähnliche Dokumente
Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 38

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103

Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX BPX 89

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 309. Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ)

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103-4

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA

SFH 309 P SFH 309 PFA. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 P SFH 309 PFA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43-5

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

SFH 309 SFH 309 FA. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

BPX43. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

Silicon NPN Phototransistor with Daylight - Cutoff Filter NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Version 1.

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 81

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.3 BP 103

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 303 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 213

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

SFH 300 SFH 300 FA. ṄPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 206 K. Ordering Information Bestellinformation Ordering Code Bestellnummer

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPY 62

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 38

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package SFH 325 SFH 325 FA

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 43

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Photointerrupters Lichtschranken For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln A variety of manufacturing and monitoring

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 560 nm, E e. = 10 μw/cm 2, V CE

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Chip position. ø2.9 GEO Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer = 950 nm, E e. = 0.1 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Doppeldiode von extrem hoher Gleichmäβigkeit homogeneousness

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit homogeneousness

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 BPX 81. Spectral range of sensitivity: (typ)

Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Photointerrupters Lichtschranken

SFH 313 SFH 313 FA. Ṅeu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3204

SFH 203 P, SFH 203 PFA

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 205 F

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Photointerrupters Lichtschranken

BP 103 B BP 103 BF BP 103 B BP 103 BF

Output: active "low" Ausgang: aktiv "low" Built-in Schmitt Trigger circuit Integrierter Schmitt-Trigger Compact package Miniatur-Gehäuse

BPW34FA, BPW34FAS, BPW34FAS (E9087)

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Transkript:

2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 380 nm... 1180 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA) 380 nm... 1180 nm (SFH 309), 880 nm...1120 nm (SFH 309 FA) Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy Gehäuse: 3mm Radial (T 1), Harz Special: High photosensitivity Besonderheit: Hohe Fotoempfindlichkeit High linearity Hohe Linearität Available in groups Gruppiert lieferbar Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln 2014-01-14 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE [µa] SFH 309 400... 5000 Q62702P0859 SFH 309-3/4 630... 2000 Q62702P3592 SFH 309-4 1000... 2000 Q62702P0998 SFH 309-4/5 1000... 3200 Q62702P3593 SFH 309-5 1600... 3200 Q62702P0999 SFH 309-5/6 1600... 5000 Q62702P3594 SFH 309 FA 400... 5000 Q62702P0941 SFH 309 FA-3/4 630... 2000 Q62702P3590 SFH 309 FA-4 1000... 2000 Q62702P0178 SFH 309 FA-4/5 1000... 3200 Q62702P3591 SFH 309 FA-5 1600... 3200 Q62702P0180 SFH 309 FA-5/6 1600... 5000 Q62702P5199 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit SFH 309 SFH 309 FA Operating and storage temperature range T op ; T stg -40... 100 C Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage V CE 35 V Kollektor-Emitter-Spannung Collector current I C 15 ma Kollektorstrom 2014-01-14 2

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Collector surge current Kollektorspitzenstrom (τ < 10 µs) Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance Wärmewiderstand Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte I CS 75 ma P tot 165 mw R thja 450 K / W Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche ( 220 μm) Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche Distance chip front to case surface Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Half angle Halbwinkel Capacitance Kapazität (V CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) Dark current Dunkelstrom (V CE = 20 V, E = 0) SFH 309 SFH 309 SFH 309 FA λ S max 860 900 nm λ 10% 380... 1150 SFH 309 FA 730... 1120 nm A 0.038 mm 2 L x W 0.45 x 0.45 mm x mm H 2.4... 2.8 mm ϕ ± 12 C CE 5 pf I CE0 1 ( 50) na 2014-01-14 3

Grouping (T A = 25 C, λ = 950 nm) Gruppierung Group Min Photocurrent Max Typ Photocurrent Rise and fall time Photocurrent Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und Abfallzeit E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V E e = 0.5 mw/cm 2, V CE = 5 V SFH 309: E V = 1000 lx, Std. Light A, V CE = 5 V I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω I PCE, min [µa] I PCE, max [µa] I PCE [µa] t r, t f [µs] -2 400 800 1500 5-3 630 1250 2800 6-4 1000 2000 4500 7-5 1600 3200 7200 8-6 2500 5000 11200 9 Group Collector-emitter saturation voltage Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = I PCEmin x 0.3, E e = 0.5 mw/cm 2 V CEsat [mv] -2 200-3 200-4 200-5 200-6 200 Note.: I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group. Anm.: I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 2014-01-14 4

Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 309 S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 309 FA S rel = f(λ) 100 OHF01121 S rel % 80 60 40 20 0 400 600 800 1000 nm 1200 λ Photocurrent Fotostrom I PCE = f(e e ), V CE = 5 V Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter 2014-01-14 5

Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (25 C) = f(t A ), V CE = 5 V Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E = 0 1.6 Ι PCE Ι PCE25 1.4 OHF01524 Ι 10 1 na CEO OHF01527 1.2 10 0 1.0 0.8 10-1 0.6 0.4 10-2 0.2 0-25 0 25 50 75 C 100 TA -3 10 0 5 10 15 20 25 30 V 35 V CE Dark Current Dunkelstrom I CE0 = f(t A ), V CE = 20 V, E = 0 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E = 0 Ι 10 3 na CEO OHF01530 5.0 C CE pf OHF01528 10 2 4.0 3.5 3.0 10 1 2.5 2.0 10 0 1.5 1.0 0.5-1 10-25 0 25 50 75 C 100 TA 0-2 10 10-1 10 0 10 1 V 10 2 V CE 2014-01-14 6

Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) 2014-01-14 7

Package Outline Maßzeichnung 2.54 (0.100) spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode) 0.7 (0.028) 0.4 (0.016) 0.8 (0.031) 0.4 (0.016) 3.5 (0.138) 1.8 (0.071) 1.2 (0.047) 29 (1.142) 27 (1.063) Area not flat 5.2 (0.205) 4.5 (0.177) 4.1 (0.161) 3.9 (0.154) ø3.1 (0.122) ø2.9 (0.114) Chip position 6.3 (0.248) 5.9 (0.232) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 4.0 (0.157) 3.6 (0.142) GEOY6653 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-14 8

TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW 300 C T 250 200 150 100 235 C - 260 C First wave Preheating 130 C 120 C 100 C 10 s max., max. contact time 5 s per wave ΔT < 150 K Second wave Typical OHA04645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-01-14 9

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-14 10

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 2014-01-14 11