High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN A1 SFH 4232A

Ähnliche Dokumente
Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4239

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4236

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053

OSLON Compact (850nm) OSLON Compact (850nm) Version 1.2 SFH 4710

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

OSLON Black Series (850 nm) - 90 Version 1.0 SFH 4713A

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4232

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4230

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 / acc. to OS-PCN A2 SFH 4641

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

Narrow beam LED in Dragon Dome package (850nm) Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4783

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.1 SFH 4750

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4259S

(LxBxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm Short switching times Kurze Schaltzeiten High optical total power Sehr hohe Gesamtleistung

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4140

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4259

Narrow beam LED in Mini MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im Mini MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 SFH 4441

Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.2 SFH 4641

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4059SR

OSLON Black Series (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4715S. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Engwinklige LED im Dragon Dome Gehäuse (850 nm) Narrow beam LED in Dragon Dome package (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4783

ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines)

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Draft Version 0.0 SFH 4053

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN A2

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4656

Infrared Emitter (850 nm) and green GaP-LED (570 nm) Infrarot Sender (850 nm) und grüne GaP-LED (570 nm) Version 1.1 SFH 7251

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A

Narrow beam LED in MIDLED package (880 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (880 nm) Discontinued SFH 4685

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4235

Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

OSLON Black Series (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4725S

Features Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1.85 mm High optical total power

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln.

Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4650 SFH 4655

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln.

SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

Infrared Emitter IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 (not for new design) SFH 4271

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

SFH 421 same package as SFH 320 SFH 421 Gehäusegleich mit SFH 320 Good linearity at high currents Gute Lineraität bei hohen Strömen

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

Data transmission Datenübertragung Remote control Gerätefernsteuerung Infrared interface Infrarotschnittstelle

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4258

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Sensitivity (V λ )

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4045N

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

Transkript:

2014-01-08 High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.4 acc. to OS-PCN-2013-003-A1 Features: Besondere Merkmale: IR lightsource with high efficiency IR Lichtquelle mit hohem Wirkunsgrad Low thermal resistance (Max. 10 K/W) Niedriger Wärmewiderstand (Max. 10 K/W) Centroid wavelength 850 nm Schwerpunktwellenlänge 850 nm ESD safe up to 2 kv acc. to ANSI/ESDA/JEDEC ESD sicher bis 2 kv nach ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011; Class 2 JS-001-2011; Klasse 2 Superior Corrosion Robustness (see chapter Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt package outlines) Maßzeichnung) Package: SMT package Gehäuse: SMT-Bauform Applications Anwendungen Infrared Illumination for cameras Infrarotbeleuchtung für Kameras Surveillance systems Überwachungssysteme Maschine vision systems Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-01-08 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Total Radiant Flux Ordering Code Typ: Gesamtstrahlungsfluss Bestellnummer I F = 1 A, t p = 10 ms Φ e [mw] >400 (typ. 650) Q65111A3235 Note: Anm.: Measured with integrating sphere. Gemessen mit Ulbrichtkugel. Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range T op ; T stg -40... 100 C Betriebs- und Lagertemperatur Junction temperature T j 125 C Sperrschichttemperatur Reverse voltage V R 1 V Sperrspannung Forward current I F 1000 ma Durchlassstrom Surge current I FSM 2 A Stoßstrom (t p 1.5 ms, D = 0) Power consumption Leistungsaufnahme Thermal resistance junction - solder point Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-001 - HBM) P tot 2100 mw R thjs 10 K / W V ESD 2 kv Note: Anm.: For the forward current and power consumption please see "maximum permissible forward current" diagram Für den Vorwärtsgleichstrom und die Leistungsaufnahme siehe auch das "maximal zulässige Durchlassstrom" Diagramm 2014-01-08 2

Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge (I F = 100 ma, t p = 20 ms) λ peak 860 nm Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge der Strahlung (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Spectral bandwidth at 50% of I max Spektrale Bandbreite bei 50% von I max (I F = 1 A, t p = 10 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall times of I e ( 10% and 90% of I e max ) Schaltzeiten von I e ( 10% und 90% von I e max ) (I F = 2 A, R L = 50 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 A, t p = 20 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 2 A, t p = 100 μs) Radiant intensity Strahlstärke (I F = 1 A, t p = 100 µs) Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 A, t p = 10 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 A, t p = 10 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 A, t p = 10 ms) λ centroid 850 nm Δλ 30 nm ϕ ± 60 L x W 1 x 1 mm x mm t r / t f 11 / 14 ns V F 1.65 ( 2.1) V V F 1.9 ( 2.5) V I e, typ 205 mw/sr TC I -0.3 % / K TC V -1 mv / K TC λ, centroid 0.3 nm / K 2014-01-08 3

Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group Min Total Radiant Flux Max Total Radiant Flux Gruppe Min Gesamtstrahlungsfluss Max Gesamtstrahlungsfluss I F = 1 A, t p = 10 ms I F = 1 A, t p = 10 ms Φ e min [mw] Φ e max [mw] - DA 400 630 - DB 500 800 - EA 630 1000 Note: Anm: Measured with integrating sphere. Only one group in one package unit ( variation lower 1.6:1) Gemessen mit einer Ulbrichtkugel. Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1). 1) page 11 Relative Total Radiant Flux 1) Seite 11 Relativer Gesamtstrahlungsfluss Φ e /Φ e (1A) = f(i F ), T A = 25 C, Single pulse, t p = 100μs Φ 1 10 Φ e e (1 A) 0 10 5-1 10 5-2 10 5 OHF05526 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f(t S ), R thjs = 10 K/W 1100 ma I F 900 800 700 600 500 400 300 200 100 OHF05527-3 10-2 -1 10 5 10 5 10 0 A I F 10 1 0-40 -20 0 20 40 60 80 C 120 T S 2014-01-08 4

1) page 11 Forward Current 1) Seite 11 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 100 µs, T A = 25 C 1 10 A IF 10 0 10-1 10-2 1 1) page 11 Radiation Characteristics 1) Seite 11 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ) OHF05607 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T S = 85 C, duty cycle D = parameter 2.1 A I F 1.9 0.8 1.2 1.4 1.6 1.8 V 2-5 -4-3 -2-1 0 1 2 10 10 10 10 10 10 10 s 10 V F t p ϕ 1.0 1.8 1.7 1.6 1.5 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 D t P = T t P D = 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.33 0.5 1 40 30 20 10 0 OHL01660 T OHF05528 I F 50 0.8 60 70 80 90 0.6 0.4 0.2 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2014-01-08 5

Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Note: Corrosion robustness better than EN 60068-2-60 (method 4): with enhanced corrosion test: 40 C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h Anm.: Korrosionsfestigkeit besser als EN 60068-2-60 (Methode 4): mit erweitertem Korrosionstest: 40 C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h Type: Typ: Package Gehäuse Golden Dragon, approx. weight: 0.2 g Golden Dragon, Gewicht: 0.2 g 2014-01-08 6

Method of Taping Gurtung Cathode/Collector Side 4 (0.157) 1.55 (0.061) 2 (0.079) 1.75 (0.069) 11.5 (0.453) 12.4 (0.488) 24 (0.945) 0.3 (0.012) 0.3 (0.012) 7.35 (0.289) 6.35 (0.250) 8 (0.315) 1.9 (0.075) OHAY0508 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Note: Anm.: Packing unit 800/reel, ø180 mm Verpackungseinheit 800/Rolle, ø180 mm 2014-01-08 7

Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 0.3 (0.012) 12.0 (0.472) 11.6 (0.457) 2.3 (0.091) 10 (0.394) 11.6 (0.457) 1.6 (0.063) 2.3 (0.091) ø2.5 (0.098) ø4.0 (0.157) 1.6 (0.063) Kupfer Copper ø4.0 (0.157) Heatsink attach 3 Lötstellen 3 solder points Thermisch optimiertes PCB Thermal enhanced PCB Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Attention Achtung Lötstopplack Solder resist Lötpasten Schablone Solder paste stencil Bare Copper Freies Kupfer OHAY0681 Anode and Heatsink are electrically connected Anode und Heatsink sind elektrisch verbunden 2014-01-08 8

Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 300 C T 250 200 240 C 217 C t P t L OHA04525 T p 245 C 150 t S 100 50 0 0 25 C 50 100 150 200 250 s 300 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 150 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 100 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 60 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s 100 120 2 3 217 80 100 245 260 10 20 30 All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum 3 6 480 OHA04612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s 2014-01-08 9

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-08 10

Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 2014-01-08 11

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 2014-01-08 12