Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 SPL DS90_3

Ähnliche Dokumente
Nanostack Impuls-Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL DL90_3

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power SPL PL90_0

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 10 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 10 W Peak Power SPL PL85

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 4 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 4 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

SPL PL90_3. Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme

Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 3 W Spitzenleistung Pulsed Laser Diode in Plastic Package 3 W Peak Power SPL PL90_0

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

SPL PL90_

SPL PL

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production

SPL PL90. Pulsed Laser Diode in Plastic Package 25 W Peak Power Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 25 W Spitzenleistung Version 1.

Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1.

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe 14 W Spitzenleistung Hybrid Pulsed Laser Diode with Integrated Driver Stage 14 W Peak Power

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 TARGET DATASHEET

Un-mounted Laser Bars, 80% Fill Factor, 808nm Unmontierte Laserbarren, 80% Füllfaktor, 808nm Draft Version α.0 SPL BY81-12

Semiconductors designed. Assembly methods: hand made parts Verarbeitungsmethode: Handbestückung

Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S

SPL LL90_3. High-speed operation (< 30 ns pulse width) Low supply voltage (< 20 V) Laser aperture 200 µm x 10 µm

Hybride Impuls-Laserdiode mit integrierter Treiberstufe Hybrid Pulse Laser Diode with Integrated Driver Stage. SPL LLxx

Nanostack Impuls-Laserdioden-Array 75 W Spitzenleistung Nanostack Pulsed Laser Diode Array 75 W Peak Power Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Bestellnummer Ordering Code SPL LL85 14 W 850 nm Q62702P3558

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm SPL MY81S9

Output: active "low" Ausgang: aktiv "low" Built-in Schmitt Trigger circuit Integrierter Schmitt-Trigger Compact package Miniatur-Gehäuse

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

Reflector Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Reflector for 3 mm and 5 mm LED (silver) full production

PLT Bio- und Medizintechnik Messtechnik

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Golden DRAGON Engineering Kit Lens LK ACC W01. LK ACC W01 abgekündigt nach OS-PD wird nicht ersetzt werden. no replacement.

This design is for Reference only. Subject to change - may be necessary in a limited number of cases.

Zuverlässige InGa(Al)As kompressiv verspannte structure

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 808 nm SPL MY81G2

Blue Laser Diode 1.6W in TO56 Package Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Gehäuse Version 0.2 PL TB450B

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

Blaue Laser Diode 1.4 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.4 W in TO56 Package PL TB450 PRELIMINARY

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 1.0 PL 520

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

SIRILAS Laserdiodenarray 15 W cw bei 808nm SIRILAS Laser Diode Array 15 W cw at 808nm SPL LG81-P. Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 81

Green Laser Diode in TO56 Package Grüne Laser Diode in TO56 Gehäuse Version 0.1 PLT5 520_B1_2_3 DRAFT -

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

SPL LL

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silizium Photodiode für den sichtbaren Spektralbereich Version 1.1 BPW 21

2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125

Blaue Laser Diode 1.6 W in TO56 Bauform Blue Laser Diode 1.6 W in TO56 Package PL TB450B PRELIMINARY

Cyan Laser Diode in TO56 Bauform Cyan Laser Diode in TO56 Package PLT5 488 TARGET DATASHEET

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package PLP 520 PRELIMINARY

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 560 nm, E e. = 10 μw/cm 2, V CE

Nanostack Pulsed Laser Diode in Plastic Package 75 W Peak Power Nanostack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 75 W Spitzenleistung Version 1.

Grüne Laser Diode in TO38 ICut Bauform Green Laser Diode in TO38 ICut Package PL 520 PRELIMINARY

Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4546

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPX 38

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 4512

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Laser Diode on Submount 2.0 W cw (C-Mount) Laser Diode in offener Bauform 2.0 W cw (C-Mount) SPL CG94-2S

Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 213

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

High Precision Ambient Light Photodiode Hochgenaue Umgebungslicht-Fotodiode Version 1.1 SFH 2270R

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

Laserdiode isoliert gegen Gehäuse. Laserprojektion Lasershows Bio- und Medizintechnik Messtechnik

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F

Green Laser Diode in TO38 ICut Package Grüne Laser Diode in TO38 ICut Gehäuse Version 1.0 PL 520

Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX BPX 89

Grüne Laser Diode 120 mw in TO56 Bauform Green Laser Diode 120 mw in TO56 Package

Transkript:

2014-10-30 Nanostack Impuls - Laserdiode Nanostack Pulsed Laser Diode Version 1.0 Features: Besondere Merkmale: Reliable strained InGaAs/GaAs material Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv verspanntes Halbleiter-Material High power large-optical-cavity structure Hochleistungslaser mit Large-Optical-Cavity (LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld Nanostack laser technology including multiple Nanostack Lasertechnologie beinhaltet mehrere epitaxially stacked emitters epitaktisch integrierte Emitter Laser aperture 200 µm 10 µm Laterale Austrittsöffnung 200 µm 10 µm Applications Range finding Security, surveillance Illumination, ignition Testing and measuring applications Anwendungen Entfernungsmessung Sicherheit, Überwachung Beleuchtung, Zündung Test- und Messsysteme Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC 62471. Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471 behandelt werden. 2014-10-30 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Peak wavelength Ordering Code Typ: Emissionswellenlänge Bestellnummer (typ) λ peak 903 Q65111A5640 2014-10-30 2

Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Number of vertically stacked emitters Anzahl vertikal angeordneter Emitter Standard pulse center wavelength Zentrale Impulswellenlänge Threshold current Schwellstrom Differential efficiency Differentielle Effizienz Aperture size Austrittsöffnung Beam divergence (FWHM) perpendicular to pn-junction Strahldivergenz (Halbwertsbreite) senkrecht zum pn-übergang Beam divergence (FWHM) parallel to pn-junction Strahldivergenz (Halbwertsbreite) parallel zum pn-übergang Differential series resistance Differentieller Serienwiderstand λ pulse I th min typ max 3 897 903 909 nm 0.55 0.7 A η 3.5 3.7 W / A w x h 200 x 10 Θ 25 30 Θ 10 R s 0.32 0.4 Ω 1) page 6 Characteristic temperature (threshold) T 0 100 115 K Charakteristische Temperatur (Schwelle) 1) Seite 6 µm x µm Note: Anm.: All characteristics and limitations refer to pulsed measurements (1µs pulse wifth at 1kHz repetition rate) on unmounted laser dice. For exemplary characteristicals of laser operation in plastic package see datasheet SPL PL90_3. Alle Kenn- und Grenzwerte beziehen sich auf Impulsmessungen (1µs Pulsbreite bei 1kHz Wiederholfrequenz) an unmontierten Laserchips. Exemplarische Werte zum Laserbetrieb im Plastikgehäuse finden Sie im Datenblatt zu SPL PL90_3. 2014-10-30 3

Chip Outlines (Dimensions in mm) Maßzeichnung (Maße in mm) 2014-10-30 4

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-10-30 5

Glossary 1) Thermal behavior: Model for the thermal behavior of threshold current: I th (T 2 ) = I th (T 1 ) x exp (T 2 -T 1 ) / T 0 Glossar 1) Thermisches Verhalten: Modell zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms: I th (T 2 ) = I th (T 1 ) x exp (T 2 -T 1 ) / T 0 2014-10-30 6

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 2014-10-30 7