FF R17 KE3 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage T vj = 25 C V CES 17 V Kollektor-Dauergleichstrom T C = 8 C I C,nom. A DC-collector current T C = 25 C I C 535 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current t P = 1 ms, T C = 8 C I CRM 6 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation T C =25 C, Transistor P tot 147 W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V GES +/- 2V V Dauergleichstrom DC forward current I F A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp = 1 ms I FRM 6 A Grenzlastintegral der Diode I 2 t - value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation test voltage V R = V, t p = 1ms, T Vj = 125 C I 2 t 13,5 k A 2 s RMS, f = 5 Hz, t = 1 min. V ISOL 3,4 kv Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = A, V GE = 15V, T vj = 25 C V CE sat - 2, 2,45 V collector-emitter saturation voltage I C = A, V GE = 15V, T vj = 125 C - 2,4 - V Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage I C = 12mA, V CE = V GE, T vj = 25 C V GE(th) 5,2 5,8 6,4 V Gateladung gate charge V GE = -15V... +15V Q G - 3,4 - µc Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C ies - 25 - nf Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,T vj = 25 C,V CE = 25V, V GE = V C res -,9 - nf Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current V CE = 17V, V GE = V, T vj = 25 C I CES - - 5 ma Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current V CE = V, V GE = 2V, T vj = 25 C I GES - - na prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 2-7-15 approved by: Christoph Lübke revision: 2. 1/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor min. typ. max. Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 9V turn on delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 25 C t d,on -,28 - µs V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 125 C -,33 - µs Anstiegszeit (induktive Last) I C = A, V CE = 9V rise time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 25 C t r -,1 - µs V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 125 C -,1 - µs Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I C = A, V CE = 9V turn off delay time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 25 C t d,off -,85 - µs V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 125 C - 1, - µs Fallzeit (induktive Last) I C = A, V CE = 9V fall time (inductive load) V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 25 C t f -,12 - µs V GE = ±15V, R G = 4,7, T vj = 125 C -,2 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 9V, V GE = ±15V turn-on energy loss per pulse R G = 4,7, T vj = 125 C, L = 8nH E on - 115 - mj Abschaltverlustenergie pro Puls I C = A, V CE = 9V, V GE = ±15V turn-off energy loss per pulse R G = 4,7, T vj = 125 C, L = 8nH E off - 95 - mj Kurzschlußverhalten t P 1µsec, V GE 15V SC Data T Vj 125 C, V CC =1V, V CEmax =V CES -L CE di/dt I SC - 11 - A Modulinduktivität stray inductance module Anschlüsse / terminals: 2-3 L CE - 2 - nh Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip T C =25 C, pro Zweig / per arm R CC +EE -,6 - m Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode min. typ. max. Durchlaßspannung I F = A, V GE = V, T vj = 25 C V F - 1,8 2,2 V forward voltage I F = A, V GE = V, T vj = 125 C - 1,9 - V Rückstromspitze I F = A, - di F /dt = 35A/µs peak reverse recovery current V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 25 C I RM - 33 - A V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 125 C - 35 - A Sperrverzögerungsladung I F = A, - di F /dt = 35A/µs recovered charge V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 25 C Q r - 75 - µc V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 125 C - 125 - µc Abschaltenergie pro Puls I F = A, - di F /dt = 35A/µs reverse recovery energy V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 25 C E rec - 35 - mj V R = 9V, V GE = -15V, T vj = 125 C - 7 - mj 2/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC R thjc - -,85 K/W thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - -,13 K/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module Paste = 1 W/m*K / grease = 1 W/m*K R thck -,1 - K/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj max - - 15 C Betriebstemperatur operation temperature T vjop -4-125 C Lagertemperatur storage temperature T stg -4-125 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al 2 O 3 Kriechstrecke creepage distance 2 mm Luftstrecke clearance 11 mm CTI comperative tracking index 425 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Schraube / screw M6 M 3-6 Nm Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque Anschlüsse / terminals M6 M 2,5-5 Nm Gewicht weight G 34 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) V GE = 15V 6 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, V CE [V] 6 Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (V CE ) Output characteristic (typical) T vj = 125 C 5 vge=19v vge=15v vge=13v vge=11v vge=9v 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, V CE [V] 4/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (V GE ) Transfer characteristic (typical) V CE = 2V 6 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C 1 5 6 7 8 9 1 11 V GE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (V F ) Forward characteristic of inverse diode (typical) 6 5 Tvj = 25 C Tvj = 125 C I F [A] 1,,5 1, 1,5 2, 2,5 3, V F [V] 5/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 Schaltverluste (typisch) E on = f (I C ), E off = f (I C ), E rec = f (I C ) Switching losses (typical) V GE = ±15V, R gon = R goff =4,7, V CE = 9V, T vj = 125 C 5 45 35 Eon Eoff Erec E [mj] 25 15 1 5 5 1 15 25 35 45 5 55 6 Schaltverluste (typisch) E on = f (R G ), E off = f (R G ), E rec = f (R G ) Switching losses (typical) V GE = ±15V, I C = A, V CE = 9V, T vj = 125 C 35 Eon Eoff Erec 25 E [mj] 15 1 5 5 1 15 2 25 3 R G [ ] 6/8 DB_FFR17KE3_2..xls
FF R17 KE3 1 Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance Z thjc = f (t) Z thjc [K/W],1,1 Zth:Diode Zth:IGBT,1,1,1,1 1 1 t [s] i 1 2 3 4 r i [K/kW] : IGBT 21,63 31,97 24,69 6,714 i [s] : IGBT,1565,3977,7521 1,443 r i [K/kW] : Diode 44,6 48,89 3,96 6,1 i [s] : Diode,213,311,8672 1,1583 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) V GE = ±15V, R G = 4,7 Ohm, T vj = 125 C 7 6 5 IC,Modul IC,Chip 1 6 8 1 1 1 16 18 V CE [V] 7/8 DB_FFR17KE3_2..xls
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