Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit homogeneousness

2014-01-10 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.1 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 400 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 1100 nm 400 nm bis 1100 nm High photosensitivity Hohe Fotoempfindlichkeit DIL plastic package with high packing density DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Double diode with extremely high Doppeldiode mit extrem hoher Gleichmäßigkeit homogeneousness Applications Anwendungen Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Edge control Kantenerkennung Follow-up control Nachlaufsteuerung Path and angle scanning Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer E v = 1000 lx, Std. Light A, V R = 5 V, T = 2856 K I P [µa] BPX 48 24 ( 15) Q62702P0017S001 2014-01-10 1

Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range T op ; T stg -40... 80 C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 10 V Sperrspannung Total power dissipation P tot 50 mw Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C, per single diode / für jede Einzeldiode) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (E v = 1000 lx, Std. Light A, V R = 5 V, T = 2856 K) I P 24 ( 15) µa Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = 10 V) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 850 nm) Max. deviation from average for each single diode Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Einzeldiode vom Mittelwert λ S max 900 nm λ 10% 400... 1150 nm A 1.54 mm 2 L x W 0.7 x 2.2 mm x mm ϕ ± 60 I R 10 ( 100) na S λ typ 0.55 A / W ΔS ±5 % 2014-01-10 2

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 850nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E v = 1000 lx, Std. Light A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E v = 1000 lx, Std. Light A) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 5 V, R L = 1 kω, λ = 850 nm) Forward voltage Durchlassspannung Capacitance Kapazität (V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) η 0.80 Electro ns /Photon V O 330 ( 280) mv I SC 24 µa t r, t f 0.5 µs V F 1.3 V C 0 25 pf Temperature coefficient of V O TC V -2.6 mv / K Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (Std. Light A) TC I 0.18 % / K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = 10 V, λ = 850 nm) Detection limit Nachweisgrenze (V R = 10 V, λ = 950 nm) NEP 0.103 pw / Hz ½ D * 1.2e12 cm x Hz ½ / W 2014-01-10 3

Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung I P (V R = 5V) / V O = f(e V ) Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 0 2014-01-10 4

Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 10 V, E = 0 Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 1.0 OHF01402 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 90 0 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 2014-01-10 5

Package Outline Maßzeichnung 4.05 (0.159) 3.75 (0.148) 0.8 (0.031) 0.6 (0.024) 0.5 (0.020) 0.3 (0.012) Diode system 1.10 (0.043) 0.09 (0.004) 0.4 (0.016) 2.25 (0.089) 1.85 (0.073) 2.45 (0.096) Approx. weight 0.1 g Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package 7.8 (0.307) 7.4 (0.291) 6.6 (0.260) 6.3 (0.248) 0.3 (0.012) 0.25 (0.010) 2.54 (0.100) 0.7 (0.028) 0.5 (0.020) cathode anode 2.54 (0.100) Radiant sensitive area 2.0 (0.079) x 0.67 (0.026) DIL, Epoxy 0...5 0.8 (0.031) 2.2 (0.087) 1.9 (0.075) 0.6 (0.024) 3.5 (0.138) 3.0 (0.118) 7.62 (0.300) spacing GEOY6638 Gehäuse DIL, Harz 2014-01-10 6

TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW 300 C T 250 200 150 100 235 C - 260 C First wave Preheating 130 C 120 C 100 C 10 s max., max. contact time 5 s per wave ΔT < 150 K Second wave Typical OHA04645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-01-10 7

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-10 8

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