Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln

2014-01-13 Silicon PIN Photodiode with very short switching time Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Version 1.1 229 229 FA Features: Besondere Merkmale: Especially suitable for applications from 380 nm to Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 1100 nm ( 229) and of 880 nm ( 229 FA) 380 nm bis 1100 nm ( 229) und bei 880 nm ( 229 FA) Short switching time (typ. 10 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 10 ns) 3 mm LED plastic package 3 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse Also available on tape and reel Auch gegurtet lieferbar Applications Anwendungen Photointerrupters Lichtschranken Industrial electronics Industrieelektronik For control and drive circuits Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer V R = 5 V, Std. Light A, E V = 1000 lx ( 229) V R = 5 V, λ = 950 nm, E e = 1 mw/cm 2 ( 229 FA) I P [µa] 229 28 ( 18) Q62702P0215 229 FA 20 ( 10.8) Q62702P0216 2014-01-13 1

Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit 229 229 FA Operating and storage temperature range T op ; T stg -40... 100 C Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage V R 20 V Sperrspannung Total power dissipation P tot 150 mw Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom (E v = 1000 lx, Std. Light A, V R = 5 V) Photocurrent Fotostrom (V R = 5 V, λ = 950 nm, E e = 1 mw/cm 2 ) Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = 10 V) 229 I P 28 ( 18) 229 FA I P 20 ( 10.8) µa µa λ S max 860 900 nm λ 10% 380... 1100 730... 1100 nm A 0.31 mm 2 L x W 0.56 x 0.56 mm x mm ϕ ± 17 I R 0.05 ( 5) na 2014-01-13 2

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 850 nm) Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 850 nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E v = 1000 lx, Std. Light A) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E e = 0.5 mw/cm 2, λ = 870 nm) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E v = 1000 lx, Std. Light A) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E e = 0.5 mw/cm 2, λ = 950 nm) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 10 V, R L = 50 Ω, λ = 850 nm, I p = 800 μa) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 100 ma, E = 0) Capacitance Kapazität (V R = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) S λ typ 0.62 0.6 A / W η 0.90 0.88 Electro ns /Photon V O 450 ( 400) V O 420 ( 370) mv mv I SC 27 µa I SC 9 µa t r, t f 0.01 µs V F 1.3 V C 0 13 pf Temperature coefficient of V O Temperaturkoeffizient von V O TC V -2.6 mv / K Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (Std. Light A) TC I 0.18 % / K 229 229 FA 2014-01-13 3

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (λ = 870 nm) Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = 10 V, λ = 850 nm) Detection limit Nachweisgrenze (V R = 10 V, λ = 850 nm) 229 229 FA TC I 0.2 % / K NEP 0.006 0.007 pw / Hz ½ D * 8.7e12 8.4e12 cm x Hz ½ / W Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit 229 S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit 229 FA S rel = f(λ) 2014-01-13 4

Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung 229 I P (V R = 5 V) / V O = f(e V ) Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung 229 FA I P (V R = 5 V) / V O = f(e e ) Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 0 2014-01-13 5

Capacitance Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = 10 V, E = 0 2 10 na R I 1 10 OHF05549 10 0 10-1 10-2 10-3 -25 0 25 50 75 C 100 T A Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) 2014-01-13 6

Package Outline Maßzeichnung 2.54 (0.100) spacing Collector (Transistor) Cathode (Diode) 0.7 (0.028) 0.4 (0.016) 0.8 (0.031) 0.4 (0.016) 3.5 (0.138) 1.8 (0.071) 1.2 (0.047) 29 (1.142) 27 (1.063) Area not flat 5.2 (0.205) 4.5 (0.177) 4.1 (0.161) 3.9 (0.154) ø3.1 (0.122) ø2.9 (0.114) Chip position 6.3 (0.248) 5.9 (0.232) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 4.0 (0.157) 3.6 (0.142) GEOY6653 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package Gehäuse 3mm Radial (T 1), Epoxy 3mm Radial (T 1), Harz 2014-01-13 7

Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign TTW Soldering / Wellenlöten (TTW) 4.8 (0.189) 4 (0.157) OHLPY985 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2014-01-13 8

TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW 300 C T 250 200 150 100 235 C - 260 C First wave Preheating 130 C 120 C 100 C 10 s max., max. contact time 5 s per wave ΔT < 150 K Second wave Typical OHA04645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s 50 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 s 240 t 2014-01-13 9

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2014-01-13 10