Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Version 1.2 SFH 3211 FA
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1 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Features: Spectral range of sensitivity: (typ) nm Package: TOPLED Special: High linearity Available in groups Applications Miniature photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ) nm Gehäuse: TOPLED Besonderheit: Hohe Linearität Gruppiert lieferbar Anwendungen Miniatur Lichtschranken Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 95 nm, E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE [µa] Q6511A2526 SFH 3211 FA-3/ Q6511A2528 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
2 Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung Collector current Kollektorstrom Collector surge current Kollektorspitzenstrom (τ < 1 µs) Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance for mounting on pcb Wärmewiderstand für Montage auf PC - Board Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte T op ; T stg C V CE 35 V I C 15 ma I CS 75 ma P tot 165 mw R thja 45 K/W Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche Half angle Halbwinkel Capacitance Kapazität (V CE = V, f = 1 MHz, E = ) Dark current Dunkelstrom (V CE = 2 V, E = ) (typ) λ S max 98 nm (typ) λ 1% (typ) nm (typ) A.38 mm 2 (typ) L x W (typ).45 x.45 (typ) ϕ ± 6 mm x mm (typ) C CE 5 pf (typ (max)) I CE 1 ( 5) na
3 Grouping Gruppierung Group Min Photocurrent Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und Abfallzeit E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V E V = 1 lx, Std. Light A, V CE = 5 V I PCE, min [µa] I PCE, max [µa] I PCE [µa] t r, t f [µs] I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Group Collector-emitter saturation voltage Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = I PCEmin x.3, E e =.1 mw/cm 2 V CEsat [mv] Note.: Anm.: I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group. I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
4 Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 3211 S rel = f (λ) S rel 1 % OHF468 S rel 1 % OHF Photocurrent Fotostrom I PCE = f(e e ), V CE = 5 V Ι PCE 1 3 µ A nm 11 λ OHF nm 11 λ Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter Ι PCE 1 ma mw 1 cm 2.5 mw cm 2 OHF mw cm 2 mw.1 cm mw/cm 1 E e V 35 V CE
5 Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (25 C) = f(t A ), V CE = 5 V Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E = Ι PCE Ι PCE OHF1524 Ι CEO 1 1 na OHF Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(t A ), E = Ι CEO 1 3 na C 1 T A OHF V 35 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E = C CE 5. pf V CE OHF C 1 T A V 1 2 V CE
6 Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) 2 OHF871 P tot mw C 1 T A Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) ϕ 1. OHF
7 Package Outline Maßzeichnung 3. (.118) 2.6 (.12) 2.3 (.91) 2.1 (.83) 1.7 (.67) 1. (.39) 2.1 (.83).9 (.35) 4 ±1 3.4 (.134) 3. (.118) (2.4 (.94)).3 (.12) max.3 (.12) min 5.4 (.213) 5. (.197)...1 (.4) Collector marking Collector.6 (.24).4 (.16) GPLY667 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Taping Gurtung 1.5 (.59) 4 (.157) 2 (.79) Cathode/Collector Marking 2.9 (.114) 4 (.157) 3.6 (.142) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) OHAY2271 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
8 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 6 (.236) 1.2 (.47) 2.6 (.12) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 6 (.236) 1.2 (.47) 2.6 (.12) Cu-Fläche > 16 mm Cu-area > 16 mm (.11) 2.4 (.94) Hole on PCB Lötstopplack Solder resist OHLPY977 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch)
9 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L T p OHA C 15 t S C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s Maximum 8 1 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P T P t P All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range C s K/s s
10 Disclaimer Language english will prevail in case of any discrepancies or deviations between the two language wordings. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bei abweichenden Angaben im zweisprachigen Wortlaut haben die Angaben in englischer Sprache Vorrang. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist
11 Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert
12 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg All Rights Reserved
Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 300 SFH 300 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 450... 1100 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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213-11-2 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 77... 19 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
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MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor SFH 314 SFH 314 FA Features: Spectral range of sensitivity: 46 nm...8 nm (SFH 314), 74 nm... 8 nm (SFH 314 FA) Besondere Merkmale: Spektraler
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MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 560 nm, E e. = 10 μw/cm 2, V CE
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MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer = 950 nm, E e. = 0.1 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE
28-7-3 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1. SFH 341 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: 46... 18 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 46...
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214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 45... 11 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ)
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 321 Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 46... 18 Spektraler
MehrOrdering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.
214-1-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Features: Besondere Merkmale: Spectral range of sensitivity: (typ) 74... 8 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: nm (typ) 74... 8
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