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WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

BP 103 B BP 103 BF BP 103 B BP 103 BF

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Transkript:

215-9-2 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Features: Spectral range of sensitivity: (typ) 75... 112 nm Package: TOPLED Special: High linearity Available in groups Applications Miniature photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Besondere Merkmale: Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: (typ) 75... 112 nm Gehäuse: TOPLED Besonderheit: Hohe Linearität Gruppiert lieferbar Anwendungen Miniatur Lichtschranken Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 95 nm, E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V I PCE [µa] 16... 8 Q6511A2526 SFH 3211 FA-3/4 25... 8 Q6511A2528 Note: Only one bin within one packing unit (variation less than 2:1) Anm.: Nur eine Gruppe pro Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) 215-9-2 1

Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung Collector current Kollektorstrom Collector surge current Kollektorspitzenstrom (τ < 1 µs) Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance for mounting on pcb Wärmewiderstand für Montage auf PC - Board Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte T op ; T stg -4... 1 C V CE 35 V I C 15 ma I CS 75 ma P tot 165 mw R thja 45 K/W Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of chip area Abmessung der Chipfläche Half angle Halbwinkel Capacitance Kapazität (V CE = V, f = 1 MHz, E = ) Dark current Dunkelstrom (V CE = 2 V, E = ) (typ) λ S max 98 nm (typ) λ 1% (typ) 75... 112 nm (typ) A.38 mm 2 (typ) L x W (typ).45 x.45 (typ) ϕ ± 6 mm x mm (typ) C CE 5 pf (typ (max)) I CE 1 ( 5) na 215-9-2 2

Grouping Gruppierung Group Min Photocurrent Max Photocurrent Typ Photocurrent Rise and fall time Gruppe Min Fotostrom Max Fotostrom Typ Fotostrom Anstiegs- und Abfallzeit E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V E e =.1 mw/cm 2, V CE = 5 V E V = 1 lx, Std. Light A, V CE = 5 V I PCE, min [µa] I PCE, max [µa] I PCE [µa] t r, t f [µs] - 2 16 32 42 6-3 25 5 65 7-4 4 8 1 8 I C = 1 ma, V CC = 5 V, R L = 1 kω Group Collector-emitter saturation voltage Gruppe Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I C = I PCEmin x.3, E e =.1 mw/cm 2 V CEsat [mv] - 2 15-3 15-4 15 Note.: Anm.: I PCEmin is the min. photocurrent of the specified group. I PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe. 215-9-2 3

Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit SFH 3211 S rel = f (λ) S rel 1 % OHF468 S rel 1 % OHF27 8 8 7 6 6 5 4 4 3 2 2 1 4 Photocurrent Fotostrom I PCE = f(e e ), V CE = 5 V Ι PCE 1 3 µ A 1 2 5 6 7 8 9 nm 11 λ OHF1924 4 5 6 7 8 9 nm 11 λ Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter Ι PCE 1 ma mw 1 cm 2.5 mw cm 2 OHF1529 1 1 4 3 2 1-1.25 mw cm 2 mw.1 cm 2 1 1-1 1-3 1-2 2 mw/cm 1 E e 1-2 5 1 15 2 25 3 V 35 V CE 215-9-2 4

Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (25 C) = f(t A ), V CE = 5 V Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E = Ι PCE Ι PCE25 1.6 1.4 OHF1524 Ι CEO 1 1 na OHF1527 1.2 1 1..8 1-1.6.4 1-2.2-25 Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(t A ), E = Ι CEO 1 3 na 1 2 25 5 75 C 1 T A OHF153-3 1 5 1 15 2 25 3 V 35 Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E = C CE 5. pf 4. 3.5 V CE OHF1528 3. 1 1 2.5 2. 1 1.5 1..5 1-1 -25 25 5 75 C 1 T A 1-2 1-1 1 1 1 V 1 2 V CE 215-9-2 5

Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) 2 OHF871 P tot mw 16 12 8 4 2 4 6 8 C 1 T A Directional Characteristics Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) 4 3 2 1 ϕ 1. OHF142 5.8 6.6 7.4 8.2 9 1 1..8.6.4 2 4 6 8 1 12 215-9-2 6

Package Outline Maßzeichnung 3. (.118) 2.6 (.12) 2.3 (.91) 2.1 (.83) 1.7 (.67) 1. (.39) 2.1 (.83).9 (.35) 4 ±1 3.4 (.134) 3. (.118) (2.4 (.94)).3 (.12) max.3 (.12) min 5.4 (.213) 5. (.197)...1 (.4) Collector marking Collector.6 (.24).4 (.16) GPLY667 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Taping Gurtung 1.5 (.59) 4 (.157) 2 (.79) Cathode/Collector Marking 2.9 (.114) 4 (.157) 3.6 (.142) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) OHAY2271 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 215-9-2 7

Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 6 (.236) 1.2 (.47) 2.6 (.12) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 6 (.236) 1.2 (.47) 2.6 (.12) Cu-Fläche > 16 mm Cu-area > 16 mm 2 2 2.8 (.11) 2.4 (.94) Hole on PCB Lötstopplack Solder resist OHLPY977 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 215-9-2 8

Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T 25 2 24 C 217 C t P t L T p OHA4525 245 C 15 t S 1 5 25 C 5 1 15 2 25 s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s 1 12 2 3 217 Maximum 8 1 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P T P t P 245 26 1 2 3 All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 3 6 48 C s K/s s 215-9-2 9

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Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 215-9-2 11

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