Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4356

Ähnliche Dokumente
Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszensdiode (850 nm) Version 1.0 SFH 4556P

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.0 SFH verbunden

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching times Kurze Schaltzeiten

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4341

Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.1 SFH 4883

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszensdiode (940 nm) Version 1.0 SFH Same package dimensions as BPX 81 gleiche Gehäuseabmaße wie BPX 81

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4557

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.1 SFH 4845

High Power Infrared LED Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeiten

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.1 SFH 4141

Typical peak wavelength 950nm Typische Peakwellenlänge 950nm Narrow half angle ± 10 Enger Halbwinkel ± 10 Short switching times Kurze Schaltzeiten

Infrared Emitter (940 nm) in Mini Sidelooker Package IR-Lumineszenzdiode (940nm) im Mini Sidelooker Gehäuse Version 1.0 SFH 4141

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 274

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

High optical power Sehr hohe Gesamtleistung Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6mm x 1.

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN A2 IRL 81 A

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 LD 274. GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad High reliability

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4052

GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 SFH 400

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) Version 1.0 SFH verbunden

WELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

Temperature and light intensity measurement Temperatur und Lichtmessung

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4254

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4053

Richtlinie AEC-Q101-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete. Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors.

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 SFH 4053

High Power Infrared LED Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung Short switching time Kurze Schaltzeit

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package

Infrared Emitter Arrays (940 nm) IR-Lumineszenzdioden-Zeilen (940 nm) Draft Version α.1 SFH 4942/ 4943/ 4944/ 4945/ 4946/ 4947/ 4948/ 4949/ 4940

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 485

High Power Infrared Emitter (850nm) in SMR Package IR-Lumineszenzdiode (850nm) mit hoher Ausgangsleistung in SMR Gehäuse Version 1.

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

Fertigungs- und Konrollanwendungen der Industrie applications Photointerrupters Lichtschranken

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4056

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszensdiode (880 nm) Version 1.0 SFH 487 P

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer λ = 950 nm, E e. = 0.

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4140

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Silizium PIN Fotodiode mit integriertem Temperatur Sensor Version 1.

Cathode GEX Cathode GEX06305

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

Narrow beam LED in Mini MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im Mini MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 SFH 4441

CHIPLED with High Power Infrared Emitter (850 nm) CHIPLED (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Draft Version 0.0 SFH 4053

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 FA

Short switching time (typ. 5 ns) Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) 5 mm LED plastic package 5 mm-plastikbauform im LED-Gehäuse

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

SFH 4542 SFH Features High Power Infrared LED SMR (Surface Mount Radial) package Same package as photodiode SFH 2500 Short switching times

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.2 SFH 203 PFA

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) Version 1.0 SFH 484

(LxBxH) 1.7 mm x 0.8 mm x 0.65 mm Short switching times Kurze Schaltzeiten High optical total power Sehr hohe Gesamtleistung

Hoher Koppelfaktor in Lichtschranken in Verbindung mit SFH 3100 F High reliability Hohe Zuverlässigkeit

Photointerrupters Lichtschranken Remote control Fernsteuerung BP 104 F 34 ( 25) Q62702P0084

Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.0 / acc. to OS-PCN A2 SFH 4641

GaAs Infrared Emitter Arrays GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen Version 1.1 LD 260, LD 262, LD 263, LD 264, LD 265, LD 266, LD 267, LD 268, LD 269

OSRAM OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Version 1.1 SFH 4750

OSTAR - Lighting IR 6-fold with Optics (850nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

High Power Infrared Emitter (940 nm) IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to OS-PCN A2

Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) Version 1.3 SFH 4850 E7800. verbunden. Anwendungsklasse nach DIN GQC

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4059SR

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4045

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.2 SFH 4259S

GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486

High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 acc. to OS-PCN A2 SFH 4259

Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Version 1.2 SFH 4641

Narrow beam LED in MIDLED package (850 nm) Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (850 nm) Version 1.3 SFH 4656

Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.2 SFH 314

IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH

Transkript:

215-1-16 Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszensdiode (85 nm) Version 1. SFH 4356 Features: Besondere Merkmale: Wavelength 85nm Wellenlänge 85nm Short switching times Kurze Schaltzeiten Good spectral match to silicon photodetectors Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger package similar to SFH 39 ähnliches Gehäuse wie SFH 39 Applications IR remote control Sensor technology Discrete optocouplers Discrete interrupters Anwendungen IR-Gerätefernsteuerung Sensorik Diskrete Optokoppler Diskrete Lichtschranken Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 6825-1 and IEC 62471. Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 6825-1 und 62471 behandelt werden. 215-1-16 1

Ordering Information Bestellinformation Type: Radiant Intensity Ordering Code Typ: Strahlstärke Bestellnummer I F = 1 ma, t p = 2 ms I e [mw/sr] SFH 4356 9 ( 4) Q65111A6136 Note: Anm.: measured at a solid angle of Ω =.1 sr gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 2 µs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung ESD withstand voltage ESD Festigkeit (acc. to ANSI/ ESDA/ JEDEC JS-1 - HBM) 1) page 11 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 11 T op ; T stg -4... 1 C V R 5 V I F 1 ma I FSM 1 A P tot 2 mw V ESD 2 kv R thja 35 K / W Thermal resistance junction - soldering point Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle R thjs 15 K / W 215-1-16 2

Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 1 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 1A, t p = 1 µs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F = 1 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm (typ) λ centroid 85 nm (typ) λ 3 nm (typ) ϕ ± 2 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm (typ) t r, t f 12 ns (typ (max)) V F 1.7 ( 2) V (typ (max)) V F 3.6 ( 4.6) V (typ (max)) I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 8 mw 215-1-16 3

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung Group (typ) TC I -.3 % / K (typ) TC V -.6 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K Min Radiant Intensity Max Radiant Intensity Typ Radiant Intensity Gruppe Min Strahlstärke Max Strahlstärke Typ Strahlstärke I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = 1 µs I e, min [mw / sr] I e, max [mw / sr] I e, typ [mw / sr] SFH 4356-U 4 8 255 SFH 4356-V 63 125 395 SFH 4356-AW 1 2 63 SFH 4356-BW 16 32 1 Note: Anm.: Measured at a solid angle of Ω =.1 sr Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1). 215-1-16 4

2) page 11 Relative Spectral Emission 2) Seite 11 Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 OHF4132 2) page 11 Radiant Intensity 2) Seite 11 Strahlstärke I e / I e (1 ma) = f(i F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C 1 1 Ι e Ι (1 ma) e OHF5641 1 6 4 1-1 2 1-2 7 75 8 85 nm λ 95 1-3 1 1 1 1 2 ma 3 1 I F 215-1-16 5

Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F, max = f(t A ), R thja = 35 K / W 12 ma I F 1 OHF5655 2) page 11 Forward Current 2) Seite 11 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C 3 1 ma I F OHF5645 8 6 2 1 5 4 2 1 1 5 2 4 6 8 C 1 T A 1 1 2 3 V 4 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter OHF5656 1.1 t A P I t F D P = IF T T.9.8.7.6.5.4.3.2.1 D =.5.1.2.5.1.2.5 1-5 -4-3 -2-1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 s 1 t p Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 85 C, duty cycle D = parameter OHF5657 1.1 t A P I t F D P = IF T T.9.8.7.6.5.4.3.2.1 D =.5.1.2.5.1.2.5 1-5 -4-3 -2-1 1 2 1 1 1 1 1 1 1 s 1 t p 215-1-16 6

2) page 11 Radiation Characteristics 2) Seite 11 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C 4 3 2 1 OHF5658 ϕ 1. 5.8 6.6 7.4 8.2 9 1 1..8.6.4 2 4 6 8 1 12 Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm. / Maße in mm. 215-1-16 7

Package 3mm Radial (T 1), solder tabs lead spacing 2.54 mm ( 1 / 1 "), anode marking short lead, Epoxy, black Gehäuse 3mm Radial (T 1), Anschlüsse im 2.54 mm-raster ( 1 / 1 "), Anodenkennzeichnung kürzerer Anschluss, Harz, schwarz Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Dimensions in mm. / Maße in mm. Note: Anm.: pad 1: cathode pad 1: Kathode 215-1-16 8

TTW Soldering Wellenlöten (TTW) IEC-6176-1 TTW / IEC-6176-1 TTW 3 C T 25 2 15 1 235 C - 26 C First wave Preheating 13 C 12 C 1 C 1 s max., max. contact time 5 s per wave T < 15 K Second wave Typical OHA4645 Continuous line: typical process Dotted line: process limits Cooling ca. 3.5 K/s typical ca. 2 K/s ca. 5 K/s 5 2 4 6 8 1 12 14 16 18 2 22 s 24 t 215-1-16 9

Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 215-1-16 1

Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 215-1-16 11

Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-9355 Regensburg www.osram-os.com All Rights Reserved. 215-1-16 12

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Osram Opto Semiconductor: SFH 4356